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窄带噪声和信道的表征...
书籍章节 法国电力线通信窄带噪声和信道容量的表征 Imène Elfeki 1,2、Sébastien Jacques 1 *、Ismail Aouichak 1、Thierry Doligez 2、Yves Raingeaud 1 和 Jean-Charles Le Bunetel 1 1 法国图尔大学材料、微电子、声学和纳米技术研究组 2 法国图尔应用数字实验室 (LAN)，Node Park Touraine *通讯作者：Sébastien Jacques，图尔大学材料、微电子、声学和纳米技术研究组，37000 图尔，法国 2020 年 8 月 12 日出版 本书章节是 Sébastien Jacques 等人发表的文章的再版。 2018 年 11 月在 Energies 上发表的论文。 （Elfeki, I.；Jacques, S.；Aouichak, I.；Doligez, T.；Raingeaud, Y.；Le Bunetel, J.-C. 法国电力线通信窄带噪声和信道容量特性。Energies 2018，11，3022。） 如何引用本书章节：Imène Elfeki、Sébastien Jacques、Ismail Aouichak、Thierry Doligez、Yves Raingeaud、Jean-Charles Le Bunetel。法国电力线通信窄带噪声和信道容量特性。在：Phattara Khumprom、Mladen Bošnjaković 编辑。能源研究进展。海得拉巴，印度：Vide Leaf。 2020。© 作者 2020。本文根据知识共享署名 4.0 国际许可证（http://creativecommons.org/licenses/by/4.0/）分发，允许在任何媒体中不受限制地使用、分发和复制，只要对原始作品进行适当引用。
窄带 PLC 系统的隔离变压器
注：上列隔离变压器的一部分是根据 IEC 60950“信息技术设备安全”或 IEC 61558“电力变压器、电源、电抗器和类似产品安全”制造的。它们都具有加强绝缘。过压类别、污染程度和绝缘材料组的分类可从数据表中获取。
偏振纠缠光子源窄带 810 nm
OZ Optics 提供纠缠光子源，在马赫-曾德尔干涉仪内实现一对周期性极化晶体。偏振纠缠光子对通过 2 型自发参量下转换 (SPDC) 产生。部署了多个偏振位移器 (PD) 以将光子对分离到两个输出端口，安装在前面板上，如照片所示。光子对的中心波长为 810 nm，带宽为几纳米。每个光源都配备波长稳定的泵浦激光器、可变光衰减器和温度控制器，以微调相位匹配参数，实现最佳效率。
跳频窄带波形的时隙争用访问
– 节点使用均匀（0，t u ）分布从连续争用窗口中随机抽取起始时间，其中 t u 是窗口的持续时间。– 起始时间被转换到 TDMA 时间结构上，以避免在动态数据时隙之外传输。– 如果在起始时间之前接收到传入传输，则取消争用并在信道可用时重新启动
带有窄带物联网和MEMS传感器的结构性健康监测系统
摘要 - 追踪衰老，损害和最终防止严重失败的情况需要危及许多生命的严重失败。能够以连续且精细的方式监测广泛的建筑物的完整性，即具有低成本，长期和连续的测量，从经济和生活安全的角度来看，必不可少。为了满足这些需求，我们提出了一个低成本的无线传感器节点指定的，旨在在长时间的长时间内支持模态分析，并在低功耗时具有远距离连接。我们的设计使用非常具有成本效益的MEMS加速度计，并利用窄带物联网协议（NB-iot）与4G基础架构网络建立长距离连接。在任何商业或研究设备中，远程无线连接，无布置安装和多年寿命是一种独特的功能组合，而不可用。 我们详细讨论了节点的硬件体系结构和电源管理。 实验测试证明了使用17000 mAh电池或完全不中性的运行的寿命超过十年（60 mm x 120 mm）。 此外，我们验证了使用MEMS传感器的模态分析的可行性的测量精度：与基于压电传感器的高精度仪器相比，我们的传感器节点在一小部分成本和功耗下实现了0.08％的最大差异。远程无线连接，无布置安装和多年寿命是一种独特的功能组合，而不可用。我们详细讨论了节点的硬件体系结构和电源管理。实验测试证明了使用17000 mAh电池或完全不中性的运行的寿命超过十年（60 mm x 120 mm）。此外，我们验证了使用MEMS传感器的模态分析的可行性的测量精度：与基于压电传感器的高精度仪器相比，我们的传感器节点在一小部分成本和功耗下实现了0.08％的最大差异。
策略使用硼氮共价键来实现高性能窄带电致发光
基于此，作者进一步构建了窄带发射，高量子效率和低效率滚动特性的天蓝色OLED。值得注意的是，基于BCZBN-3B的OLED的最大外部量子效率为42.6％，为使用二进制发射层的OLED设备设定了新的效率记录。此外，在1000 cd m -2的亮度下，该设备仍保持30.5％的效率，显示效率较小。
基于纳米厚窄带隙半导体PbS薄膜的紫外光电探测器
摘要：紫外光电探测器（UVPD）在军事和民用应用中发挥着重要作用，通常采用宽带隙半导体（WBS）作为构造模块来制造。遗憾的是，基于 WBS 的 UVPD 商业化往往受到其相对较高的制造成本的限制，因为需要使用非常复杂的生长仪器。在本文中，我们提出了一种基于具有相对较小带隙的非 WBS 硫化铅（PbS）的灵敏 UVPD。器件分析表明，由 48.5 nm PbS 纳米薄膜制成的 UVPD 对 365 nm 的紫外线照射高度敏感。具体而言，在 365 nm 照射下的响应度和特定探测率分别为 22.25 AW − 1 和 4.97 × 10 12 Jones，与大多数传统的基于 WBS 的 UVPD 相当或更好。基于 PbS 纳米薄膜的 UVPD 还表现出优异的环境稳定性。实验结果和基于技术计算机辅助设计软件的模拟证实，PbS 纳米薄膜的异常特性与相对较薄的厚度和波长相关的吸收系数有关。这些结果为窄带隙半导体在未来光电设备和系统中实现低成本敏感 UVPD 提供了机会。关键词：紫外光电探测器、窄带隙半导体、PbS、高响应度、技术计算机辅助设计 ■ 介绍