3. LDD-IFE 技术问题——有几种方法可以提供 LPI 抑制和辐射均匀性所需的带宽。每个激光源可能产生所需的全部带宽、部分带宽或跨越所需光谱的离散波长。宽带非相干系统因过大带宽导致的时间调制而引发激光损伤问题,而宽带频率上转换为紫外波长具有挑战性,因此在离散波长下工作的激光器应该更简单、更有优势,尽管考虑到 IFE 反应堆容器可用立体角的实际限制,可能需要光谱光束组合 [19] 将所有激光辐射传送到目标。基于 OPA 或激光的系统可以为 LDD-IFE 提供所需的宽带放大。
(ii) 米:一米是光在 1/299792458 秒的时间间隔内在真空中行进的距离。 (iii) 秒:一秒是铯-133 原子经历 9192631770 次振动所需的时间。 (iv) 开尔文:一开尔文等于水的临界点热力学温度的 1/273.15。 (v) 安培:一安培是当电流流过两根长平行导线时,每根导线的长度等于一米,在自由空间中相隔一米,两根导线之间会产生 2×10 7 N 的力。 (vi) 坎德拉:一坎德拉是光源在给定方向上的发光强度,该光源发射频率为 540 × 10 12 Hz 的单色辐射,其辐射强度为每立体角 1/683 瓦。 (vii) 摩尔:一摩尔是任何物质的量,其所含的基本单位可能与 0.012 千克 C-12 碳同位素中的原子数相同。
恒定面积抛物面天线和反射镜的远场角波束宽度与发射信号的波长成正比。因此,天线或透镜的发射信号功率分布在与波长平方成正比的立体角上,即到达接收器的信号功率与频率平方成正比。对于给定的发射孔径尺寸,频率越高,到达接收器的信号功率越大。接收器噪声也会随着频率的增加而增加。在光频率下,与频率成正比的量子噪声占主导地位。在射频下,量子噪声微不足道:其他不随频率强烈变化的噪声源占主导地位。因此,首先,接收器噪声与频率成正比。由于接收信号功率与频率平方成正比,接收器信噪比 (SNR) 与频率成正比。无差错通信的最大可能速率会随着接收的 SNR 而增加。这是光通信的主要优势。迄今为止,NASA 使用的最高下行射频通信频率是深空 Ka 波段下行频率 32 千兆赫 (GHz)。典型的下行光波长为 1550 纳米 (nm),相当于 193.5 太赫兹 (THz) 的频率。因此,光与射频频率之比为 193.5 THz/32 GHz,约为 6000。在其他所有条件相同的情况下,1550 nm 光通信系统的接收器 SNR 有可能比 Ka 波段系统高 6000 倍。
2017 年 10 月 两台中子发生器的绝对中子发射测量 David J. Thomas 和 Neil J. Roberts 核计量组 化学、医学和环境科学部(CMES) 摘要:为了校准欧洲联合环面 JET 内的裂变室中子监测器和活化系统,采购了两台紧凑型氘氚中子发生器。在部署到 JET 之前,它们被带到 NPL 以测定中子发射。使用精密长计数器进行测量以确定绝对尺度上发射的角度依赖性,并使用活化箔将总发射率推导出 4 立体角。两台发生器总发射率的长计数器值和活化结果平均值之间的一致性在指定的 3% 到 4% 的不确定度范围内。这是基于连接到中子发生器的金刚石监测探测器的每监测计数的排放率,也是总排放率,尽管后者的数量随时间而变化。
K β x 射线发射光谱是分析 3 d 过渡金属系统电子结构及其超快动力学的有力探针。选择性增强特定光谱区域将提高这种灵敏度并提供全新的见解。最近,我们报道了使用 x 射线自由电子激光观察和分析了 Mn 溶液中 K α 放大的自发 x 射线发射以产生 1 s 芯空穴粒子数反转 [Kroll 等人,Phys. Rev. Lett. 120,133203 (2018) ]。要将这种新方法应用于化学上更敏感但更弱的 K β x 射线发射线,需要一种机制来胜过 K α 发射的主导放大。本文报告了使用两种颜色的 x 射线自由电子激光脉冲对 NaMnO 4 溶液中种子放大 K β x 射线发射的观察结果,一种用于产生 1 s 核心空穴粒子数反转,另一种用于种子放大 K β 发射。将观察到的种子放大 K β 发射信号与相同立体角中的传统 K β 发射信号进行比较,我们获得了超过 10 5 的信号增强。我们的发现是增强和控制 K β 光谱选定最终状态的发射的第一步,可应用于化学和材料科学。
