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低活化能电子转移动力学控制的表面氧化还原 DNA 电化学响应
有趣的是，在用荧光团末端标记锚定寡核苷酸并使用表面诱导荧光猝灭来监测 DNA 链运动的实验中，系统地观察到了预期 ms 范围内的链动力学。27,28 荧光猝灭和电化学实验都要求 DNA 链的末端标记在（亚）纳米距离内接近锚定表面，尽管在荧光中没有发生电子转移。这表明通过电化学测得的慢速率常数反映了电子转移步骤而不是链动力学的动力学控制。本研究旨在通过以下方式解决这个问题：（i）组装模型端接氧化还原寡核苷酸系统，（ii）用快速扫描速率循环伏安法表征其电化学响应，和（iii）基于真实的 DNA 分子动力学模型解释结果。这些模拟以前在计算上是无法实现的或定量不够的，但随着粗粒度序列依赖性 DNA 模型（如 oxDNA）的细化，这些模拟成为可能。29 对于目前的工作，我们开发了专用于电化学应用的代码（Qbiol），能够及时以数字方式重现和解析锚定 DNA 的完整动力学。我们的证据表明，单链和双链氧化还原寡核苷酸的电化学响应实际上都是由电极上的电子转移动力学控制的，符合马库斯理论 30-32 但是由于氧化还原标签附着在柔性 DNA 链和电极上，重组能大大降低。重组能的降低极大地改变了氧化还原 DNA 链的电化学响应，这种改变可能被误认为是扩散或弹性弯曲控制。此外，ssDNA 和 dsDNA 的重组能明显不同，这在很大程度上导致了
无标题 - NPL 出版物
项目 1 的反射系数（10 dB 衰减器）项目 1 的传输系数（10 dB 衰减器）项目 2 的反射系数（40 dB 衰减器）项目 2 的传输系数（40 dB 衰减器）项目 3 的反射系数（50 ohm 架空线）项目 3 的传输系数（50 ohm 架空线）项目 4 的反射系数（50 ohm 架空线反向）项目 4 的传输系数（50 ohm 架空线反向）项目 5 的反射系数（25 ohm 架空线）项目 5 的传输系数（25 ohm 架空线）项目 6 的反射系数（25 ohm 架空线反向）项目 6 的传输系数（25 ohm 架空线反向）项目 7 的反射系数（短路）项目 8 的反射系数（端接）与传输不确定度的比较第 1 项在 2 GHz 时的系数。在 10 GHz 时重复。在 18 GHz 时重复。与第 2 项在 2 GHz 时的传输系数的不确定性进行比较。在 10 GHz 时重复。在 18 GHz 时重复。与第 3 项在 2 GHz 时的反射系数的不确定性进行比较。在 10 GHz 时重复。在 18 GHz 时重复。与第 3 项在 2 GHz 时的传输系数的不确定性进行比较。在 10 GHz 时重复。在 18 GHz 时重复。与第 5 项在 2 GHz 时的反射系数的不确定性进行比较。在 10 GHz 时重复。在 18 GHz 时重复。与第 5 项在 2 GHz 时的传输系数的不确定性进行比较。在 10 GHz 时重复。在 18 GHz 时重复。与第 7 项在 2 GHz 时的反射系数的不确定性进行比较。在 10 GHz 时重复。在 18 GHz 时重复。与第 8 项反射系数在 2 GHz 时的不确定度进行比较。在 10 GHz 时重复。在 18 GHz 时重复。l
电信描述性问题
电信描述性问题 1) 详细解释 OFC 传输原理及其在铁路中的应用。2) 解释并描述以下光纤电缆中的折射率分布 a) 多模阶跃折射率电缆 b) 渐变折射率光纤 3) 详细解释以下内容。a)E & M 信令 b) 公共信道信令 c) 环路信令 d) DTMF 信令 4) 解释并绘制 DTMF 控制室设备的框图。5) 解释 ISDN 交换机提供的服务。6) 根据电信手册解释 JE/Tele 的职责。7) 简要解释 CCTV、POET、触摸屏作为乘客便利设备。8) 列出 ART/BD 特别维护的电信项目及其维护周期？9) 四线电缆故障有哪些，整改方法是什么？10) 画出 OFC 控制系统的路侧站端接示意图，并说明其工作原理？11) 什么是 BORSCHT？解释其在电子交换中的作用？12) 写简短的笔记（回答任意 3 个）a) 铁路网 b) 调制解调器 c) 无线电补丁 d) SMPS e) 电涌保护装置 13) 当事故发生在地下电缆区域时，事故现场的安排是什么？14) 画出中间部分无线电补丁布置的简洁草图，并说明其工作原理 15) 写简短的笔记（回答任意 3 个）a) PRS b) 火车站的乘客设施 c) NTES/DTES d) COIS &FOIS 16) 用简洁的草图解释紧急控制电话的工作原理？17) 写出下列（任意五项）的完整扩展 a)RDSO b)POET c)ADSL d)HOER e)OTDR f)CLIP g)DAR 18) 列出印度铁路光纤通信系统的优势 19) 从电信方面来看，为提供 PA 系统，V.VIP 功能需要哪些基本安排？用简洁的图表解释。20) 电缆故障有哪些不同类型及其可能的原因，解释定期测试的细节，包括所需的工具、测试推荐参数的方法等。针对每个测试。
推动可靠性的 PCB 质量指标 (PD 18)
1.1-10C 测试试样和图稿生成任务组 2.3-11 层压预浸料材料小组委员会 3.3-11G 金属表面腐蚀任务组 4.3-12D 玻璃纤维增强材料任务组 5.3-12E 基础材料圆桌会议任务组 6.4-14 电镀工艺小组委员会 7.4-33 无卤素材料小组委员会 8.5-21F 球栅阵列任务组 9.5-21H 底部端接元件 (BTC) 任务组 10.5-21M 冷连接压接任务组 11。5-22A J-STD-001 任务组 12。5-22A-SKELETON J-STD-001 X 射线要求 13。5-22ARR J-STD-001 保形涂层材料和应用行业评估 14。5-22AS J-STD-001 空间电子组件任务组 15。5-24B 焊膏任务组 16。5-32A 离子色谱离子电导率任务组 17。5-32B SIR 和电化学迁移任务组 18。5-32E 导电阳极丝 (CAF) 任务组 19。6-10C 镀通孔可靠性加速测试方法 20。7-12 微切片小组委员会 21。7-23 装配工艺影响手册小组委员会 22。7-24 印刷电路板工艺影响手册小组委员会 23。7-24A 印刷电路板工艺影响手册任务组 24。7-31FS IPC WHMA-A-620 空间电子组件附录任务组 25。7-32C 电气连续性测试任务组 26。6-10D SMT附件可靠性测试方法 TG 27。D-55A 嵌入式电路指南任务组 28。B-11 3-D 电子封装小组委员会 29。D-13 柔性电路基材小组委员会 30。D-22 高速高频板性能小组委员会 31。D-24C 高频测试方法任务组频域方法 32。D-31B IPC-2221 2222 任务组 33。D-32 热应力测试方法小组委员会 34。D-33A 刚性印刷电路板。性能规范 TG 35。D-33AS IPC-6012 航空航天附录任务组 36。D-35 印刷电路板存储和处理小组委员会 37。D-55 嵌入式设备流程实施小组委员会 38。D-55-AT IPC-6017A A 团队 39。V-TSL-MVIA-CHEMPR-AT 化学工艺和冶金 A 团队 40。V-TSL-MVIA-SIMMOD-AT 模拟和建模 A 团队
电气与电子工程师协会
附件 1：GSFC EEE-INST-002 连接器第 C2 节总则部分的附录 1，在第 2 页增加了新的段落 5)、6) 和 7)。5) 禁止使用的连接器。下列连接器禁止用于 1 级和 2 级应用。下列连接器不建议用于 3 级应用。下面的筛选和资格表不适用于被列为禁止使用的连接器。a. CompactPCI® 连接器和 2.0mm 硬公制连接器，以及其他带有扁平分叉“音叉”型母触点的连接器设计（如 Eurocard、VME）。b. 其他具有两个或更少触点啮合点的连接器触点系统，不使用军用罩“夹紧”机制来支撑母触点啮合叉。c. 带有自适应针“压配”端接至飞行板的连接器。d. MIL-DTL-55302/ 131 至 134 Eurocard 型 PWB 连接器 e. MIL-DTL-55302/ 157 和 158 VME 型 PWB 连接器 f. 所有 MIL-C-28754 和 MIL-A-28859 模块化连接器和组件 g. 所有 MIL-DTL-32234 刀片和叉形连接器 h. 所有 DSCC 图纸高密度刀片和叉形连接器 6) 在 1 级和 2 级航天应用中使用的连接器应采用经批准的高可靠性接触系统，例如 NPSL 批准的系统。示例包括带有围绕母接触件啮合叉的罩式“夹紧”机制的连接器，例如通常用于圆形军用插座接触件的连接器或用于微型 (Micro-D) 型连接器的反性别“凸出线扭”针。在 3 级应用中使用的连接器也应采用与 1 级和 2 级批准的类似的接触系统。其他接触系统在使用前应与项目零件工程师和零件控制委员会一起审查。7) 当需要将 CompactPCI® 架构用于飞行应用时，应从 GSFC QPLD 上指定的供应源采购符合 NASA GSFC S-311-P-822 规范的连接器。连接器第 C2 节，表 1A，注释，添加新注释 1.5。1.5 本表中列出的军事或 NASA 规范并不意味着该详细图纸或规范的所有变体均可用于飞行应用。本表的要求不适用于禁止使用的连接器。有关连接器，请参阅常规部分，注释 5)。连接器第 C2 节，表 1B，注释，添加新注释 1.3。1.3 本表中列出的军事或 NASA 规范并不意味着该详细图纸或规范的所有变体均可用于飞行应用。本表的要求不适用于禁止接触。请参阅连接器的“一般”部分，注释 5）。发起人：Terry King，QSS Group，2008 年 4 月 7 日 批准：Kusum Sahu，Code 562，2008 年 4 月 7 日
Minimax fmz 4100 用户手册 pdf
IFAM GmbH 是一家专门将微电子技术应用于安全技术的工程办公室，位于德国埃尔福特 Parsevalstraße 2, D-99092。联系信息包括电话 +49 – 361 – 65911 -0 和电子邮件 ifam@ifam-erfurt.de，网站为 www.ifam-erfurt.de。该公司提供 IMT4CPU 模块，其中包括 TTL 输入、串行接口 (RS422、RS485)、USB 接口和 LED 输出等功能。技术规格包括最大工作电压为 30V DC，最大电流消耗为 60/30 mA（12/24 V DC），具有 2 个串行 IF 模块、1 个 RS485 模块、1 个 USB 模块、1 个 LED-IF 模块和最多 128 个 I/O 接口。IMT4CPU 还可用于控制最多 2000 个 LED，可通过 IMT4PROC 接口连接进行编程。它具有 4 个 TTL 输入和最多 48 个继电器输出，用于控制外部设备。Minimax FMZ4100 火灾探测控制面板中的微处理器控制分析单元可有效监控大面积区域并从每个探测器传输数字信息，从而实现单个警报识别并将小区域分组为一个探测器组。火灾探测控制面板 FMZ 4100 具有内置自动中断控制，可快速响应警报信号而不会延迟。面板本身由看门狗定时器监控，每次数据通过其循环运行程序时，看门狗定时器都会重新启动，以防止触发脉冲故障时出现故障。如果发生干扰，只有一个插件单元会因并行操作而无法运行，并且可以在不中断操作的情况下更换有缺陷的组件。FMZ 4100 包含早期 Minimax 设备的基本功能，并符合现代安全系统要求，具有探测器识别、大型 LC 显示屏、报告打印机、状态和干预系统以及与建筑管理系统的接口。这可以快速评估警报以采取预防措施。该面板配备了广泛的分析软件，可区分报警信号和杂散信号，指导用户完成操作阶段，以最大限度地减少错误操作或压力影响的异常行为。FMZ 4100 符合最高安全要求，遵守有效的准则、规范和法规，如 VDE 和 EN 54，并获得德国财产保险协会的批准。面板的模块化设计允许扩展，在其最小的基本设计 (GAB 32) 中可以容纳 2 x 32 个火灾报警组和 32 个主要控制组。通过添加额外的插入式区域模块，FMZ 4100 火灾报警系统可以扩展到最多 3072 个组。主系统控制这些模块，而它们作为从属单元独立运行。该系统可以与最多 8 个立式机柜组合以实现这一总容量。FMZ 4100-GAB 32 型号具有 32 个自动和接触式火灾报警区域，以及用于电气监控和功能报警设备的主控制组。15U 壁挂式机柜提供 128 个自动和接触式火灾报警区以及主控制组。直立式机柜提供线路端接卡，以将每个组连接到线路卡。使用一张线路卡，可以为自动火灾报警、接触式火灾报警和主控制组提供、评估和监控四个报警组。系统将数字化报警信号记录在火灾控制面板中，然后将其与非易失性存储器中的编程值进行比较。如果结果为阴性，则产生报警信号或干扰信号。冗余报警电路确保即使控制系统因干扰或故障而发生故障也能持续运行。此外，探测器识别系统 (ZID-V) 使用微控制器和二次网络数据请求提供有关探测器位置和类型的实时信息。分析软件检查探测器信号的准确性，对其进行评估，并通过 FIFO 电路将结果异步传输到分析单元，结果显示在 8 x 40 字母数字 LC 显示屏上。ZID-V 系统与报告打印机等其他组件相辅相成，形成一个综合信息系统，可快速引入和部署。灭火系统依靠果断和适当的措施才能正常运作。“灭火控制”组件用于管理单区或多区灭火系统，独立于连接到火灾探测控制面板的其他系统运行。每个灭火区都由一个独立运作的灭火控制卡控制，该卡监控和控制探测器、释放装置和报警系统等重要组件。在发生警报时，灭火控制系统会记录探测器信号，发出火灾警报，并激活预编程的控制功能以启动灭火系统。火灾探测控制面板 FMZ 4100 可使用特殊配置程序针对不同应用进行编程，该程序将输入的特性转换为微控制器可理解的“语言”。