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航空航天布线系统工具指南
第一个多针连接器通过将导体焊接到不可拆卸触点来端接。然而，高温应用和对简单可靠的现场服务的需求导致了带有可拆卸触点的连接器的引入。这些是压接到导体上而不是焊接的。第一个为压接这些新触点而开发的标准压接工具于 20 世纪 60 年代初推出。MS3191-1 是一张军用图纸，定义了此工具及其附件。MS3191-1 采用四压痕压接模式以及控制压头行程（压接深度）的正向止动定位器。MS3191-1 设计在操作简便性和压接性能之间进行了折衷，因为任何给定触点的压接深度都无法调整，以适应不同直径的导体。但是，它适用于那个时代的压接连接器。很快推出了一种改进的工具设计，具有独立可调的压接深度，即 MS3191-4。MS3191-4 具有内部调节功能，完全独立于定位器，允许选择七个单独的压接深度，无论触点的线筒尺寸如何，都可以对从 AWG 12 到 26 的导体进行最佳压接。
军事手册 - 威廉·J·休斯技术中心
指南 1 - 安全设计标准 - 个人危险 指南 2 - 空间 指南 3 - 可燃性 指南 4 - 绝缘材料 指南 5 - 密封 指南 6 - 轴承 指南 7 - 互换性 指南 8 - 电气过载保护 指南 9 - 工艺 指南 10 - 电连接器 指南 11 - 安装材料、电气 指南 12 - 紧固件硬件 指南 13 - 结构焊接 指南 14 - 变压器、电感器和线圈 指南 15 - 金属、耐腐蚀性 指南 16 - 异种金属 指南 17 - 印刷电路板 指南 18 - 电子零件和材料的降额 指南 19 - 端接 指南 20 - 电气过载保护连接、内部指南 21 - 铸件指南 22 - 零件选择和控制指南 23 - 附件指南 24 - 电阻、电气互连指南 25 - 电源指南 26 - 耐电弧材料指南 27 - 电池指南 28 - 控制器指南 29 - 电子管指南 30 - 半导体设备指南 31 - 防潮袋指南 32 - 测试规定指南 33 - 电阻器指南 34 - 命名指南 35 - 可靠性指南 36 - 可访问性指南 37 - 断路器指南 38 - 石英晶体和振荡器指南 39 - 保险丝和保险丝座指南 40 - 分流器指南41 - 弹簧指南 42 - 调节表盘机构
飞机安装中 EFIS 系统问题的常见原因...
在低湿度条件下普遍存在，当湿度较高时可能会“消失”，这进一步增加了定位这些问题的难度。请注意，发动机装置的电气隔离部件也可能导致类似问题。放电会对 EFIS 电源造成严重影响，从而导致故障。验证和定位问题可能很困难，但这里有一些基本提示：使用一个简单的欧姆表，一端接地，另一端接长导线。识别任何可能隔离的金属或导电部件，并确保接地导电。使用一个简单的长波接收器（AM 收音机）调到任意但安静的频率来监听发动机运转时的放电（这会引起噼啪声）。在严重的情况下，请考虑将音频输出连接到飞机的对讲系统，以便您可以在飞行中收听。放电涉及短时间内非常大的电流。根据您的接线 – 这可能会导致您的 EFIS 电源出现较大的电压尖峰。直接向信号或控制线放电可能会损坏连接的设备。对于与发动机相关的放电，我们发现在夜间拆下发动机罩运行发动机非常有效 – 天黑时放电非常明显。我们发现一种情况是，放电发生在使用隔离橡胶支架安装的散热器周围 – 在其中一个支架周围快速接地带解决了问题。放电能量通过发动机温度传感器进入仪器。
支持信息合成硅量子点...