理论研究了在纯失相和耗散环境下利用量子点接触(QPC)测量双量子点(DQD)系统的几何相位。结果表明,在这两种环境下,准周期内量子点间的耦合强度对准周期内几何相位的影响增强,这是由于连接两个量子点的隧穿通道宽度的扩大,加速了量子点间电子的振荡,使其演化路径变长。另外,由于系统与QPC间较强的耦合将电子冻结在一个量子点内,演化路径所包围的立体角近似为零,因此几何相位存在一个明显的近零区域,这与量子芝诺效应有关。对于纯失相环境,随着失相率的增加,几何相位被抑制,这仅是由系统的相位阻尼引起的。在耗散环境下,几何相位随着弛豫速率的增大而减小,这是由于体系的能量耗散和相位衰减共同作用的结果,该结果对在量子信息中利用几何相位构建基于量子点体系的容错量子器件具有指导意义。
摘要。深空气候观测站 (DSCOVR) 上的美国国家标准与技术研究所先进辐射计 (NISTAR) 为地球大部分阳光照射面提供连续的全盘全球宽带辐照度测量。三个主动腔式辐射计测量来自地球阳光照射面的短波 (SW;0.2-4 µm)、总 (0.4-100 µm) 和近红外 (NIR;0.7-4 µm) 通道的总辐射能量。1 级 NISTAR 数据集提供滤波辐射度(辐照度与立体角之比)。要确定白天大气顶部 (TOA) 短波和长波辐射通量,NISTAR 测量的短波辐射度必须先未经滤波。使用为典型地球场景计算的光谱辐射数据库,为 NISTAR SW 和 NIR 通道开发了一种未过滤算法。然后,通过考虑地球反射和发射辐射的各向异性特性,将得到的未过滤 NISTAR 辐射转换为全盘白天 SW 和 LW 通量。使用从多个低地球轨道和地球静止卫星确定的场景标识以及使用云和地球辐射能量系统 (CERES) 收集的数据开发的角度分布模型 (ADM) 来确定各向异性因子。来自 NISTAR 的全球年白天平均 SW 通量比来自 CERES 的大约高 6%,并且两者都表现出强烈的昼夜变化,每日最大值和最小值差异高达 20 Wm − 2,具体取决于条件
室外照明标准 § 81-1。标题 § 81-2。定义 § 81-3。一致性 § 81-4。适用性 § 81-5。一般室外照明标准 § 81-6。按类型划分的室外照明标准 § 81-7。禁止照明 § 81-8。特殊用途的附加要求 § 81-9。豁免 § 81-10。计划提交和合规证据 § 81-11。批准的建造或安装/操作材料和方法 § 81-12。违规、法律行动和处罚 § 81-13。信息表 § 81-1。标题本章应称为“室外照明标准”§ 81-2。目的本章的目的和意图是通过最大限度地减少可能影响公民和游客的享受、健康、安全和福利的光污染并降低能源消耗,平衡提供高效实用照明的目标,为冷泉村的居民和企业提供必要的安全、实用和安全,但仍保持村庄的风景和审美特征。这旨在减少眩光问题,最大限度地减少光线侵入公共空间和私人财产,并保护哈德逊高地天空的夜间特征。§81-1。定义本章中使用的下列术语应具有指示的含义:坎德拉 - 一坎德拉是国际单位制 (SI) 中的单位,等于源在给定方向上的发光强度,该源发射频率为 540 × 10 12 Hz 的单色辐射,并且在该方向上的辐射强度为每立体角 1/683 瓦。英尺烛光 - 英尺烛光是照度或光强度的非国际单位制单位。一英尺烛光代表“一英尺外一烛光光源投射到表面的照度”。该单位通常用于使用美国习惯单位的地区的照明布局。全截止 - 水平面上方没有直接向上照明的灯具。