这提供了最大的灵活性，尤其是在扩展现有系统时。通过现代下拉菜单技术和易于理解的输入说明，编程变得简单。火灾探测控制面板 FMZ 4100 还可以配备免费的可编程继电器，以便进一步组织警报，例如断开空调、中断制造过程、打开排烟挡板等。使用 Minimax 配置程序为每个特定系统确定继电器的操作和逻辑组合。标准功能包括由警报、预报警、干扰触发的操作，以及火灾探测器组的断开。火灾探测控制面板 FMZ 4100 具有标准串行接口，用于连接外部设备（如报警和图形报告系统或打印机），从而实现与上级管理系统的通信。火灾探测控制面板 FMZ 4100 可以通过串行接口与其他面板通信，为中继器面板中的 LED 控制提供 768 个可编程输出。它还具有串行接口，用于将数据传输到台式打印机等设备。该面板提供额外的接口，用于连接消防队控制面板和公共主报警系统，从而能够自动将报警信号传输到消防部门等外部服务。FMZ 4100 旨在适应特殊应用，例如用于木工或喷漆等行业的火花熄灭系统，以及计算中心设备保护。这些定制系统可以集成，而无需额外的分析电子设备，从而确保无缝运行，并具有可调节灭火时间和监测灭火剂供应等功能。气体探测器是一种模块化组件，可轻松集成到 FMZ 4100 中。该自主子系统持续监测气体浓度，当浓度超过预设限值时触发外部设备激活。所有测量数据都记录在 FMZ 4100 中，即使经过长时间后也可以进行事件追踪。控制面板的方案包括消防队操作面板、报告打印机和以 FMZ 4100 为核心的建筑集成。FMZ 4100 火灾探测控制面板多区域 CO2 灭火控制系统，用于喷漆厂和消防队钥匙箱，用于防火。FMZ 4100 面板采用多区域系统，具有自动释放、EMI 保护和光学/声学警报。它还包括用于探测器组的现场端接卡和主 CPU 外围设备评估和控制。附加功能包括： - 自动探测器 - 气体探测 - 浓度显示和操作面板 - 灭火系统，如大水灭火、泡沫/粉末灭火、火花灭火、预作用喷水灭火系统和氩气灭火系统 - Minimax 探测器收集 - 机械关闭排烟口解锁 - 带评估和控制系统的数字系统监控。 - 静态电流监控 - 自动和接触式探测器的探测器识别系统。 - EMI 保护 用于消防的气体探测系统 • 电源：15 V、12 V、5 V、24 V DC • 电池类型：免维护密封电池 (2 x 12 V)、耐深度放电、容量范围特定 • 应用：30 W/60 VA、1.5 A、250 V • 温度范围：-5°C 至 +40°C • 操作区域：干燥区域，限制进入 (G 29013) • 具体数据：+ 串行接口：RS 232C + 控制继电器数量：全套 + 外壳类型：壁挂式，32/32/321（2 x 80U 旋转框架），RAL 7032，灰色，结构化 + 直立机柜：31U、40U 和 128U（RAL 7032、灰色、结构化）• 尺寸：+ 525 x 709 x 275 毫米（32/96/961）+ 800 x 1600 x 500 毫米（128/128/1281）+ 800 x 2060 x 600 毫米（40U）• IP 等级：42、54 • 完整设备重量（不含电池）：分别约 48 千克、135 千克和 160 千克 • 颜色：灰色 Minimax GmbH & Co. KG，位于德国巴特奥尔德斯洛 Industriestrasse 10/12，可致电 +49 45 31 8 03-0 或传真 +49 45 31 8 03-2 联系。电子邮件查询可发送至 [email protected]，网站访问者可在 www.minimax.de 上获取更多信息。该公司持有 VdS 认证，符合 ISO 9001 F 15e/2.96/2/01.05/HMB 2 标准，编号为 S 89 201 1。该文本在德国印刷，概述了以下详细信息：四组自动探测器、七组接触探测器、四个主要控制组和八个用于非监控组的免费可编程继电器。
CEN技术电池充电器说错了
这是CEN-Tech 63423自动电池充电器的安全手册。警告符号表示潜在的人身伤害危害，因此请遵守所有安全信息以避免受伤或死亡。有四种类型的危险情况：一种可能导致死亡或严重伤害，另一种可能导致轻微伤害或中度受伤，以及有关眼部受伤和火灾风险的两个警告。为了最大程度地降低风险，使用前阅读手册，佩戴ANSI批准的防溅镜，然后遵循连接程序。手册还警告不要使用制造商不建议的附件，这可能会对人造成火灾，电击或伤害的风险。此外，它建议不要使用不正确的延伸线，因为它们可能会导致火灾和电击。如果必须使用延长线，请确保其处于良好的电气状态，并具有与充电器插头相同的数字，大小和形状引脚。该手册还提供了基于充电器的AC Ampere额定值来确定扩展线的最小AWG尺寸的准则。它强调了不使用损坏的绳索或插头操作充电器的重要性，而不是拆卸它，因为这可能会导致电击或火灾的风险。此外，它警告说，由于在正常电池运行过程中产生的爆炸性气体，在铅酸电池附近工作是危险的。要降低这种风险，请遵循电池附近使用的设备手册和制造商提供的说明。如果与皮肤或衣服上的酸接触，请立即用肥皂和水洗涤。满：收费。要安全使用铅酸电池，必须采取个人预防措施，例如在紧急情况下附近有某人，佩戴防护装备，例如完整的眼睛和衣服，并避免在电池附近触摸眼睛或火花。如果酸进入眼睛，请至少淹没冷水至少10分钟，并寻求医疗护理。切勿在电池或发动机附近吸烟或在电池附近散发火花，因为这可能会导致爆炸或短路。在电池附近处理金属工具时要谨慎，以避免产生可能导致爆炸的其他电动零件。使用铅酸电池时，请删除诸如环和手表之类的个人金属物品。仅使用专门为铅酸电池充电的充电器，因为它们不适用于启动运动应用以外的低压系统。切勿给冷冻电池充电，因为它会造成伤害或损坏。充电前，请确保该区域通风良好，并从车辆中卸下任何附件以防止弧线。充电时，请始终遵循制造商的说明并采取必要的预防措施，例如在每个细胞中添加蒸馏水，直到酸水平达到指定的量为止。不要过度填充，并仔细遵守制造商的指南，以进行收费和建议的程序。在车辆电池上使用电池充电器时，首先检查其具有负面或阳性的地面类型。如果是否定的，请将红色夹子连接到电池上的正（未接地）柱，避免化油器，燃油管线和金属身体部位。如果是正面的，则将黑色夹子连接到电池上的负（未接地）柱。始终关闭开关，拔下AC线，并在断开连接时从端子上卸下充电器夹。如果电池在车辆外面并采取预防措施以避免可能引起爆炸的火花，请执行以下步骤。对于海洋电池，请使用合适的设备在岸上充电；在船上充电需要专门的设备。使用电池时戴防护装备，例如安全护目镜和手套，因为酸会导致永久失明。不要将起始设置用于为电池充电，而仅用于启动。在检查或清洁电池之前，请先将充电器伸出儿童的触手可及，并拔下插头。仅在铅酸电池上使用此充电器；对于无维护的，请使用充电仪监视其充电进度，以避免过度充电。不要试图给电池充电或有缺陷的电池充电，也不要尝试一次充电一次。让您的充电器由合格的专业人员提供服务，以确保其安全性保持完整。在疲倦或在可能损害您注意力的物质的影响下切勿使用充电器，因为这可能会导致严重的人身伤害。移动充电器之前，断开电源和电池连接，然后冷却。患有起搏器的人由于潜在的电磁干扰风险而在使用充电器之前应咨询其医生，并遵循诸如避免独奏操作之类的其他预防措施。数字显示：xx.xx V：电压。1。必须采取重要的安全预防措施，以避免电击。这包括正确地接地电源线并使用接地故障电路关键器（GFCI）。也必须了解常识和谨慎是必不可少的，即使它们不能内置在该产品中。接地和交流电源线连接指令强调将充电器安全连接到插座的重要性。不应以任何方式更改或篡改充电器，因为这可能导致电击风险。电池充电器的关键规格包括电气等级（120 V AC / 60 Hz / 10 A）和电荷设置（2 A 40 A Boost）。此外，在设置或使用产品之前，必须阅读重要的安全信息。组装说明需要仔细的步骤，例如在组装或进行任何调整之前完全冷却充电器。必须根据提供的图表正确连接幻灯轮轴承，车轴和轮毂板等重要组件。操作说明强调使用之前需要阅读整个安全信息部分。这包括防止严重伤害的预防措施，确保正确组装了充电器，直到指示这样做之前才插入。密钥控件功能功能功能包括选择不同的充电模式（6V/12V 2A-慢电荷，12V 10A-快速充电）和发动机启动功能，带有用于重新调节的LED指示器，电缆反向，维护，电压显示，安培显示屏和状态显示。显示选择：循环浏览电压，当前和状态显示。处理-1 2。铅酸电池充电器/起动器指令在电池充电时会显示。xx.xx a：安培。牧师：电缆相反。Charg：充电。XX S：冷却倒数。desul：否定。侦察：修复。坏：电池不良。仅在洪水酸酸电池上使用此充电器/起动器。其他电池可能会损坏，也可能过热，泄漏或着火。在指示这样做之前，请勿插入充电器/起动器。防止严重伤害：每当连接，断开连接或在电池附近连接时，穿ANSI批准的防溅镜和重型橡胶工作手套。电池酸会导致永久失明。，如果需要，将电池从车辆充电中卸下，请始终先从电池上卸下接地端子。确保车辆中的所有配件都关闭，以免引起弧线。在电池充电时，请确保电池周围的区域通风良好。干净的电池端子。请小心以防止腐蚀与眼睛接触。在每个电池中添加蒸馏水，直到电池酸达到电池制造商指定的水平。不要过度填充。对于没有可移动的电池盖的电池，例如阀门调节的铅酸电池，请仔细遵循制造商的充电说明。在充电和建议的充电速度时研究所有电池制造商的具体预防措施。通过参考车主手册来确定电池电压，并确保与电池充电器/启动器的输出额定值匹配。如果充电器/启动器的充电率可调节，则最初以最低速率充电电池。必须拆除海军陆战队（船）电池并在岸上充电。要在船上充电，需要专门设计用于海洋的设备。带有比重计的电池：不要依赖于比重计的眼睛来确定电池电量水平。充电器/入门位置：在DC电缆允许的情况下，将充电器/起动器定位到远离电池。切勿将充电器/起动器直接放在电池上方。电池中的气体会腐蚀和损坏充电器/起动器。在阅读电解质特异性重力或充满电池时，切勿让电池酸滴在充电器/起动器上。请勿在封闭区域内操作充电器/起动器，也不要以任何方式限制通风。不要在充电器/入门器的顶部设置电池。表B：充电率/时间电池尺寸/等级12V充电率充电时间（基于电池以50％充电）小电池（摩托车，花园拖拉机等）6-12 AH 3-6小时不要将这些费率用于小电池。Cars / Trucks 200-315 CCA 40-60 RC 13 - 20 hr 2-1/2 - 4 hr 1/2 - 3/4 hr 315-550 CCA 60-85 RC 20 - 35 hr 4 - 7 hr 3/4 - 2 hr 550-875 CCA 85-125 RC 35 - 55 hr 7 - 11 hr 2 - 3 hr Use to jump start only.充电应以最低的速度进行冷电池，并在达到正常温度时增加。不要为冷冻电池充电。拔下充电器/启动器和位置AC和DC电缆，以减少引擎盖或活动部件的损坏。远离风扇叶片和其他可能造成伤害的部位。确定哪个职位接地到底盘。风扇-1 14。检查电池柱的极性：正（POS）的直径通常大于负（NEG）。对于大多数车辆，将正（红色）夹连接到未接地的正柱，将负（黑色）夹连接到车辆的底盘或发动机块，远离电池。请勿连接到化油器，燃油管线或钣金身体部位。将充电器/入门插入接地的120V容器中，然后打开电源开关，直到所需的功能亮起。请参阅表B。尝试启动车辆发动机时，请始终按相反顺序遵循该过程，并断开第一个连接，同时使其远离电池。使用后，将充电器/起动器清洁并存放在儿童范围内的室内。至关重要的是避免在电池附近发生火花，因为这可能会导致电池爆炸。为了最大程度地降低风险，在连接或断开电池连接时戴上ANSI批准的安全护目镜和重型橡胶手套。一些带有机载计算机的车辆可能会因高电流启动输出而损坏。在继续之前，请仔细阅读车辆服务手册。此外，切勿使用启动设置为电池充电；相反，仅用于跳跃目的。如有必要，在极度寒冷的天气或电池严重用尽时，在10A时为电池充电约五分钟。确保发动机启动充电率与车辆的电池规格相匹配。应急启动器功能理想情况下应至少提供所需的电池CCA额定值的50％。对于正面的车辆，请相反。以降低移动发动机零件，风扇叶片，皮带，皮带轮或其他组件损坏的风险的方式将AC和DC电缆定位。确定哪个电池柱接地到底盘。如果是负数，请继续进行负面的车辆；否则，请遵循正面的车辆的程序。将充电器/入门夹连接到电池上相应的未接地柱，并将其牢固地连接到框架的重型金属部分或远离电池的发动机块。用于负地面车辆：将正（红色）夹连接到正柱，将负（黑色）夹连接到车辆的底盘或发动机块。将充电器/启动器插入接地的120V插座，打开电源开关，选择12V 200A启动功能，然后按开始/停止按钮启动该过程。如果发动机未能启动，请在尝试重新开始之前，在10A中为电池充电五分钟。成功的发动机启动后，停止功能，关闭电源开关，拔下电源线，从车辆的底盘和电池端子上卸下夹子，然后清洁充电器/启动设备。使用充电器/起动器之前，请检查其状况并检查可能影响其安全操作的任何损坏或缺陷。每次使用后，用干净的布擦拭外表面。如果供应线损坏，则必须仅由合格的技术人员代替。不要自行开放房屋。所有维修和更换应仅由认证的技术人员进行。手柄封面-1 3。请仔细阅读以下内容：制造商不建议您维修或更换本产品的任何部分。您对自己的维修或零件更换期间造成的任何损害承担所有风险和责任。变压器-1 4。螺母-7 5。电缆存储钉-2 6。主要住房-1 7。电源电缆-1 8。内部控制面板-1 9。敲击螺钉-6 10。固定板-4 11。外部控制面板-1 12。螺母-9 13。右外壳-1 15。支架-2 16。黑色负电缆-1 17。红色正线-1 18。电源开关-1 19。HEX Bolt，Spring Washer＆Washer Set -4 Harbor Freight Tools Co.保证此产品从购买之日起90天，以抵抗材料和工艺缺陷。 此保修不适用于滥用，滥用，疏忽或事故造成的损害。 