图 S2(a) 和 S1(b) 分别显示了合成状态和氢化硅化 Si-QDs（样品 1）的 Si 2p 光谱。合成状态的 Si-QDs 在 99.6 和 100.5 eV 处出现峰，分别对应于 Si 2p 1/2 和 Si 2p 3/2 ，这是元素 Si 的特征，还有其他氧化 Si 物质，Si 1+（100.4 eV）、Si 2+（101.9 eV）、Si 3+（102.6 eV）和 Si 4+（103.7 eV）。1, 2。元素 Si 峰的存在证实样品由 Si 制成。宽氧化峰表明氢化物端接的 Si-QDs 在转移过程中与环境氧发生了反应，而 Si-QDs 本质上并不存在这些反应。对于氢化硅化 Si-NC（图 S2(b)），我们发现元素 Si 峰与合成样品类似，还有对应于 Si-C（101.3 eV）和 Si- R/Si(O)R（101.8 和 102.3 eV）3 的峰，而氧化 Si 物质没有产生显著贡献。图 S2(c) 中所示的氢化硅化 Si-QDs 的 C 1s 光谱分别显示存在 C=C（284.5 eV）、CC（285.1 eV）和 C- Si（283.9 eV）4，没有氧化物相关峰，与 Si 2p 元素光谱一致。该结果与 FTIR 观察结果一致，并证实了氢化物封端的 Si-QDs 通过氢化硅化用烷基钝化。
EEE-INST-002
附件 1：GSFC EEE-INST-002 连接器部分 C2 总则部分的附录 1，在第 2 页添加了新的段落 5)、6) 和 7)。5) 禁止使用的连接器。以下连接器禁止用于 1 级和 2 级应用。以下连接器不建议用于 3 级应用。下面的筛选和资格表不适用于被列为禁止使用的连接器。a. CompactPCI® 连接器和 2.0mm 硬公制连接器，以及其他带有扁平分叉“音叉”型母触点的连接器设计（例如 Eurocard、VME）。b. 其他具有两个或更少触点啮合点的连接器触点系统，不使用军用罩“夹紧”机制来支撑母触点啮合叉。c. 带有自适应针“压配”端接至飞行板的连接器。d. MIL-DTL-55302/ 131 至 134 Eurocard 类型 PWB 连接器 e. MIL-DTL-55302/ 157 和 158 VME 类型 PWB 连接器 f. 所有 MIL-C-28754 和 MIL-A-28859 模块化连接器和组件 g. 所有 MIL-DTL-32234 刀片和叉形连接器 h. 所有 DSCC 图纸高密度刀片和叉形连接器 6) 1 级和 2 级航天应用中使用的连接器应采用经批准的高可靠性接触系统，例如 NPSL 批准的系统。示例可能包括带有围绕母接触接合叉的罩式“夹紧”机制的连接器，例如通常与圆形军用插座接触或反向 ge 一起使用的连接器
系统分析关键 DNA 损伤反应因子的分子和生物物理特性
摘要 DNA 双链断裂 (DSB) 的修复对于保持基因组完整性至关重要。因此，定义 DSB 修复的潜在机制将增强我们对这些途径中的缺陷如何导致人类疾病的理解，并可能导致发现新的治疗干预方法。在这里，我们在 U2OS 细胞中建立了一组 HaloTagged DNA 损伤反应因子，这使得荧光 HaloTag 配体能够进行浓度依赖性蛋白质标记。在这些修复因子的内源位点处基因组插入 HaloTag 可保持表达水平，蛋白质保持适当的亚细胞定位、形成病灶的能力并在功能上支持 DSB 修复。我们系统地分析了总细胞蛋白质丰度，测量了激光诱导的 DNA 损伤位点的募集动力学，并通过活细胞单分子成像确定了扩散动力学和染色质结合特性。我们的工作表明，Shieldin 复合物（端接的关键因子）并不存在于预组装状态，并且这些因子在 DSB 处的相对积累具有不同的动力学。此外，活细胞单分子成像揭示了 MDC1 和染色质之间的组成性相互作用，该相互作用由其 PST 重复域介导。总之，我们的研究证明了单分子成像的实用性，可以为 DNA 修复提供机制见解，这将成为表征活细胞中 DNA 修复因子的生物物理特性的强大资源。
使用 CRISPR-Cas9 修饰染色质以增强基因组编辑
摘要 CRISPR 相关 (Cas) 酶通过实现 RNA 引导的基因组编辑彻底改变了生物学。在供体模板存在下进行同源定向修复 (HDR) 目前是 CRISPR-Cas 诱导的双链 DNA 切割后引入精确编辑的最通用方法，但 HDR 效率通常低于导致插入和缺失 (indel) 的末端连接途径。我们测试了使用与 PRDM9 融合的 Cas9 构建体可以增加 HDR 的假设，PRDM9 是一种染色质重塑因子，可沉积组蛋白甲基化 H3K4me3 和 H3K36me3，经证实可介导人类细胞中的同源重组。我们的结果表明，融合蛋白特异性地在 DNA 中的 Cas9 切割位点接触染色质，使观察到的 HDR 效率加倍，并将 HDR：indel 比率提高 3 倍，与单独使用 Cas9 诱导的相比。HDR 增强发生在多种细胞系中，脱靶基因组编辑没有增加。这些发现强调了染色质结构对于 CRISPR-Cas 基因组编辑过程中 DNA 修复途径选择的重要性，并提供了一种提高 HDR 效率的新策略。意义声明 CRISPR-Cas 介导的同源定向修复 (HDR) 可为各种研究和临床应用提供精确的基因组编辑，但由于竞争性端接途径，HDR 效率通常较低。在这里，我们描述了一种通过设计 CRISPR-Cas9-甲基转移酶融合蛋白来影响 DNA 修复途径选择并提高 HDR 效率的简单策略。该策略强调了组蛋白修饰对 CRISPR-Cas 诱导的双链断裂后 DNA 修复的影响，并增加了 CRISPR 基因组编辑工具箱。