1 简介 光学衍射是物理学中一个成熟的课题。众所周知,存在许多不同复杂程度的理论处理方法,从惠更斯小波方法到麦克斯韦方程的数值解。然而,在几个具有实际重要性和/或理论意义的情况下,衍射的全部影响要么尚未计算到所需的精度,要么尚未测量。此外,虽然衍射通常被认为是光学测量中的一个复杂因素,但衍射对设备尺寸的敏感性提出了衍射是否能在测量中发挥有用和直接作用的问题。衍射在计量学中的潜在利用是一条尚未探索的途径。辐射测量中最重要的测量之一是辐射度的测量。由于需要某种孔径才能进行这种测量以构建立体角,因此必须准确计算衍射效应,以实现最高精度的辐射测量。即使是最复杂的一级标准辐射计也需要衍射校正,该辐射计通过创建伪无限辐射源来最大限度地减少衍射效应。目前,衍射是限制一级和二级标准辐射测量精度的主要不确定性之一。对于辐射计中使用的相对较大的孔径尺寸,经典衍射理论原则上是足够的,尽管需要做工作来实现较低的计算不确定性。另一方面,对于接近几个波长尺寸的非常小的孔径,大多数衍射理论的假设都失效了。特别是色差和偏振效应变得明显,并且很难实现具有有用精度的计算和实验。尽管如此,超小孔径阵列已被考虑用作光谱滤波器。中等尺寸(即100 个波长量级)的孔径衍射在理论上是可处理的,因为小尺度效应可以忽略不计,而远场情况通常可以大大简化方程式,在实验室中是可以实现的。在这种情况下,存在一种有趣的可能性,即从衍射“反向”工作以确定孔径本身的尺寸。作为一种基于光使用的新型尺寸测量技术,这在计量学上很重要。是否具有足够的测量精度值得怀疑这些考虑导致了对衍射中未解决问题的双管齐下的研究:利用衍射测量孔径大小,并开发更精确的辐射测量衍射代码。2 衍射孔径测量 2.1 衍射孔径测量:理论 基于衍射的孔径测量技术利用了众所周知的事实,即远离衍射孔径,衍射图案的光场是孔径平面中光场的傅里叶变换。1 原则上,远处的衍射场(幅度和相位)可以通过快速傅里叶变换代码进行测量和变换,以产生完整的二维孔径函数。然而,在实践中,测量光场的相位会给实验装置带来很大的复杂性。
在 DRAM 器件中制造电荷存储电容器时,高纵横比 (AR) 沟槽对于实现大电容值必不可少。高 AR 沟槽的蚀刻会受到固有 RIE 滞后机制的影响,这是由于深沟槽底部的离子能量和蚀刻物质数量减少所致。本文提出了两种方法来尽量减少这些问题,从而实现更高的硅蚀刻速率和更深的沟槽。本文所述工作中使用的气体混合物为 HBr + NF 3 + O 2 。沟槽蚀刻工艺的设计目的是在蚀刻沟槽时在侧壁上连续沉积一层薄钝化膜。这种氧化物状钝化膜 (SiO x F y Cl z ) 可防止沟槽侧壁在 XY 平面表面被蚀刻时被蚀刻。在蚀刻过程中平衡形成钝化膜对于在高纵横比沟槽蚀刻中实现高度各向异性至关重要。尽管钝化膜形成于包括蚀刻前沿在内的所有表面上,但沟槽底部的膜却不断被入射到该表面上的高能离子去除。然而,侧壁上的膜不受离子轰击(除了那些以掠射角接收离子且能量 > 阈值能量的区域),因此不会被蚀刻,从而防止硅的横向蚀刻。该过程还提高了掩模选择性,因为钝化膜也沉积在掩模表面上,从而降低了其有效蚀刻速率。据悉,蚀刻工艺内置有沉积组件,可在沟槽表面形成氧化物状钝化膜。由于沟槽开口附近的壁暴露在高浓度反应物等离子体中的时间最长,因此此处的沉积物较厚(> 25 nm),并随着深度逐渐变薄至 < 5 nm。沟槽下部沉积物较薄的另一个原因是,从倾斜掩模偏转的一些离子以掠射角到达该区域并使薄膜变薄。顶部沉积物较厚的直接后果是开口收缩,从而减小了这一临界尺寸,这反过来又通过减少进入沟槽孔的离子和中性粒子的数量而增加了 RIE 滞后。因此,可实现的深度减小,电池电容也减小了。显然,通过减薄衬里定期扩大该开口将允许更多蚀刻物质进入沟槽,底部的立体角增加,从而实现更高的硅蚀刻速率。虽然减薄可以在单独的系统中完成,但我们建议在本文中现场执行此步骤。需要定制此原位等离子清洗工艺,以便在此步骤中不会显著蚀刻掩模。这很关键,因为减薄工艺按要求,等离子体中几乎没有或完全没有沉积成分。我们已成功使用硅烷(例如 SiH 4 )和含 F 气体(例如 NF 3 )的混合物以及少量或完全没有氧气来进行此减薄步骤。另一种方法涉及去除钝化层