请注意，某些州可能不允许排除或限制偶然或结果损失。 适销性和健身。 要利用此保修，请以预付的运输费用返回产品或部分，并提供购买日期和问题的描述。 如果我们的检查确认了缺陷，请酌情修复或更换它，或退还购买价格，如果我们不能快速提供更换。 我们将支付返回维修产品的成本。 此保修授予您特定的合法权利，并且可能因州而异。 有关技术问题，请致电1-888-866-5797。HEX Bolt，Spring Washer＆Washer Set -4 Harbor Freight Tools Co.保证此产品从购买之日起90天，以抵抗材料和工艺缺陷。此保修不适用于滥用，滥用，疏忽或事故造成的损害。请注意，某些州可能不允许排除或限制偶然或结果损失。适销性和健身。要利用此保修，请以预付的运输费用返回产品或部分，并提供购买日期和问题的描述。如果我们的检查确认了缺陷，请酌情修复或更换它，或退还购买价格，如果我们不能快速提供更换。我们将支付返回维修产品的成本。此保修授予您特定的合法权利，并且可能因州而异。有关技术问题，请致电1-888-866-5797。本综合指南提供了有关如何通过适当的充电和维护来最大程度地发挥电池潜力的知识。可靠的CEN Tech模型是为了安全的电源恢复而设计的。理解基本功能，例如选择电压选择和自动关闭功能可以有效充电。实施常规维护实践可以使您的电池保持最佳状态。我们将涵盖充电器的目的，安全操作，组装，连接和监视充电过程。有价值的建议有助于养成良好的习惯，并防止昂贵的早期电池更换。我们将讨论常见的查询，包括产品注册和对小问题进行故障排除。通过使用此简单的工具，您的车辆和钱包都将受益于延长的电池寿命。遵循以下快速提示，以充分利用您的启动电源：依靠安全自动充电周期在放电事件后完全振动电池。正确的电压选择可防止过载。每次使用充电器时检查电池连接。每月检查流体水平，仅使用蒸馏水来延长电荷之间的使用寿命。在使用CEN Tech电池充电器之前，请阅读所有者手册。确保使用充电器，尤其是安全说明和故障排除提示，以彻底查看手册。序列号是无限制的信息，如果您需要TU与CEN Tech有关支持或保修问题，则需要。通常是充电器或底部后面的locatet。将其写下来并将其保存在安全的位置。CEN Tech电池充电器设计的TU充电“> 6V和12V铅酸电池。它具有一些很酷的功能，例如充电率选择器开关，电池类型选择器开关以及显示电池充电状态的LED显示屏。tu使用它，只需按照以下步骤进行操作：在电池和负夹子tu负端子上进行正夹tu阳性端子即可。充电率选择器开关可让您在快速充电和trick滴充电之间进行选择。电池类型选择器开关可让您在标准的铅酸电池和深循环电池之间进行选择。LED显示屏将向您展示收到的电池充电量。充满电后，充电器将自动开关TU维护模式TU保持电池电量。使用CEN Tech电池充电器是安全而简单的过程，但是您必须遵循安全说明，请避免严重伤害或火灾。这里有一些重要的安全警告：使用充电器始终阅读并遵循所有者的手册和安全说明。不要用损坏的绳索或插头操作充电器 - 立即将其更换，以避免发生火灾或电击的风险。不要暴露雨或雪的充电器，也不要在潮湿或潮湿的条件下使用它。仅使用用于特定电池的充电率和时间 - 充电或收费不足会损坏电池并产生火灾或爆炸的风险。连接到充电器的TU电源时，切勿触摸夹具 - 这可能会引起火花并产生火灾或电击的风险。如果被删除或损坏，请勿使用充电器 - 是否会再次使用合格的技术人员对其进行检查。仅在室温下给电池充电。将充电器远离儿童和宠物，并将其与清洁或维修的电源断开连接。不要在极高或寒冷的温度下为电池充电 - 极端温度会损坏电池。将红色夹具连接到电池的正（+）端子，并确保其牢固地连接。接下来，将黑色夹具连接到负（ - ）端子，再次确保安全连接。您的CEN技术电池充电器现在可以使用！有关组装指导，如果您有任何疑问，请参阅用户手册或联系Harbor Freight工具。现在组装了充电器，请按照下一部分的说明进行有关电池充电的说明。使用电池充电器涉及一个直接的过程，可以延长电池的寿命。这是一个分步指南：使用充电器之前，请阅读所有者的手册和安全说明。您将找到有关安全有效操作的基本信息。要快速访问，请在线检查有用的链接或YouTube视频，提供逐步说明。要为电池充电，请将充电器连接到电池，以确保预先插入电池。将正（红色）夹连接到正末端，而负（黑色）夹子将其连接到负末端。固定后，插入充电器，然后自动为电池充电，直到充满电。用充电器的LED显示器监视进度。电池装满时，充电器将关闭以防止过度充电。使用小刷子或压缩空气从通风口清除碎屑。通过将充电器从电源出口拔下电源，然后从端子上删除夹子。要保持充电器状况，请根据以下步骤定期清洁它：拔下插头，并用柔软的布擦拭外部。在重复使用之前彻底干燥。立即更换任何损坏的绳索或插头，以确保安全并防止损坏。CEN技术电池充电器可能会遇到一些问题，尽管效率可靠和高效。故障排除大多数问题涉及检查充电器是否正确插入电源，确保电池端子干净，验证电池电缆是否正确连接，并检查物理损坏或燃烧零件。如果这些步骤无法解决问题，则可能需要使用真正的CEN技术更换零件来替换某些零件。关键产品规格包括使用6伏和12伏电池，在充电前选择适当的电压设置，使用基于电池的大小和状况的不同安培设置，并能够自动或手动充电。充电器具有安全功能，例如充电保护，短路保护和反极性保护。注册您的CEN技术电池充电器对于保修福利和接收产品更新和安全信息是必需的。这涉及准备收据和产品信息，访问Harbor Freight Tools网站，输入个人和产品详细信息，上传收据的副本并提交注册表。完成后，您将收到一封带有注册信息的确认电子邮件。您可以在货运工具网站上访问产品注册历史记录。注册CEN Tech电池充电器是一个简单的过程，从长远来看可以节省您的时间和金钱。汽车电池的充电时间取决于其容量和充电器的速度，通常需要使用CEN技术充电器4-8小时。但是，建议检查电池的电压并按照制造商的说明进行充电时间。充电器旨在为电池充电和维护电池，而跳跃起动器跳跃 - 启动死电池。它不能重新恢复完全死亡的电池；相反，它保持状态良好的电池。如果电池完全死亡，则可能需要更换。将电池连接过夜是安全的，因为充电器一旦充满电就可以自动切换到维护模式。Devul功能有助于清除电池板的硫酸化，从而可以延长其寿命。此功能适用于AGM电池，但请确保根据制造商的说明选择正确的充电模式。如果连接充电器时会发生火花，则可能表明极性逆转。通过翻转夹具并重新连接充电器来立即对此进行更正。请记住，在使用任何电池充电器之前，请始终阅读所有者的手册和安全说明。如果您需要在与电池相关的问题方面提供更多帮助，请确保查看我们的其他有用的文章：“断开汽车电池会影响计算机吗？”以及“为什么我的汽车说完全充满电？”总结：阅读所有者手动中的所有安全说明和警告，请选择电池类型的适当电压和充电模式连接正（红色）夹至正终端，负（黑色）夹至负极末端插件中，请充分充电，让电池充电，然后在极端的限制和可见级别的情况下端接降低，并端接端部的限制端子，并端接端部的限制性限制，并置于可见级别的情况下，并置于可见级别的范围，并保持末端的限制，并终止端部的限制级别。 Cen-Tech替换额定使用和维护，您的Cen-Tech电池充电器可以长期提供一致的性能。和“块加热器可以帮助电池死电池吗？”此外，我们还有有关如何使用Schumacher电池维护器以及如何固定高电池电压的分步指南。
海报 ID 标题 口头报告轨道 作者 组织（第一作者） 国家 1252 光电气溶胶喷射印刷封装：A
海报 ID 标题 口头报告轨道 作者 组织（第一作者） 国家 1252 光电子气溶胶喷射印刷封装：线形态研究 先进的光电子学和 MEMS 封装 Siah, Kok Siong (1); Basu, Robin (2); Distler, Andreas (2); Häußler, Felix (1); Franke, Jörg (1); Brabec, Christoph J. (2,3,4); Egelhaaf, Hans-Joachim (2,3,4) 埃尔朗根-纽伦堡弗里德里希-亚历山大大学 德国 1341 量子级联激光器与中红外光子集成电路集成用于各种传感应用 先进的光电子学和 MEMS 封装 Kannojia, Harindra Kumar (1); Zhai, Tingting (1); Maulini, Richard (2); Gachet, David (2); Kuyken, Bart (1); Van Steenberge, Geert (1) Imec BE 1328 使用 SnAg 焊料在光子集成电路上进行 III-V 激光二极管倒装芯片键合 先进的光电子学和 MEMS 封装 Chi, Ting Ta (1); Ser Choong, Chong (1); Lee, Wen (1); Yuan, Xiaojun (2) 新加坡微电子研究所（IME） SG 1154 MEMS 腔体封装的芯片粘接材料选择 先进的光电子学和 MEMS 封装 Shaw, Mark; Simoncini, Daniele; Duca, Roseanne; Falorni, Luca; Carulli, Paola; Fedeli, Patrick; Brignoli, Davide STMicroelectronics IT 1262 使用高分辨率感光聚合物进行 500nm RDL 的双大马士革工艺 先进封装 1 Gerets, Carine Helena; Pinho, Nelson; Tseng, Wen Hung; Paulus, Tinneke; Labyedh, Nouha; Beyer, Gerald; Miller, Andy; Beyne, Eric Imec BE 1342 基于 ECC 的助焊剂清洁监控以提高先进封装产品的可靠性 先进封装 1 Wang, Yusheng; Huang, Baron; Lin, Wen-Yi; Zou, Zhihua; Kuo, Chien-Li TSMC TW 1256 先进封装中的助焊剂清洗：关键工艺考虑因素和解决方案 先进封装 1 Parthasarathy, Ravi ZESTRON Americas US 1357 根据 ICP 溅射蚀刻条件和关键设计尺寸调查 UBM/RDL 接触电阻 先进封装 2 Carazzetti, Patrik (1); Drechsel, Carl (1); Haertl, Nico (1); Weichart, Jürgen (1); Viehweger, Kay (2); Strolz, Ewald (1) Evatec AG CH 1389 使用薄蚀刻停止层在法布里-珀罗滤波器中实现精确的波长控制 先进封装 2 Babu Shylaja, Tina; Tack, Klaas; Sabuncuoglu Tezcan, Deniz Imec BE 1348 模块中亚太赫兹天线的封装技术 先进封装 2 Murayama, Kei (1); Taneda, Hiroshi (1); Tsukahara, Makoto (1); Hasaba, Ryosuke (2); Morishita, Yohei (2); Nakabayashi, Yoko (1) Shinko Electric Industries Co.,Ltd. JP 1230 55nm 代码低 k 晶圆组装和制造技术的多光束激光开槽工艺和芯片强度研究 1 Xia, Mingyue; Wang, Jianhong; Xu, Sean; Li, guangming; Liu, haiyan; Zhu, lingyan NXP Semiconductor CN 1215 批量微波等离子体对超宽引线框架尺寸的优化研究，以实现与分层组装和制造技术的稳健结果 1 LOO, Shei Meng; LEONE, Federico; CAICEDO,Nohora STMicroelectronics SG 1351 解决超薄芯片封装制造中的关键问题 组装与制造技术 1 Talledo, Jefferson; Tabiera, Michael; Graycochea Jr, Edwin STMicroelectronics PH 1175 系统级封装模块组装与制造技术中的成型空洞问题调查 2 Yang, Chaoran; Tang, Oscar; Song, Fubin Amazon CN 1172 利用倒装芯片铜柱高密度互连组装与制造技术增强 Cu OSP 表面粘性助焊剂的 DI 水清洁性 2 Lip Huei, Yam; Risson Olakkankal, Edrina; Balasubramanian, Senthil KUmar Heraeous SG 1326 通过组件设计改进薄膜辅助成型性能 装配和制造技术 2 Law, Hong Cheng;Lim, Fui Yee;Low, Boon Yew;Pang, Zi Jian;Bharatham, Logendran;Yusof, Azaharudin;Ismail, Rima Syafida;Lim, Denyse Shyn Yee;Lim, Shea Hu NXP 半导体 MY 1224 对不同引线框架材料进行等离子清洗以研究超大引线框架上氧化与分层的影响 装配和制造技术 2 CHUA, Yeechong; CHUA, Boowei; LEONE, Federico; LOO, Shei Meng STMicroelectronics SG 1185 在低温系统中为射频传输线寻找最佳材料选择 装配和制造技术 3 Lau, Daniel (1); Bhaskar, Vignesh Shanmugam (1); Ng, Yong Chyn (1); Zhang, Yiyu (2); Goh, Kuan Eng Johnson (2); Li, Hongyu (1) 新加坡微电子研究院 (IME) SG 1346 探索直接激光回流技术以在半导体基板上形成稳定可靠的焊料凸点界面 装配与制造技术 3 Fisch, Anne; PacTech US 1366 通过改进工艺和工具设计消除陶瓷 MEMS 封装上的受损引线键合 装配与制造技术 3 Bamba, Behra Esposo；Tabiera, Michael Tabiera；Gomez, Frederick Ray Gomez STMicroelectronics PH 1255 原位表征等离子体种类以优化和改进工艺 装配与制造技术 3 Capellaro, Laurence; STMicroelectronics PH 1234 高度集成的 AiP 设计，适用于 6G 应用 汽车和功率器件封装 WU, PO-I；Kuo, Hung-Chun；Jhong, Ming-Fong；Wang, Chen-Chao 日月光集团 TW 1298 用于自动导引车的高分辨率 MIMO 雷达模块开发的封装协同设计 汽车和功率器件封装 Tschoban, Christian；Pötter, Harald Fraunhofer IZM DE 1306 下一代汽车微控制器倒装芯片铜柱技术的稳健性方法 汽车和功率器件封装 Tan, Aik Chong；Bauer, Robert；Rau, Ingolf；Doering, Inga 英飞凌科技 SG 1387 在烧结工艺改进下商业和定制铜烧结膏的键合强度比较 汽车和功率器件封装 Meyer, Meyer；Gierth, Karl Felix Wendelin；Meier, Karsten；Bock,德累斯顿卡尔海因茨工业大学 DE 1380 用于红外激光脱粘的高温稳定临时粘接粘合剂使薄晶圆的新型工艺集成成为可能 键合与脱粘工艺 Koch, Matthew (1); kumar, Amit (1); Brandl, Elisabeth (2); Bravin, Julian (2); Urban, Peter (2); Geier, Roman (3); Siegert, Joerg (3) Brewer Science UK 1250 临时键合晶圆的分层：综合研究 键合与脱粘工艺 JEDIDI, NADER Imec BE 1192 芯片堆叠应用中临时键合和脱粘工艺相关的表面质量挑战 键合与脱粘工艺 Chaki Roy, Sangita; Vasarla, Nagendra Sekhar; Venkataraman, Nandini 微电子研究所（IME），新加坡 SG 1108 针对 UCIe 和 BOW 应用的 2.5D 基板技术上密集线通道的信号完整性分析 电气模拟和特性 1 Rotaru, Mihai Dragos 微电子研究所（IME），新加坡 SG 1161 用于无线电信应用的自互补缝隙地下结构覆盖层的设计 电气模拟和特性 1 Rong, Zihao (1); Yi, Yuantong (1); Tateishi, Eiichi (2); Kumagae, Takaya (2); Kai, Nobuhiro (2); Yamaguchi, Tatsuya (3); Kanaya, Haruichi (1) 九州大学 JP 1167 基于近场扫描的芯片等效电磁辐射模型，用于陶瓷 SiP 中的 EMI 分析 电气模拟和特性 1 liang, yaya;杜平安 电子科技大学 CN 1280 三维集成系统中高速互连传输结构设计与优化 电气仿真与特性分析 2 李存龙；李振松；苗敏 北京信息科技大学 CN 1355 基于通用 Chiplet 互连快递（UCIe）的 2.5D 先进封装互连信号完整性仿真与分析 电气仿真与特性分析 2 范宇轩（1,2）；甘汉臣（1,2）；周云燕（1）；雷波（1）；宋刚（1）；王启东（1） 中国科学院微电子研究所 CN 1109 具有 5 层正面铜金属和 2 层背面铜 RDL 的硅通孔中介层（TSI）电气特性与可靠性研究 电气仿真与特性分析 2 曾雅菁；刘丹尼尔；蔡鸿明；李宏宇 新加坡微电子研究所 (IME) SG 1241 利用多层基板集成同轴线开发紧凑型宽带巴伦 电气仿真和特性 2 Sato, Takumi (1); Kanaya, Haruichi (1); Ichirizuka, Takashi (2); Yamada, Shusaku (2) 九州大学 JP 1200 一种降低 IC 封装中高速通道阻抗不连续性的新方法 电气仿真和特性 3 Luo, Jiahu (1); zheng, Boyu (1,2); Song, Xiaoyuan (1); Jiang, Bo (1); Lee, SooLim (1) 长沙安木泉智能科技有限公司Ltd CN 1201 去耦电容位置对 fcBGA 封装中 PDN 阻抗的影响 电气仿真与特性 3 宋小元 (1); 郑博宇 (1,2); 罗家虎 (1); 魏平 (1); 刘磊 (1) 长沙安木泉智能科技有限公司 CN 1162 有机基板中 Tera-Hz 电气特性探讨 电气仿真与特性 3 林和川; 赖家柱; 施天妮; 康安乐; 王宇珀 SPIL TW 1202 采用嵌入式硅扇出型 (eSiFO®) 技术的双 MOSFET 开关电路集成模块 嵌入式与扇出型封装 强文斌; 张先鸥; 孙祥宇; 邓帅荣;杨振中 中国工程物理研究院 中国成都 CN 1131 FOStrip® 技术 - 一种用于基板封装上条带级扇出的低成本解决方案 嵌入式和扇出型封装 林义雄 (1); 施孟凯 (2); 丁博瑞 (2); 楼百耀 (1); 倪汤姆 (1) 科雷半导体有限公司，鸿海科技集团 TW 1268 扇出型面板级封装（FOPLP）中铝焊盘的腐蚀行为 嵌入式和扇出型封装 余延燮 (1); 朴世允 (2); 金美阳 (2); 文泰浩 (1) 三星电子 KR 1253 全加成制造灯泡的可行性和性能 新兴技术 Ankenbrand, Markus; Piechulek, Niklas; Franke, Jörg Friedrich-Alexander-Universität Erlangen-Nürnberg DE 1377 航空用激光直接结构化机电一体化设备的创新和挑战：材料开发、组件设计和新兴技术 Piechulek, Niklas；安肯布兰德，马库斯；徐雷；弗罗利希，扬；阮香江； Franke, Jörg Lehrstuhl für Fertigungsautomatisierung und Produktionssyste DE 1128 使用深度神经网络新兴技术从芯片到自由空间耦合生成光束轮廓 Lim, Yu Dian (1)； Tan, Chuan Seng (1,2) 南洋理工大学 SG 1195 SiCN 混合键合应用的 CMP 后清洁优化 混合和熔融键合 1 JI, Hongmiao (1);LEE, Chaeeun (1);TEE, Soon Fong (1);TEO, Wei Jie (1);TAN, Gee Oon (1);Venkataraman, Nandini (1);Lianto, Prayudi (2);TAN, Avery (2);LIE, Jo新加坡微电子研究所 (IME) SG 1187 混合键合中模糊对准标记的改进边缘检测算法 混合和熔融键合 1 Sugiura, Takamasa (1);Nagatomo, Daisuke (1);Kajinami, Masato (1);Ueyama, Shinji (1);Tokumiya, Takahiro (1);Oh, Seungyeol (2);Ahn, Sungmin (2);Choi, Euisun ( 三星日本公司 JP 1313 芯片到晶圆混合和熔融键合以实现先进封装应用混合和熔融键合 1 Papanu, James Stephen (2,5);Ryan, Kevin (2);Noda, Takahiro (1);Mine, Yousuke (1);Ishii, Takayuki (1);Michinaka, Satoshi (1);Yonezawa, Syuhei (4);Aoyagi,Chika Tokyo Electron Limited 美国 1283 细间距混合键合中结构参数和错位对键合强度影响的有限元分析 混合与熔融键合 1 石敬宇(1); 谭林(1); 胡杨(1); 蔡健(1,2); 王倩(1,2); 石敬宇(1) 清华大学 CN 1211 下一代热压键合设备 混合与熔融键合 2 Abdilla, Jonathan Besi NL 1316 聚对二甲苯作为晶圆和芯片键合以及晶圆级封装应用的粘合剂 混合与熔融键合 2 Selbmann, Franz (1,2); Kühn, Martin (1,2); Roscher, Frank (1); Wiemer, Maik (1); Kuhn, Harald (1,3); Joseph, Yvonne (2) 弗劳恩霍夫电子纳米系统研究所 ENAS DE 1368 芯片到晶圆混合键合与聚合物钝化混合和熔融键合的工艺开发 2 Xie, Ling 新加坡微电子研究所 (IME) SG 1221 使用经验和数值方法研究焊料凸点和接头间隙高度分布 互连技术 1 Wang, Yifan; Yeo, Alfred; CHAN, Kai Chong JCET SG 1134 焊球合金对板级可靠性的影响 热循环和振动测试增强 互连技术 1 Chen, Fa-Chuan (1); Yu, Kevin (1); Lin, Shih-Chin (1); Chu, Che-Kuan (2); Lin, Tai-Yin (2); Lin, Chien-Min (2) 联发科 TW 1295 SAC305/SnBi 混合焊料界面分析及焊料硬度与剪切力关系比较 互连技术 1 Sung, Minjae (1); Kim, Seahwan (2); Go, Yeonju (3); Jung, Seung-boo (1,2) 成均馆大学 KR 1146 使用夹子作为互连的多设备功率封装组装 互连技术 2 Wai, Leong Ching; Yeo, Yi Xuan; Soh, Jacob Jordan; Tang, Gongyue 微电子研究所 (IME)，新加坡 SG 1129 存储器封装上再生金键合线的特性 互连技术 2 Chen, Yi-jing; Zou, Yung-Sheng; Chung, Min-Hua;颜崇良 Micron TW 1126 不同条件下焊料凸块电迁移行为调查 互连技术 2 罗毅基 Owen (1); 范海波 (1); 钟晨超 Nick (1); 石宇宁 (2) Nexperia HK 1168 SnBi 焊料与 ENEPIG 基板关系中 NiSn4 形成的研究 互连技术 2 王毅文; 蔡正廷; 林子仪 淡江大学 TW 1159 用于 3D 晶圆级封装中电感器和平衡不平衡变压器的感光水性碱性显影磁性材料 材料与加工 1 增田诚也; 出井弘彰; 宫田哲史; 大井翔太; Suzuki, Hiroyuki FUJIFILM Corporation JP 1118 新型芯片粘接粘合剂满足汽车 MCU 封装材料和加工的严苛性能、可靠性和成本目标 1 Kang, Jaeik; Hong, Xuan; Zhuo, Qizhuo; Yun, Howard; Shim, Kail; Rathnayake, Lahiru; Surendran, Rejoy; Trichur,Ram Henkel Corporation 美国 1173 通过在铜引线框架上进行无压烧结提高器件性能 材料与加工 1 Danila, Bayaras, Abito; Balasubramanian, Senthil KUmar Heraeous SG 1137 用于功率分立器件的新型无残留高铅焊膏 材料与加工 2 Bai, Jinjin; Li, Yanfang; Liu, Xinfang; Chen, Fen; Liu, Yan 铟泰公司 CN 1220 用于系统级封装（SiP）应用的低助焊剂残留免清洗焊膏 材料与加工 2 Liu, Xinfang; Bai, Jinjin; Chen, Fen; Liu, Yan 铟泰公司（苏州）有限公司 CN 1176 不同熔点焊料的基本性质及键合性质分析 材料与加工 2 Kim, Hui Joong; Lee, Jace; Lee, Seul Gi; Son, Jae Yeol; Won, Jong Min; Park, Ji Won; Kim, Byung Woo; Shin, Jong Jin; Lee, Tae Kyu MKE KR 1124 一种用于表征 WLCSP 封装材料和加工中 PBO 附着力的新方法 2 CHEN, Yong; CHANG, Jason; GANI, David; LUAN, Jing-en; CATTARINUZZI, Emanuele STMicroelectronics SG 1247 磁控溅射制备银及银铟固溶体薄膜微结构与力学性能研究 材料与工艺 3 赵爽 (1);林鹏荣 (2,3);张东林 (1);王泰宇 (1);刘思晨 (1);谢晓晨 (2);徐诗萌 (2);曲志波 (2);王勇 (2);赵秀 北京理工大学 CN 1206 多功能感光聚合物在与纳米晶 Cu 材料低温混合键合中的应用及工艺 3 陈忠安 (1);李嘉欣 (1);李欧翔 (2);邱伟兰 (2);张祥鸿 (2); Yu, Shih-cheng (2) Brewer Science TW 1308 闪光灯退火（FLA）方法对热处理 Cu 薄膜和低介电树脂膜的适用性材料与加工 3 NOH, JOO-HYONG (1,2); Yi, DONG-JAE (1,2); SHISHIDO, YUI (1,2); PARK, JONG-YOUNG (2,3); HONMA, HIDEO (2) 关东学院大学 JP 1286 使用无有机溶胶的 Ag 纳米多孔片在 145°C 和 175°C 下对 Au 成品 Cu 基材进行低温 Ag 烧结和驱动力材料与加工 3 Kim, YehRi (1,2); Yu, Hayoung (1); Noh, Seungjun (3); Kim, Dongjin (1) 韩国工业技术研究院 KR 1279 用于 MEMS 应用的 AlN/Mo/AlN/多晶硅堆栈中的应力补偿效应 材料与加工 4 sharma, jaibir; Qing Xin, Zhang 新加坡微电子研究所（IME） SG 1254 热循环下 RDL 聚酰亚胺与底部填充材料之间相互作用对倒装芯片互连可靠性的影响研究 材料与加工 4 Chang, Hongda (1); Soriano, Catherine (1); Chen, WenHsuan (1); Yang, HungChun (2); Lai, WeiHong (2); Chaware, Raghunandan (1) 莱迪思半导体公司 TW 1281 使用低 α 粒子焊料消除沟槽 MOSFET 中的参数偏移 材料与加工 4 Gajda, Mark A. (1); de Leon, Charles Daniel T. (2); A/P Ramalingam, Vegneswary (3);桑蒂坎，Haima (3) Nexperia UK 1218 Sn–5Ag 无铅焊料中 Bi 含量对 IMC 机械性能和形态的影响 材料与加工 4 Liu, Kuan Cheng; Li, Chuan Shun; Teng, Wen Yu; Hung, Liang Yih; Wang, Yu-Po SPIL TW 1198 流速和电流密度对通孔铜沉积的影响 材料与加工 5 Zeng, Barry; Ye, Rick; Pai, Yu-Cheng; Wang, Yu-Po SPIL TW 1156 用于 MEMS 器件的可布线可润湿侧翼 材料与加工 5 Shaw, Mark; Gritti, Alex; Ratti, Andrea; Wong, Kim-Sing; Loh, Hung-meng; Casati, Alessandra; Antilano Jr, Ernesto; Soreda, Alvin STMicroelectronics IT 1294 ENEPIG 中 Pd 层厚度对焊点形貌和可靠性的影响 材料与加工 5 Yoon, JaeJun (1); Kim, SeaHwan (1); Jin, HyeRin (1); Lee, Minji (1); Shin, Taek Soo (1,2); Jung, Seung-Boo (1) 成均馆大学 KR 1228 无翘曲扇出型封装 材料与加工 6 Schindler, Markus; Ringelstetter, Severin; Bues, Martin; Kreul, Kilian; Chian, Lim See; Königer, Tobias Delo DE 1179 用于先进 BGA 组装的创新无助焊剂焊球附着技术（FLAT） 材料与加工 6 Kim, Dongjin (1); Han, Seonghui (1,3); Han, Sang Eun (1,4); Choi, Dong-Gyu (1,5); Chung, Kwansik (2); Kim, Eunchae (2); Yoo, Sehoon (1) 韩国工业技术研究院 KR 1375 用于电子封装材料与加工的超薄 ta-C 气密封接 6 Phua, Eric Jian Rong; Lim, Song Kiat Jacob; Tan, Yik Kai; Shi, Xu 纳米膜技术 SG 1246 用于高性能汽车 BGA 封装材料与加工的掺杂 SAC 焊球合金比较 6 Capellaro, Laurence (1); STMicroelectronics FR 1324 铜平衡和晶圆级翘曲控制以及封装应力和板级温度循环焊点可靠性的影响 机械模拟与特性 1 Mandal, Rathin 微电子研究所（IME），新加坡 SG 1340 扇出型封装翘曲的材料敏感性 - 模拟与实验验证 机械模拟与特性 1 Tippabhotla, Sasi Kumar； Soon Wee, David Ho 新加坡微电子研究所 (IME) SG 1147 用于汽车存储器应用的 SACQ 焊料可靠性评估的高级预测模型 机械模拟与特性 1 Pan, Ling (1); Che, Faxing (1); Ong, Yeow Chon (1); Yu, Wei (1); Ng, Hong wan (1); Kumar, Gokul (2); Fan, Richard (3); Hsu, Pony (3) 美光半导体亚洲 SG 1245 扇出型有机 RDL 结构的低翘曲解决方案 机械模拟与特性 2 Liu, Wei Wei; Sun, Jalex; Hsu, Zander; Hsu, Brian; Wu, Jeff; Chen, YH; Chen, Jimmy; Weng, Berdy; Yeh, CK 日月光集团 TW 1205 结构参数对采用铟热界面材料的 fcBGA 封装翘曲的影响 机械模拟与特性 2 Liu, Zhen (1); Dai, Qiaobo (1);聂林杰 (1);徐兰英 (1);滕晓东 (1);郑，博宇 (1,2) 长沙安木泉智能科技有限公司 CN 1141 三点弯曲试验条件下封装翘曲对封装强度评估的影响 机械模拟与表征 2 车发星 (1); Ong, Yeow Chon (1); 余伟 (1); 潘玲 (1); Ng, Hong Wan (1); Kumar, Gokul (2); Takiar, Hem (2) 美光半导体亚洲 SG 1181 回流焊过程中 PCB 基板影响下微导孔热机械疲劳寿命评估 机械模拟与表征 2 Syed, Mujahid Abbas; 余强 横滨国立大学 JP 1121 单调四点弯曲试验设计的分析 K 因子模型 机械模拟与表征 3 Kelly, Brian (1); Tarnovetchi, Marius (2); Newman, Keith (1) 高级微设备公司 美国 1135 增强带有嵌入式细间距互连芯片的大型先进封装的机械稳健性和完整性 机械仿真与表征 3 Ji, Lin; Chai, Tai Chong 微电子研究所 (IME)，新加坡 SG 1116 通过实验和模拟研究基板铜垫裂纹 机械仿真与表征 3 Yu, Wei; Che, Fa Xing; Ong, Yeow Chon; Pan, Ling; Cheong, Wee Gee 美光半导体亚洲 SG 1130 不同晶圆预薄厚度的隐形切割工艺预测数值建模 机械模拟与表征 3 Lim, Dao Kun (1,2);Vempaty, Venkata Rama Satya Pradeep (2);Shah, Ankur Harish (2);Sim, Wen How (2);Singh, Harjashan Veer (2);Lim, Yeow Kheng (1) 美光半导体亚洲 SG 1235 扇出型基板上芯片平台的细线 RDL 结构分析 机械模拟与表征 4 Lai, Chung-Hung 日月光集团 TW 1197 极高应变率下板级封装结构中互连的动态响应 机械模拟与表征 4 Long, Xu (1); Hu, Yuntao (2); Shi, Hongbin (3);苏玉泰 (2) 西北工业大学 CN 1393 用于电动汽车应用的氮化硼基功率模块基板：一种使用有限元分析机械模拟和表征的设计优化方法 4 Zainudin，Muhammad Ashraf； onsemi MY 1345 面向 AI 辅助热管理策略设计 AI 应用的封装设计和特性 REFAI-AHMED, GAMAL (1);Islam, MD Malekkul (1);Shahsavan, Martia (1);Do, Hoa (1);Kabana, Hardik (2);Davenport, John L (2);Kocheemoolayil, Joseph G (2);HAdvanced Micro Devices US 1320 用于深度学习硬件加速器的双 2 芯片堆叠模块的工艺开发 AI 应用的封装设计和特性 Ser Choong Chong 微电子研究所 (IME)，新加坡 SG 1398 用于表征 AI 芯片热性能的热测试载体 AI 应用的封装设计和特性 Shangguan, Dongkai (1); Yang, Cheng (2); Hang,Yin (3) 美国热工程协会 US 1164 使用 B 型扫描声学显微镜 (B-SAM) 对高性能计算设备的 TIM 中的空洞进行无损分析 质量、可靠性和故障分析 1 Song, Mei Hui; Tang, Wai Kit; Tan, Li Yi 超威半导体 SG 1361 通过环上的纳米压痕评估芯片级断裂韧性的方法 质量、可靠性和故障分析 1 Zhu, Xintong; Rajoo, Ranjan; Nistala, Ramesh Rao; Mo, Zhi Qiang 格芯 新加坡 SG 1140 移动带电物体在不同类型电子设备盒中产生的静电感应电压 质量、可靠性和故障分析 1 Ichikawa, Norimitsu 日本工学院大学 JP 1350 使用 NanoSIMS 对半导体器件的掺杂剂和杂质进行高空间分辨率成像 质量、可靠性和故障分析 1 Sameshima, Junichiro; Nakata, Yoshihiko; Akahori, Seishi; Hashimoto, Hideki; Yoshikawa, Masanobu 东丽研究中心，公司 JP 1184 铌上铝线键合的优化用于低温封装质量、可靠性和故障分析 2 Norhanani Jaafar 微电子研究所 (IME)，新加坡 SG 1182 基于超声波兰姆波静态分量的层压芯片连接中的原位微裂纹定位和成像质量、可靠性和故障分析 2 Long, Xu (1); Li, Yaxi (2); Wang, Jishuo (3); Zhao, Liang (3);袁伟锋 (3) 西北工业大学 CN 1122 采用 OSP/Cu 焊盘表面处理的 FCCSP 封装的 BLR 跌落试验研究 质量、可靠性和故障分析 2 刘金梅 NXP CN 1236 材料成分对铜铝线键合可靠性的影响 质量、可靠性和故障分析 2 Caglio, Carolina (1); STMicroelectronics IT 1362 通过 HALT 测试建立多层陶瓷电容器的寿命建模策略 质量、可靠性和故障分析 3 杨永波; 雍埃里克; 邱文 Advanced Micro Devices SG 1407 使用实验和数值方法研究铜柱凸块的电迁移 质量、可靠性和故障分析 3 赵发成; 朱丽萍; Yeo, Alfred JCET SG 1370 使用 NIR 无模型 TSOM 进行嵌入式缺陷深度估计 质量、可靠性和故障分析 3 Lee, Jun Ho (1); Joo, Ji Yong (1); Lee, Jun Sung (1); Kim, Se Jeong (1); Kwon, Oh-Hyung (2) 公州国立大学KR 1207 自适应焊盘堆栈使嵌入式扇出型中介层中的桥接芯片位置公差提高了数量级 硅中介层和加工 Sandstrom, Clifford Paul (1);Talain, John Erickson Apelado (1);San Jose, Benedict Arcena (1);Fang, Jen-Kuang (2);Yang, Ping-Feng (2);Huang, Sheng-Feng (2);Sh Deca Technologies US 1119 硅中介层用于毫米波 Ka 和 V 波段卫星应用的异构集成平台 硅中介层和加工 Sun, Mei;Ong, Javier Jun Wei;Wu, Jia Qi;Lim, Sharon Pei Siang;Ye, Yong Liang;Umralkar, Ratan Bhimrao;Lau,Boon Long;Lim, Teck Guan;Chai, Kevin Tshun Chua新加坡微电子研究所 (IME) SG 1138 大型 RDL 中介层封装的开发：RDL 优先 FOWLP 和 2.5D FO 中介层硅中介层和加工 Ho, Soon Wee David; Soh, Siew Boon; Lau, Boon Long; Hsiao, Hsiang-Yao; Lim, Pei Siang; Rao, Vempati Srinivasa 新加坡微电子研究所 (IME) SG 1209 硅集成多端深沟槽电容器技术的建模和制造硅中介层和加工 Lin, Weida (1); Song, Changming (2); Shao, Ziyuan (3); Ma, Haiyan (2); Cai, Jian (2,4); Gao, Yuan (1);王倩 (2,4) 清华大学 CN 1309 探索半导体缺陷检测的扩散模型 智能制造、设备和工具协同设计 陆康康；蔡礼乐；徐迅；帕瓦拉曼普里特；王杰；张理查德；符传胜 新加坡科技研究局信息通信研究所 (I2R) SG 1287 用于 HBM 3D 视觉检查的端到端快速分割框架 智能制造、设备和工具协同设计 王杰 (1)；张理查德 (1)；林明强 (2)；张斯忠 (2)；杨旭蕾 (1)； Pahwa, Ramanpreet Singh (1) 新加坡科技研究局 (A*STAR) 信息通信研究所 (I2R) SG 1327 半导体芯片和封装协同设计和组装，用于倒装芯片和引线键合 