120 Ω 特性阻抗双绞线电缆必须以相同值的阻抗端接,以尽量减少因阻抗不匹配而产生的反射波。不良端子可能导致信号反射,并且所连接 CAN 节点(CAN 接口、控制设备)的收发器可能无法工作。USB2CAN 没有内部端接。设备必须在端接的 CAN 总线上使用。
EOT 的 <10 GHz 光电探测器包含 PIN 光电二极管,利用光伏效应将光能转换为电流。当端接至示波器上的 50 Ω 时,可以测量激光的脉冲宽度。当端接至频谱分析仪上的 50 Ω 时,可以测量激光的频率响应。
摘要:过渡金属碳化物和氮化物(MXenes)由于其受灵活的组成或表面功能团调控影响的高度可调的电子和光学性质而在光电应用领域引起了广泛关注。先前超快光子研究中使用的 Ti 3 C 2 T x MXenes(-F,-OH,=O封端)通常通过通用的氢氟酸(HF)蚀刻策略合成,这可能导致大量缺陷,从而阻碍 Ti 3 C 2 T x 的光电性能。在本文中,受到通过微密集层剥离法(MILD)蚀刻策略制备的 Ti 3 C 2 T x(-F,-OH,=O,-Cl封端)更高的电导率和载流子迁移率的启发,我们采用液相剥离(LPE)方法进一步优化它,以合成纯 Ti 3 C 2 T x 量子点(QDs)用于超快光子学。与在 1550 nm 下运行的其他 QDs 可饱和吸收体 (SA) 器件相比,我们的 SA 器件表现出相对较低的饱和强度 (1.983 GW/cm − 2 ) 和较高的调制深度 (11.6%),从而更容易产生锁模脉冲。在通信波段获得了以 1566.57 nm 为中心波长、基频为 22.78 MHz 的 466 fs 的突出超短脉冲持续时间。考虑到基于这种 Ti 3 C 2 T x QDs 锥形光纤的 SA 是对 Er 3+ 掺杂光纤激光器 (EDFL) 的首次探索,这项工作将为超快光子学的应用开辟一条新途径。
100% 锡位置:100% 锡是最常见的无铅可焊涂层,不允许用作 Interpoint MIL-PRF-38534 QML 产品(“883”,H 类和 K 类筛选)的组件端接。有关更多详细信息,请参阅 MIL-PRF-38534 段落 E.4.2.7。100% 锡端接组件是允许的,并且可能存在于 Interpoint 非 QML 产品(“ES”或“标准”筛选)中。需要从其产品中排除 100% 锡的客户应订购 QML 产品。
本综述介绍了设计刺激响应、功能性、侧链、端接液晶原基液晶聚合物 (LCP) 方面的最新进展。合成方法(包括受控技术和活性技术)的发展为获得定义明确的液晶聚合物提供了方便。例如,线性液晶嵌段共聚物 (LCBCP)(具有线性、螺旋-螺旋、非液晶嵌段和端接液晶原基液晶嵌段的嵌段共聚物)的合成为获得具有与传统嵌段共聚物类似的形态和性质的聚合物提供了途径。然而,具有分支螺旋-螺旋非液体液晶嵌段和端接液晶原基液晶嵌段的拓扑分支 LCBCP 的合成用于操纵所得聚合物的相行为、形态和取向动力学。此外,支链液晶无规共聚物的合成(其中支链螺旋非液晶单元和端接液晶单元呈统计分布)可产生前所未见的螺旋和弯曲界面,具有新的增强特性。最后,将有机染料分子整合到各种液晶聚合物框架中的合成策略可产生新的光学活性和自适应软材料。在展望部分,讨论了对拓扑多样化的合成和天然衍生的液晶聚合物结构的需求,以及生产功能材料及其应用的加工工具和场导向组件。
量子系统理论 [1,13] 将环境特性描述为相互关联事件的相空间。量子态的纠缠导致特定事件之间的时空协同作用,这可以看作是一种有序形式 [14]。了解“某事”意味着了解“某事”超越什么——这一特征使用相位参数建模。自然而然,一切事物都是其固有环境的一部分,没有什么可以大于其自身环境。监控我们环境中未实现的可能性和机会就是探索其主要部分。尚未发生的事情是已发生的事情的必要补充,重要的是要认识到它有时比已发生的事情更重要。如何理解环境建模及其组成规则的灵感来自长电力线和电报线的波反射理论 [12]。我们可以识别无端终端(无限电阻)、短路终端(零电阻)或具有给定阻抗的终端。物理学解释称,无端端接会产生相位相反的波反射(反射波偏移 180 度)。干扰后会产生驻波。短路端接会导致相位相同的反射(反射波无相移)。如果任何阻抗端接电源线,
• 通用非对称双向 • 集成 110 Ω 标称接收器线路通信终端电阻 • 采用 3.3 V 单个电源供电 • 数据速率大于 125 Mbps SN65LVDT14 将一个 LVDS 线路驱动器 • 流通引脚分布与四个端接 LVDS 线路接收器组合在一个 • LVTTL 兼容逻辑 I/O 封装中。它设计用于基于 LVDS 的记忆棒的记忆棒™ 端 • 总线引脚上的 ESD 保护超过 12 kV 接口扩展。• 达到或超过 ANSI/TIA/EIA-644A LVDS 标准的要求 SN65LVDT41 将四个 LVDS 线路驱动器与一个端接 LVDS 线路接收器组合在一个 • 20 引脚薄型小外形封装中。它设计用于封装 (PW) 的主机端,具有 26 Mil 端子间距,基于 LVDS 的记忆棒接口扩展。(1) 符合 JEDEC 和
• 通用非对称双向 • 集成 110 Ω 标称接收器线路通信终端电阻 • 采用 3.3 V 单个电源供电 • 数据速率大于 125 Mbps SN65LVDT14 将一个 LVDS 线路驱动器 • 流通引脚分布与四个端接 LVDS 线路接收器组合在一个 • LVTTL 兼容逻辑 I/O 封装中。它设计用于基于 LVDS 的记忆棒的记忆棒™ 端 • 总线引脚上的 ESD 保护超过 12 kV 接口扩展。• 达到或超过 ANSI/TIA/EIA-644A LVDS 标准的要求 SN65LVDT41 将四个 LVDS 线路驱动器与一个端接 LVDS 线路接收器组合在一个 • 20 引脚薄型小外形封装中。它设计用于封装 (PW) 的主机端,具有 26 Mil 端子间距,基于 LVDS 的记忆棒接口扩展。(1) 符合 JEDEC 和
QTC11 NTC 精密芯片热敏电阻专为满足当今混合微电子电路中的芯片连接和引线接合要求而设计。QTC11 系列采用金或银端接涂层,用于高可靠性导电环氧树脂/引线接合。它非常适合需要窄带、温度点匹配控制的应用,并且还提供军用级国防后勤局版本。