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柯达 Prostar 档案处理器 - Pixel Digital Systems
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非语言词典 - zorc.net
进化。我们手部的 27 块骨头、33 块肌肉和 20 个关节起源于大约4 亿年前。来自被称为鳍足类的早期鱼类的鳍片。原始的“游泳鳍”帮助我们的水生祖先在泥盆纪海洋中划桨寻找食物和配偶。在两栖动物中，前肢进化为陆地行走的负重平台。在灵长类动物中，手被单独升级为触觉天线或“触角”。今天（与鳍状肢、爪子和蹄子不同），手指与大脑的智力模块和情感中心相连。例如，我们不仅可以穿针引线，还可以用指尖模仿穿线的动作（参见 MIME CUE ）——或者用轻拍来奖励孩子成功穿线。没有比手更好的器官可以衡量未说出口的想法、态度和情绪。
GaN 高电子迁移率晶体管外延堆栈中穿线位错引起的垂直场不均匀性
数据可用性声明：支持本研究结果的数据可根据合理要求从通讯作者处获取。1 H. Amano、Y. Baines、E. Beam 等人，2018 年 GaN 电力电子路线图，Journal of Physics D: Applied Physics。51，(2018)。2 K. Husna Hamza 和 D. Nirmal，GaN HEMT 宽带功率放大器综述，AEU - 国际电子和通信杂志。116，153040 (2020)。3 G. Meneghesso、M. Meneghini、I. Rossetto、D. Bisi、S. Stoffels、M. Van Hove、S. Decoutere 和 E. Zanoni，GaN 基功率 HEMT 的可靠性和寄生问题：综述，半导体科学与技术。31，(2016)。 4 JA del Alamo 和 J. Joh，GaN HEMT 可靠性，微电子可靠性。49，1200-1206 页 (2009)。5 M. Meneghini、A. Tajalli、P. Moens、A. Banerjee、E. Zanoni 和 G. Meneghesso，基于 GaN 的功率 HEMT 中的捕获现象和退化机制，半导体加工材料科学。78，118-126 页 (2018)。6 B. Kim、D. Moon、K. Joo、S. Oh、YK Lee、Y. Park、Y. Nanishi 和 E. Yoon，通过导电原子力显微镜研究 n-GaN 中的漏电流路径，应用物理快报。104，(2014)。 7 M. Knetzger、E. Meissner、J. Derluyn、M. Germain 和 J. Friedrich，《用于电力电子的碳掺杂变化与硅基氮化镓垂直击穿之间的关系》，《微电子可靠性》。66，16-21 (2016)。 8 A. Lesnik、MP Hoffmann、A. Fariza、J. Bläsing、H. Witte、P. Veit、F. Hörich、C. Berger、J. Hennig、A. Dadgar 和 A. Strittmatter，《碳掺杂氮化镓的性质，固体物理状态 (b)》。254，(2017)。 9 B. Heying、EJ Tarsa、CR Elsass、P. Fini、SP DenBaars 和 JS Speck，《位错介导的氮化镓表面形貌》，《应用物理学杂志》。 85,6470-6476 (1999)。
高级多针刺绣
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钝化对选择性生长亚微米 Ge-on-Si 的影响...
近来，人们对开发工作在短波红外 (SWIR) 波长 [1] 的单光子探测器的兴趣日益浓厚，SWIR 波长定义为工作在约 1000 nm 的 Si 能带边缘之外的波长。光检测和测距 (LIDAR) [2]、透过遮蔽物成像 [3] 和量子通信 [1] 等众多量子技术应用都需要在这些波长下具有这样的单光子灵敏度。例如，由于太阳背景辐射较低且激光安全人眼阈值较高，可通过转移到 SWIR 来改进 LIDAR 应用。在量子通信中，1310 nm 和 1550 nm 的低损耗光纤波长要求任何单光子探测器都能在这些波长下进行探测。虽然超导纳米线探测器 [4] 和 InGaAS/InP SPAD [5] 是现成的单光子探测技术，但 Ge-on-Si SPAD 具有降低后脉冲和提高单光子探测效率的潜力。 [6] 本研究在 260 nm 绝缘体上硅 (SOI) 晶片上制造了 Ge-on-Si SPAD，采用独立吸收、电荷和倍增层几何结构 (SACM) 和横向 Si 倍增层，采用完全兼容 CMOS 的工艺。利用这种几何结构，可以轻松实现与 Si 波导和光纤的集成 [7]，从而实现其在量子通信应用中的潜力。Ge 选择性地生长在 SiO 2 沟槽内，与块状 Ge 生长相比，降低了穿线位错密度 (TDD)。研究了这些器件的暗电流特性，以及不同的 Ge 钝化技术对侧壁的影响。
在 ...上生长的 0.6 eV 以下倒置变质 GaInAs 电池
介绍了在 InP 和 GaAs 上生长的带隙低于 0.60 eV 的倒置变质 Ga 0.3 In 0.7 As 光伏转换器。InP 和 GaAs 上的穿线位错密度分别为 1.3 ± 0.6 × 10 6 和 8.9 ± 1.7 × 10 6 cm − 2。在辐照下，器件分别产生 0.386 和 0.383 V 的开路电压，产生 ≈ 10 A cm − 2 的短路电流密度，产生 0.20 和 0.21 V 的带隙电压偏移。功率和宽带反射率测量用于估计热光伏 (TPV) 效率。估计 InP 基电池在 1100°C 时可产生 1.09 W cm − 2，而 GaAs 基电池可产生 0.92 W cm − 2，效率分别为 16.8% 和 9.2%。两种器件的效率都受到亚带隙吸收的限制，功率加权亚带隙反射率分别为 81% 和 58%，其中大部分假定发生在分级缓冲器中。如果先前证明的反射率已达到，则估计 1100°C TPV 效率在移除分级缓冲器的结构中将增加到 24.0% 和 20.7%。这些器件也适用于 2.0–2.3 μ m 大气窗口内的激光功率转换。在 2.0 μ m 辐照度 1.86 和 2.81 W cm −2 下，峰值激光功率转换效率分别估计为 36.8％ 和 32.5％。