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项目 1 的反射系数（10 dB 衰减器）项目 1 的传输系数（10 dB 衰减器）项目 2 的反射系数（40 dB 衰减器）项目 2 的传输系数（40 dB 衰减器）项目 3 的反射系数（50 ohm 架空线）项目 3 的传输系数（50 ohm 架空线）项目 4 的反射系数（50 ohm 架空线反向）项目 4 的传输系数（50 ohm 架空线反向）项目 5 的反射系数（25 ohm 架空线）项目 5 的传输系数（25 ohm 架空线）项目 6 的反射系数（25 ohm 架空线反向）项目 6 的传输系数（25 ohm 架空线反向）项目 7 的反射系数（短路）项目 8 的反射系数（端接）与传输不确定度的比较第 1 项在 2 GHz 时的系数。在 10 GHz 时重复。在 18 GHz 时重复。与第 2 项在 2 GHz 时的传输系数的不确定性进行比较。在 10 GHz 时重复。在 18 GHz 时重复。与第 3 项在 2 GHz 时的反射系数的不确定性进行比较。在 10 GHz 时重复。在 18 GHz 时重复。与第 3 项在 2 GHz 时的传输系数的不确定性进行比较。在 10 GHz 时重复。在 18 GHz 时重复。与第 5 项在 2 GHz 时的反射系数的不确定性进行比较。在 10 GHz 时重复。在 18 GHz 时重复。与第 5 项在 2 GHz 时的传输系数的不确定性进行比较。在 10 GHz 时重复。在 18 GHz 时重复。与第 7 项在 2 GHz 时的反射系数的不确定性进行比较。在 10 GHz 时重复。在 18 GHz 时重复。与第 8 项反射系数在 2 GHz 时的不确定度进行比较。在 10 GHz 时重复。在 18 GHz 时重复。l
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项目 1 的反射系数（10 dB 衰减器）项目 1 的传输系数（10 dB 衰减器）项目 2 的反射系数（40 dB 衰减器）项目 2 的传输系数（40 dB 衰减器）项目 3 的反射系数（50 ohm 架空线）项目 3 的传输系数（50 ohm 架空线）项目 4 的反射系数（50 ohm 架空线反向）项目 4 的传输系数（50 ohm 架空线反向）项目 5 的反射系数（25 ohm 架空线）项目 5 的传输系数（25 ohm 架空线）项目 6 的反射系数（25 ohm 架空线反向）项目 6 的传输系数（25 ohm 架空线反向）项目 7 的反射系数（短路）项目 8 的反射系数（端接）与传输不确定度的比较第 1 项在 2 GHz 时的系数。在 10 GHz 时重复。在 18 GHz 时重复。与第 2 项在 2 GHz 时的传输系数的不确定性进行比较。在 10 GHz 时重复。在 18 GHz 时重复。与第 3 项在 2 GHz 时的反射系数的不确定性进行比较。在 10 GHz 时重复。在 18 GHz 时重复。与第 3 项在 2 GHz 时的传输系数的不确定性进行比较。在 10 GHz 时重复。在 18 GHz 时重复。与第 5 项在 2 GHz 时的反射系数的不确定性进行比较。在 10 GHz 时重复。在 18 GHz 时重复。与第 5 项在 2 GHz 时的传输系数的不确定性进行比较。在 10 GHz 时重复。在 18 GHz 时重复。与第 7 项在 2 GHz 时的反射系数的不确定性进行比较。在 10 GHz 时重复。在 18 GHz 时重复。与第 8 项反射系数在 2 GHz 时的不确定度进行比较。在 10 GHz 时重复。在 18 GHz 时重复。l
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项目 1 的反射系数（10 dB 衰减器）项目 1 的传输系数（10 dB 衰减器）项目 2 的反射系数（40 dB 衰减器）项目 2 的传输系数（40 dB 衰减器）项目 3 的反射系数（50 ohm 架空线）项目 3 的传输系数（50 ohm 架空线）项目 4 的反射系数（50 ohm 架空线反向）项目 4 的传输系数（50 ohm 架空线反向）项目 5 的反射系数（25 ohm 架空线）项目 5 的传输系数（25 ohm 架空线）项目 6 的反射系数（25 ohm 架空线反向）项目 6 的传输系数（25 ohm 架空线反向）项目 7 的反射系数（短路）项目 8 的反射系数（端接）与传输不确定度的比较第 1 项在 2 GHz 时的系数。在 10 GHz 时重复。在 18 GHz 时重复。与第 2 项在 2 GHz 时的传输系数的不确定性进行比较。在 10 GHz 时重复。在 18 GHz 时重复。与第 3 项在 2 GHz 时的反射系数的不确定性进行比较。在 10 GHz 时重复。在 18 GHz 时重复。与第 3 项在 2 GHz 时的传输系数的不确定性进行比较。在 10 GHz 时重复。在 18 GHz 时重复。与第 5 项在 2 GHz 时的反射系数的不确定性进行比较。在 10 GHz 时重复。在 18 GHz 时重复。与第 5 项在 2 GHz 时的传输系数的不确定性进行比较。在 10 GHz 时重复。在 18 GHz 时重复。与第 7 项在 2 GHz 时的反射系数的不确定性进行比较。在 10 GHz 时重复。在 18 GHz 时重复。与第 8 项反射系数在 2 GHz 时的不确定度进行比较。在 10 GHz 时重复。在 18 GHz 时重复。l