BGA 封装智能制造、设备和工具协同设计 rongrong.jiang@nxp.com, trent.uehling@nxp.com, bihua.he@nxp.com, tingdong.zhou@nxp.com, meijiang.song@nxp.com, azham.mohdsukemi@nxp.com, taki.fan NXP CN 1113 评估带盖高性能微处理器上铟热界面材料 (TIM) 横截面方法热界面材料 Neo, Shao Ming; Song, Mei Hui; Tan, Kevin Bo Lin; Lee, Xi Wen; Oh, Zi Ying; Foo, Fang Jie 美国超微半导体公司 SG 1125 铟银合金热界面材料可靠性和覆盖率下降机制分析 热界面材料 Park, Donghyeon 安靠科技 韩国 KR 1225 金属 TIM 热界面材料的免清洗助焊剂选择 Li, Dai-Fei; Teng, Wen-Yu; Hung, Liang-Yih; Kang, Andrew; Wang, Yu-Po SPIL TW 1136 倒装芯片 GaN-on-SiC HEMT 的热设计和分析 热管理和特性 1 Feng, Huicheng; Zhou, Lin; Tang, Gongyue; Wai, Eva Leong Ching; Lim, Teck Guan 新加坡微电子研究所 (IME) SG 1163 用于高性能计算的硅基微流体冷却器封装集成 热管理和特性 1 Han, Yong; Tang, Gongyue; Lau, Boon Long 微电子研究所 (IME)，新加坡 SG 1103 电源管理 IC 器件效率和热研究 热管理和特性 1 Ge, Garry; Xu, LQ; Zhang, Bruce; Zeng, Dennis NXP 半导体 CN 1274 实时评估重新分布层 (RDL) 有效热导率分布 热管理和特性 2 Liu, Jun; Li, Yangfan; Cao, Shuai; Sridhar, N.新加坡科技研究局高性能计算研究所 SG 1282 POD-ANN 热建模框架，用于 2.5D 芯片设计的快速热分析 热管理和特性 2 李扬帆；刘军；曹帅；Sridhar, Narayanaswamy 新加坡科技研究局高性能计算研究所 SG 1171 接触特性对无油脂均匀接触表面热接触阻的影响 热管理和特性 2 Aoki, Hirotoshi (1); Fushinobu, Kazuyoshi (2); Tomimura, Toshio (3) KOA corporation JP 1259 从封装热测量到材料特性：远程荧光粉老化测试 热管理和特性 3 Hegedüs, János; Takács, Dalma; Hantos, Gusztáv; Poppe, András 布达佩斯技术与经济大学 HU 1343 使用强化学习优化热感知异构 2.5D 系统中的芯片放置 热管理和特性 3 Kundu, Partha Pratim (1); Furen, Zhuang (1); Sezin, Ata Kircali (1); Yubo, Hou (1); Dutta, Rahul (2); James, Ashish (1) 新加坡科技城信息通信研究所 (I2R) SG 1354 使用贝叶斯优化进行高效的热感知平面规划：一种高效模拟方法 热管理和特性 3 Zhuang, Furen (1); Pratim Kundu, Partha (1); Kircali Sezin, Ata (1); Hou, Yubo (1); Dutta, Rahul (2); James, Ashish (1) 新加坡科技研究局 (A*STAR) 信息通信研究所 (I2R) SG 1258 大面积覆盖波长转换荧光粉的 LED 封装的热特性 热管理和特性 4 Hantos, Gusztáv；Hegedüs, János；Lipák, Gyula；Németh, Márton；Poppe, András 布达佩斯理工经济大学 HU 1199 多芯片功率 µModules 热性能增强研究 热管理和特性 4 Dai, Qiaobo (1); Liu, Zhen (1); Liao, Linjie (2); Zheng, Boyu (1,3); Liu, Zheng (1); Yuan, Sheng (1) 长沙安木泉智能科技有限公司 CN 1269 用于电源逆变器应用中直接冷却的大面积银微孔连接的耐热可靠性 热管理和特性 4 Yu, HaYoung；Kim, Seoah； Kim, Dongjin 韩国工业技术研究院 KR 1289 基于 PCM 的散热器的数值优化用于高功率密度电子产品热管理 热管理和特性 4 HU, RAN (1,2); Du, Jianyu (2); Shi, Shangyang (1,2); Lv, Peijue (1,2); Cao, Huiquan (2); Jin, Yufeng (1,2); Zhang, Chi (2,3,4); Wang, Wei (2,3,4) 北京大学 CN 1344 通过机器学习 TSV 和晶圆级封装加速细间距晶圆间混合键合中的套刻误差优化 1 James, Ashish (1); Venkataraman, Nandini (2); Miao, Ji Hong (2); Singh, Navab (2);李晓莉 (1) 新加坡微电子研究所 (IME) SG 1373 300mm 晶圆级 TSV 工艺中钌种子层直接镀铜研究 TSV 和晶圆级封装 1 Tran,Van Nhat Anh；Venkataraman, Nandini；Tseng, Ya-Ching；陈智贤 新加坡微电子研究所 (IME) SG 1227 利用小型数据库上的集成学习预测晶圆级封装的可靠性寿命 TSV 和晶圆级封装 1 苏清华 (1)；袁卡德摩斯 (2)；蒋国宁 (1) 国立清华大学 TW 1396 数字光刻在利用新型 PI 电介质进行 UHD FoWLP 图案化中的优势 TSV 和晶圆级封装 2 Varga, Ksenija EV Group AT 1193 芯片到晶圆和晶圆到晶圆密度估计和设计规则物理验证。TSV 和晶圆级封装 2 Mani, Raju；Dutta, Rahul；Cheemalamarri, Hemanth Kumar； Vasarla Nagendra，Sekhar 微电子研究所 (IME)，新加坡 SG 1374 面板级精细图案化 RDL 中介层封装 TSV 和晶圆级封装 2 Park, Jieun；Kim, Dahee；Choi, Jaeyoung；Park, Wooseok；Choi, Younchan；Lee, Jeongho；Choi, Wonkyoung 三星电子 KR 1180 针对透模中介层 (TMI) 加工 TSV 和晶圆级封装的高深宽比铜柱制造优化 4 Peh, Cun Jue；Lau, Boon Long；Chia, Lai Yee；Ho, Soon Wee。新加坡微电子研究所（IME） SG 1405 2.5D/3D 封装的拆分工艺集成 TSV 和晶圆级封装 4 Li, Hongyu (1);Vasarla Nagendra, Sekhar (1);Schwarzenbach, Walter (2);Besnard, Guillaume (2);Lim, Sharon (1);BEN MOHAMED, Nadia (2);Nguyen, Bich-Yen (2) 新加坡微电子研究所（IME） SG 1369 通过晶圆芯片工艺中的键合序列优化实现生产率最大化 TSV 和晶圆级封装 4 Kim, Junsang (1);Yun, Hyeonjun (1);Kang, Mingu (1);Cho, Kwanghyun (1);Cho, Hansung (1);Kim, Yunha (1);Moon, Bumki (1);Rhee, Minwoo (1);Jung, Youngseok (2 三星电子 KR 1412 综合使用不同分割方法的玻璃芯片强度比较晶圆加工和特性 1 WEI, FRANK DISCO CORPORATION 美国 1388 用于微流体和 CMOS 电子扇出型 200mm 重组晶圆晶圆加工和特性 1 Wei, Wei; Zhang, Lei; Tobback, Bert; Visker, Jakob; Stakenborg, Tim; Karve, Gauri; Tezcan, Deniz Sabuncuoglu Imec BE 1332 基于衍射的对准传感器和标记设计优化，以实现与玻璃晶圆粘合的 50 微米厚 Si 晶圆的精细覆盖精度晶圆加工和特性 1 Tamaddon, Amir-Hossein (1);Jadli, Imene (1);Suhard, Samuel (1);Jourdain, Anne (1);Hsu, Alex (2);Schaap, Charles (2);De Poortere, Etienne (2);Miller, Andy (1);Ke Imec BE 1352 用于 200mm 晶圆上传感器应用的 CMOS 兼容 2D 材料集成晶圆加工和特性 2 Yoo, Tae Jin; Tezcan, Deniz Sabuncuoglu Imec BE 1384 在 200mm CMOS 图像传感器晶圆上制造高光谱组件晶圆加工和特性 2 Babu Shylaja, Tina;柳泰金；吉伦，伯特；塔克，克拉斯；萨本库奥卢·特兹坎,Deniz Imec BE 1367 在基于芯片的异构集成中，在芯片尺寸和封装参数之间进行权衡以实现最佳性价比。晶圆加工和特性 2 Zhai, Max (1); Sahoo, Krutikesh (2); Iyer, Subramanian (2) UCLA US 1390 表征键合界面处的含碳薄膜以用于背面供电网络 晶圆加工和特性 2 Kitagawa, Hayato; Sato, Ryosuke; Fuse, Junya; Yoshihara, Yuki; Inoue, Fumihiro 横滨国立大学 JP 1411 使用正性光刻胶掩模通过光刻步进机对 1µm 关键尺寸硅通孔进行图案化 晶圆加工和特性 3 Sundaram, Arvind (1); Kang, Riley (2); Bhesetti, Chandra Rao (1) 新加坡微电子研究所 (IME) SG 1410 用于多代工厂兼容超导中介层晶圆级处理的铌最后工艺晶圆加工和特性 3 Goh, Simon Chun Kiat;Ng, Yong Chyn;Ong, Javier Jun Wei;Lau, Daniel;Tseng, Ya-Ching;Jaafar, Norhanani;Yoo, Jae Ok;Liu, Liyuan;Teo, Everline Shu Yun;Chua, N 新加坡微电子研究所 (IME) SG 1331 一种使用磁和毛细管辅助自对准的新型 D2W 键合对准方案晶圆加工和特性 3 Choi, Daesan (1); Kim, Sumin (2); Hahn, Seung Ho (1); Moon, Bumki (1); Rhee, Daniel Minwoo (1) 三星电子 KR 1233 高可靠性底部端接封装侧壁电镀的新型湿化学处理 晶圆加工和特性 4 Hovestad, Arjan (1); Basu, Tarun (2) Besi NL 1285 通孔氧化铝通孔的制造：一种使用超声波加工和化学沉积的经济高效的替代方法 晶圆加工和特性 4 Pawar, Karan; Pandey, Harsh; Dixit, Pradeep 印度理工学院孟买分校 IN 1123 fcBGA 与扇出型 SiPlet 封装的电气、热学和机械性能比较 晶圆加工和特性 4 Ouyang, Eric; Ahn, Billy; Han, BJ; Han, Michael; Kang, Chen; Oh, Michael Silicon Box US 1397 用于 5G 毫米波智能手机应用的带可控波束的紧凑型 1x4 天线阵列 无线和天线封装设计 Hsieh, Sheng-Chi ASE GROUP TW 1139 开发 2.4GHz 频段 L 形圆极化缝隙天线 无线和天线封装设计 Suehiro, Kazuki; Nakashima, Kenta; Kanaya, Haruichi 九州大学 JP 1203 通过多级 Cockcroft-Walton 电路开发远程无线能量收集电路 无线和天线封装设计 Tagawa, Nobuya; Hosaka, Ryoma; Tanaka, Hayato; Goodwill, Kumar; Kanaya, Haruichi 九州大学 JP 1261 Chiplet 时代的成本性能协同优化 AI 应用的封装设计和特性 Graening, Alexander Phillip (1);Patel, Darayus Adil (2);Sisto, Giuliano (2);Lenormand, Erwan (2);Perumkunnil, Manu (2);Pantano, Nicolas (2);Kumar, Vinay BY (2);GUCLA US（2）;GUCLA美国（2）;GUCLA美国（2）;GUCLA美国（2）;GUCLA美国（2）;GUCLA美国（2）;GUCLA美国晶圆加工和特性 2 Zhai, Max (1); Sahoo, Krutikesh (2); Iyer, Subramanian (2) UCLA US 1390 键合界面含碳薄膜的特性分析以应用于背面功率传输网络 晶圆加工和特性 2 Kitagawa, Hayato; Sato, Ryosuke; Fuse, Junya; Yoshihara, Yuki; Inoue, Fumihiro 横滨国立大学 JP 1411 使用正性光刻胶掩模通过光刻步进机对 1µm 临界尺寸硅通孔进行图案化 晶圆加工和特性 3 Sundaram, Arvind (1); Kang, Riley (2); Bhesetti, Chandra Rao (1) 新加坡微电子研究所 (IME) SG 1410 用于多代工厂兼容超导中介层晶圆级处理的铌最后工艺晶圆加工和特性 3 Goh, Simon Chun Kiat;Ng, Yong Chyn;Ong, Javier Jun Wei;Lau, Daniel;Tseng, Ya-Ching;Jaafar, Norhanani;Yoo, Jae Ok;Liu, Liyuan;Teo, Everline Shu Yun;Chua, N 新加坡微电子研究所 (IME) SG 1331 一种使用磁和毛细管辅助自对准的新型 D2W 键合对准方案晶圆加工和特性 3 Choi, Daesan (1); Kim, Sumin (2); Hahn, Seung Ho (1); Moon, Bumki (1); Rhee, Daniel Minwoo (1) 三星电子 KR 1233 高可靠性底部端接封装侧壁电镀的新型湿化学处理 晶圆加工和特性 4 Hovestad, Arjan (1); Basu, Tarun (2) Besi NL 1285 通孔氧化铝通孔的制造：一种使用超声波加工和化学沉积的经济高效的替代方法 晶圆加工和特性 4 Pawar, Karan; Pandey, Harsh; Dixit, Pradeep 印度理工学院孟买分校 IN 1123 fcBGA 与扇出型 SiPlet 封装的电气、热学和机械性能比较 晶圆加工和特性 4 Ouyang, Eric; Ahn, Billy; Han, BJ; Han, Michael; Kang, Chen; Oh, Michael Silicon Box US 1397 用于 5G 毫米波智能手机应用的带可控波束的紧凑型 1x4 天线阵列 无线和天线封装设计 Hsieh, Sheng-Chi ASE GROUP TW 1139 开发 2.4GHz 频段 L 形圆极化缝隙天线 无线和天线封装设计 Suehiro, Kazuki; Nakashima, Kenta; Kanaya, Haruichi 九州大学 JP 1203 通过多级 Cockcroft-Walton 电路开发远程无线能量收集电路 无线和天线封装设计 Tagawa, Nobuya; Hosaka, Ryoma; Tanaka, Hayato; Goodwill, Kumar; Kanaya, Haruichi 九州大学 JP 1261 Chiplet 时代的成本性能协同优化 AI 应用的封装设计和特性 Graening, Alexander Phillip (1);Patel, Darayus Adil (2);Sisto, Giuliano (2);Lenormand, Erwan (2);Perumkunnil, Manu (2);Pantano, Nicolas (2);Kumar, Vinay BY (2);GUCLA US晶圆加工和特性 2 Zhai, Max (1); Sahoo, Krutikesh (2); Iyer, Subramanian (2) UCLA US 1390 键合界面含碳薄膜的特性分析以应用于背面功率传输网络 晶圆加工和特性 2 Kitagawa, Hayato; Sato, Ryosuke; Fuse, Junya; Yoshihara, Yuki; Inoue, Fumihiro 横滨国立大学 JP 1411 使用正性光刻胶掩模通过光刻步进机对 1µm 临界尺寸硅通孔进行图案化 晶圆加工和特性 3 Sundaram, Arvind (1); Kang, Riley (2); Bhesetti, Chandra Rao (1) 新加坡微电子研究所 (IME) SG 1410 用于多代工厂兼容超导中介层晶圆级处理的铌最后工艺晶圆加工和特性 3 Goh, Simon Chun Kiat;Ng, Yong Chyn;Ong, Javier Jun Wei;Lau, Daniel;Tseng, Ya-Ching;Jaafar, Norhanani;Yoo, Jae Ok;Liu, Liyuan;Teo, Everline Shu Yun;Chua, N 新加坡微电子研究所 (IME) SG 1331 一种使用磁和毛细管辅助自对准的新型 D2W 键合对准方案晶圆加工和特性 3 Choi, Daesan (1); Kim, Sumin (2); Hahn, Seung Ho (1); Moon, Bumki (1); Rhee, Daniel Minwoo (1) 三星电子 KR 1233 高可靠性底部端接封装侧壁电镀的新型湿化学处理 晶圆加工和特性 4 Hovestad, Arjan (1); Basu, Tarun (2) Besi NL 1285 通孔氧化铝通孔的制造：一种使用超声波加工和化学沉积的经济高效的替代方法 晶圆加工和特性 4 Pawar, Karan; Pandey, Harsh; Dixit, Pradeep 印度理工学院孟买分校 IN 1123 fcBGA 与扇出型 SiPlet 封装的电气、热学和机械性能比较 晶圆加工和特性 4 Ouyang, Eric; Ahn, Billy; Han, BJ; Han, Michael; Kang, Chen; Oh, Michael Silicon Box US 1397 用于 5G 毫米波智能手机应用的带可控波束的紧凑型 1x4 天线阵列 无线和天线封装设计 Hsieh, Sheng-Chi ASE GROUP TW 1139 开发 2.4GHz 频段 L 形圆极化缝隙天线 无线和天线封装设计 Suehiro, Kazuki; Nakashima, Kenta; Kanaya, Haruichi 九州大学 JP 1203 通过多级 Cockcroft-Walton 电路开发远程无线能量收集电路 无线和天线封装设计 Tagawa, Nobuya; Hosaka, Ryoma; Tanaka, Hayato; Goodwill, Kumar; Kanaya, Haruichi 九州大学 JP 1261 Chiplet 时代的成本性能协同优化 AI 应用的封装设计和特性 Graening, Alexander Phillip (1);Patel, Darayus Adil (2);Sisto, Giuliano (2);Lenormand, Erwan (2);Perumkunnil, Manu (2);Pantano, Nicolas (2);Kumar, Vinay BY (2);GUCLA USSubramanian (2) UCLA US 1390 表征键合界面处含碳薄膜以用于背面功率传输网络晶圆处理和表征 2 Kitagawa, Hayato; Sato, Ryosuke; Fuse, Junya; Yoshihara, Yuki; Inoue, Fumihiro 横滨国立大学 JP 1411 使用正性光刻胶掩模通过光刻步进机对 1µm 临界尺寸硅通孔进行图案化晶圆处理和表征 3 Sundaram, Arvind (1); Kang, Riley (2); Bhesetti, Chandra Rao (1) 新加坡微电子研究所 (IME) SG 1410 用于多代工厂兼容超导中介层晶圆级处理的铌最后工艺晶圆加工和特性 3 Goh, Simon Chun Kiat;Ng, Yong Chyn;Ong, Javier Jun Wei;Lau, Daniel;Tseng, Ya-Ching;Jaafar, Norhanani;Yoo, Jae Ok;Liu, Liyuan;Teo, Everline Shu Yun;Chua, N 新加坡微电子研究所 (IME) SG 1331 一种使用磁和毛细管辅助自对准的新型 D2W 键合对准方案晶圆加工和特性 3 Choi, Daesan (1); Kim, Sumin (2); Hahn, Seung Ho (1); Moon, Bumki (1); Rhee, Daniel Minwoo (1) 三星电子 KR 1233 高可靠性底部端接封装侧壁电镀的新型湿化学处理 晶圆加工和特性 4 Hovestad, Arjan (1); Basu, Tarun (2) Besi NL 1285 通孔氧化铝通孔的制造：一种使用超声波加工和化学沉积的经济高效的替代方法 晶圆加工和特性 4 Pawar, Karan; Pandey, Harsh; Dixit, Pradeep 印度理工学院孟买分校 IN 1123 fcBGA 与扇出型 SiPlet 封装的电气、热学和机械性能比较 晶圆加工和特性 4 Ouyang, Eric; Ahn, Billy; Han, BJ; Han, Michael; Kang, Chen; Oh, Michael Silicon Box US 1397 用于 5G 毫米波智能手机应用的带可控波束的紧凑型 1x4 天线阵列 无线和天线封装设计 Hsieh, Sheng-Chi ASE GROUP TW 1139 开发 2.4GHz 频段 L 形圆极化缝隙天线 无线和天线封装设计 Suehiro, Kazuki; Nakashima, Kenta; Kanaya, Haruichi 九州大学 JP 1203 通过多级 Cockcroft-Walton 电路开发远程无线能量收集电路 无线和天线封装设计 Tagawa, Nobuya; Hosaka, Ryoma; Tanaka, Hayato; Goodwill, Kumar; Kanaya, Haruichi 九州大学 JP 1261 Chiplet 时代的成本性能协同优化 AI 应用的封装设计和特性 Graening, Alexander Phillip (1);Patel, Darayus Adil (2);Sisto, Giuliano (2);Lenormand, Erwan (2);Perumkunnil, Manu (2);Pantano, Nicolas (2);Kumar, Vinay BY (2);GUCLA USSubramanian (2) UCLA US 1390 表征键合界面处含碳薄膜以用于背面功率传输网络晶圆处理和表征 2 Kitagawa, Hayato; Sato, Ryosuke; Fuse, Junya; Yoshihara, Yuki; Inoue, Fumihiro 横滨国立大学 JP 1411 使用正性光刻胶掩模通过光刻步进机对 1µm 临界尺寸硅通孔进行图案化晶圆处理和表征 3 Sundaram, Arvind (1); Kang, Riley (2); Bhesetti, Chandra Rao (1) 新加坡微电子研究所 (IME) SG 1410 用于多代工厂兼容超导中介层晶圆级处理的铌最后工艺晶圆加工和特性 3 Goh, Simon Chun Kiat;Ng, Yong Chyn;Ong, Javier Jun Wei;Lau, Daniel;Tseng, Ya-Ching;Jaafar, Norhanani;Yoo, Jae Ok;Liu, Liyuan;Teo, Everline Shu Yun;Chua, N 新加坡微电子研究所 (IME) SG 1331 一种使用磁和毛细管辅助自对准的新型 D2W 键合对准方案晶圆加工和特性 3 Choi, Daesan (1); Kim, Sumin (2); Hahn, Seung Ho (1); Moon, Bumki (1); Rhee, Daniel Minwoo (1) 三星电子 KR 1233 高可靠性底部端接封装侧壁电镀的新型湿化学处理 晶圆加工和特性 4 Hovestad, Arjan (1); Basu, Tarun (2) Besi NL 1285 通孔氧化铝通孔的制造：一种使用超声波加工和化学沉积的经济高效的替代方法 晶圆加工和特性 4 Pawar, Karan; Pandey, Harsh; Dixit, Pradeep 印度理工学院孟买分校 IN 1123 fcBGA 与扇出型 SiPlet 封装的电气、热学和机械性能比较 晶圆加工和特性 4 Ouyang, Eric; Ahn, Billy; Han, BJ; Han, Michael; Kang, Chen; Oh, Michael Silicon Box US 1397 用于 5G 毫米波智能手机应用的带可控波束的紧凑型 1x4 天线阵列 无线和天线封装设计 Hsieh, Sheng-Chi ASE GROUP TW 1139 开发 2.4GHz 频段 L 形圆极化缝隙天线 无线和天线封装设计 Suehiro, Kazuki; Nakashima, Kenta; Kanaya, Haruichi 九州大学 JP 1203 通过多级 Cockcroft-Walton 电路开发远程无线能量收集电路 无线和天线封装设计 Tagawa, Nobuya; Hosaka, Ryoma; Tanaka, Hayato; Goodwill, Kumar; Kanaya, Haruichi 九州大学 JP 1261 Chiplet 时代的成本性能协同优化 AI 应用的封装设计和特性 Graening, Alexander Phillip (1);Patel, Darayus Adil (2);Sisto, Giuliano (2);Lenormand, Erwan (2);Perumkunnil, Manu (2);Pantano, Nicolas (2);Kumar, Vinay BY (2);GUCLA US横滨国立大学文弘 JP 1411 使用正性光刻胶掩模通过光刻步进机对 1µm 关键尺寸硅通孔进行图案化晶圆处理和特性 3 Sundaram, Arvind (1); Kang, Riley (2); Bhesetti, Chandra Rao (1) 新加坡微电子研究所 (IME) SG 1410 用于多代工厂兼容超导中介层晶圆级处理的铌最后工艺晶圆加工和特性 3 Goh, Simon Chun Kiat;Ng, Yong Chyn;Ong, Javier Jun Wei;Lau, Daniel;Tseng, Ya-Ching;Jaafar, Norhanani;Yoo, Jae Ok;Liu, Liyuan;Teo, Everline Shu Yun;Chua, N 新加坡微电子研究所 (IME) SG 1331 一种使用磁和毛细管辅助自对准的新型 D2W 键合对准方案晶圆加工和特性 3 Choi, Daesan (1); Kim, Sumin (2); Hahn, Seung Ho (1); Moon, Bumki (1); Rhee, Daniel Minwoo (1) 三星电子 KR 1233 高可靠性底部端接封装侧壁电镀的新型湿化学处理 晶圆加工和特性 4 Hovestad, Arjan (1); Basu, Tarun (2) Besi NL 1285 通孔氧化铝通孔的制造：一种使用超声波加工和化学沉积的经济高效的替代方法 晶圆加工和特性 4 Pawar, Karan; Pandey, Harsh; Dixit, Pradeep 印度理工学院孟买分校 IN 1123 fcBGA 与扇出型 SiPlet 封装的电气、热学和机械性能比较 晶圆加工和特性 4 Ouyang, Eric; Ahn, Billy; Han, BJ; Han, Michael; Kang, Chen; Oh, Michael Silicon Box US 1397 用于 5G 毫米波智能手机应用的带可控波束的紧凑型 1x4 天线阵列 无线和天线封装设计 Hsieh, Sheng-Chi ASE GROUP TW 1139 开发 2.4GHz 频段 L 形圆极化缝隙天线 无线和天线封装设计 Suehiro, Kazuki; Nakashima, Kenta; Kanaya, Haruichi 九州大学 JP 1203 通过多级 Cockcroft-Walton 电路开发远程无线能量收集电路 无线和天线封装设计 Tagawa, Nobuya; Hosaka, Ryoma; Tanaka, Hayato; Goodwill, Kumar; Kanaya, Haruichi 九州大学 JP 1261 Chiplet 时代的成本性能协同优化 AI 应用的封装设计和特性 Graening, Alexander Phillip (1);Patel, Darayus Adil (2);Sisto, Giuliano (2);Lenormand, Erwan (2);Perumkunnil, Manu (2);Pantano, Nicolas (2);Kumar, Vinay BY (2);GUCLA US横滨国立大学文弘 JP 1411 使用正性光刻胶掩模通过光刻步进机对 1µm 关键尺寸硅通孔进行图案化晶圆处理和特性 3 Sundaram, Arvind (1); Kang, Riley (2); Bhesetti, Chandra Rao (1) 新加坡微电子研究所 (IME) SG 1410 用于多代工厂兼容超导中介层晶圆级处理的铌最后工艺晶圆加工和特性 3 Goh, Simon Chun Kiat;Ng, Yong Chyn;Ong, Javier Jun Wei;Lau, Daniel;Tseng, Ya-Ching;Jaafar, Norhanani;Yoo, Jae Ok;Liu, Liyuan;Teo, Everline Shu Yun;Chua, N 新加坡微电子研究所 (IME) SG 1331 一种使用磁和毛细管辅助自对准的新型 D2W 键合对准方案晶圆加工和特性 3 Choi, Daesan (1); Kim, Sumin (2); Hahn, Seung Ho (1); Moon, Bumki (1); Rhee, Daniel Minwoo (1) 三星电子 KR 1233 高可靠性底部端接封装侧壁电镀的新型湿化学处理 晶圆加工和特性 4 Hovestad, Arjan (1); Basu, Tarun (2) Besi NL 1285 通孔氧化铝通孔的制造：一种使用超声波加工和化学沉积的经济高效的替代方法 晶圆加工和特性 4 Pawar, Karan; Pandey, Harsh; Dixit, Pradeep 印度理工学院孟买分校 IN 1123 fcBGA 与扇出型 SiPlet 封装的电气、热学和机械性能比较 晶圆加工和特性 4 Ouyang, Eric; Ahn, Billy; Han, BJ; Han, Michael; Kang, Chen; Oh, Michael Silicon Box US 1397 用于 5G 毫米波智能手机应用的带可控波束的紧凑型 1x4 天线阵列 无线和天线封装设计 Hsieh, Sheng-Chi ASE GROUP TW 1139 开发 2.4GHz 频段 L 形圆极化缝隙天线 无线和天线封装设计 Suehiro, Kazuki; Nakashima, Kenta; Kanaya, Haruichi 九州大学 JP 1203 通过多级 Cockcroft-Walton 电路开发远程无线能量收集电路 无线和天线封装设计 Tagawa, Nobuya; Hosaka, Ryoma; Tanaka, Hayato; Goodwill, Kumar; Kanaya, Haruichi 九州大学 JP 1261 Chiplet 时代的成本性能协同优化 AI 应用的封装设计和特性 Graening, Alexander Phillip (1);Patel, Darayus Adil (2);Sisto, Giuliano (2);Lenormand, Erwan (2);Perumkunnil, Manu (2);Pantano, Nicolas (2);Kumar, Vinay BY (2);GUCLA USLiyuan;Teo, Everline Shu Yun;Chua, N 新加坡微电子研究所 (IME) SG 1331 一种使用磁性和毛细管辅助自对准的新型 D2W 键合对准方案 晶圆加工和特性 3 Choi, Daesan (1); Kim, Sumin (2); Hahn, Seung Ho (1); Moon, Bumki (1); Rhee, Daniel Minwoo (1) 三星电子 KR 1233 用于高可靠性底部端接封装侧壁电镀的新型湿化学处理 晶圆加工和特性 4 Hovestad, Arjan (1); Basu, Tarun (2) Besi NL 1285 制造通孔氧化铝通孔：一种使用超声波加工和化学沉积的经济高效的替代方法 晶圆加工和特性 4 Pawar, Karan; Pandey, Harsh; Dixit, Pradeep 印度理工学院 孟买 IN 1123 fcBGA 与扇出型 SiPlet 封装的电气、热学和机械性能比较 晶圆加工和特性 4 Ouyang, Eric; Ahn, Billy; Han, BJ; Han, Michael; Kang, Chen; Oh, Michael Silicon Box US 1397 用于 5G 毫米波智能手机应用的带可控波束的紧凑型 1x4 天线阵列 无线和天线封装设计 Hsieh, Sheng-Chi 日月光集团 TW 1139 2.4GHz 频段 L 形圆极化缝隙天线的开发 无线和天线封装设计 Suehiro, Kazuki; Nakashima, Kenta; Kanaya, Haruichi 九州大学 JP 1203 通过多级 Cockcroft-Walton 电路开发远程无线能量收集电路 无线和天线封装设计 Tagawa, Nobuya;保坂、龙马；田中、隼人；善意，库马尔； Kanaya，Haruichi 九州大学 JP 1261 Chiplet 时代的性价比协同优化 AI 应用的封装设计和表征 Graening，Alexander Phillip (1)；Patel，Darayus Adil (2)；Sisto，Giuliano (2)；Lenormand，Erwan (2)；Perumkunnil，Manu (2)；Pantano，Nicolas (2)；Kumar，Vinay BY (2);古克拉美国Liyuan;Teo, Everline Shu Yun;Chua, N 新加坡微电子研究所 (IME) SG 1331 一种使用磁性和毛细管辅助自对准的新型 D2W 键合对准方案 晶圆加工和特性 3 Choi, Daesan (1); Kim, Sumin (2); Hahn, Seung Ho (1); Moon, Bumki (1); Rhee, Daniel Minwoo (1) 三星电子 KR 1233 用于高可靠性底部端接封装侧壁电镀的新型湿化学处理 晶圆加工和特性 4 Hovestad, Arjan (1); Basu, Tarun (2) Besi NL 1285 制造通孔氧化铝通孔：一种使用超声波加工和化学沉积的经济高效的替代方法 晶圆加工和特性 4 Pawar, Karan; Pandey, Harsh; Dixit, Pradeep 印度理工学院 孟买 IN 1123 fcBGA 与扇出型 SiPlet 封装的电气、热学和机械性能比较 晶圆加工和特性 4 Ouyang, Eric; Ahn, Billy; Han, BJ; Han, Michael; Kang, Chen; Oh, Michael Silicon Box US 1397 用于 5G 毫米波智能手机应用的带可控波束的紧凑型 1x4 天线阵列 无线和天线封装设计 Hsieh, Sheng-Chi 日月光集团 TW 1139 2.4GHz 频段 L 形圆极化缝隙天线的开发 无线和天线封装设计 Suehiro, Kazuki; Nakashima, Kenta; Kanaya, Haruichi 九州大学 JP 1203 通过多级 Cockcroft-Walton 电路开发远程无线能量收集电路 无线和天线封装设计 Tagawa, Nobuya;保坂、龙马；田中、隼人；善意，库马尔； Kanaya，Haruichi 九州大学 JP 1261 Chiplet 时代的性价比协同优化 AI 应用的封装设计和表征 Graening，Alexander Phillip (1)；Patel，Darayus Adil (2)；Sisto，Giuliano (2)；Lenormand，Erwan (2)；Perumkunnil，Manu (2)；Pantano，Nicolas (2)；Kumar，Vinay BY (2);古克拉美国Michael Silicon Box US 1397 用于 5G 毫米波智能手机应用的带可控波束的紧凑型 1x4 天线阵列 无线和天线封装设计 Hsieh, Sheng-Chi ASE GROUP TW 1139 开发 2.4GHz 频段 L 形圆极化缝隙天线 无线和天线封装设计 Suehiro, Kazuki; Nakashima, Kenta; Kanaya, Haruichi 九州大学 JP 1203 通过多级 Cockcroft-Walton 电路开发远程无线能量收集电路 无线和天线封装设计 Tagawa, Nobuya; Hosaka, Ryoma; Tanaka, Hayato; Goodwill, Kumar; Kanaya, Haruichi 九州大学 JP 1261 Chiplet 时代的成本性能协同优化 AI 应用的封装设计和特性 Graening, Alexander Phillip (1);Patel, Darayus Adil (2);Sisto, Giuliano (2);Lenormand, Erwan (2);Perumkunnil, Manu (2);Pantano, Nicolas (2);Kumar, Vinay BY (2);GUCLA USMichael Silicon Box US 1397 用于 5G 毫米波智能手机应用的带可控波束的紧凑型 1x4 天线阵列 无线和天线封装设计 Hsieh, Sheng-Chi ASE GROUP TW 1139 开发 2.4GHz 频段 L 形圆极化缝隙天线 无线和天线封装设计 Suehiro, Kazuki; Nakashima, Kenta; Kanaya, Haruichi 九州大学 JP 1203 通过多级 Cockcroft-Walton 电路开发远程无线能量收集电路 无线和天线封装设计 Tagawa, Nobuya; Hosaka, Ryoma; Tanaka, Hayato; Goodwill, Kumar; Kanaya, Haruichi 九州大学 JP 1261 Chiplet 时代的成本性能协同优化 AI 应用的封装设计和特性 Graening, Alexander Phillip (1);Patel, Darayus Adil (2);Sisto, Giuliano (2);Lenormand, Erwan (2);Perumkunnil, Manu (2);Pantano, Nicolas (2);Kumar, Vinay BY (2);GUCLA US