图表 9 : SiC 产业链及代表企业 ............................................................................................................................. 6 图表 10 : 导电型碳化硅衬底 ................................................................................................................................. 6 图表 11 : 半绝缘型碳化硅衬底 ............................................................................................................................. 6 图表 12 : WolfSpeed 公司导电碳化硅衬底演进过程 ........................................................................................... 7 图表 13 : SiC 衬底制作工艺流程 ........................................................................................................................... 8 图表 14 : PVT 法生长碳化硅晶体示意图 ............................................................................................................. 8 图表 15 : 用于制备碳化硅的籽晶 ......................................................................................................................... 8 图表 16 : CMP 过程示意图 ................................................................................................................................... 10 图表 17 : CVD 法制备碳化硅外延工艺流程 ........................................................................................................11 图表 18 : SiC 功率器件种类 ............................................................................................................................... 12 图表 19 : SiC-SBD 与 Si-SBD 比较 ..................................................................................................................... 13 图表 20 : SiC-SBD 正向特性 ............................................................................................................................... 13 图表 21 : SiC-SBD 温度及电流依赖性低 ........................................................................................................... 13 图表 22 : SiC-SBD 具有优异的 TRR 特性 ........................................................................................................... 13 图表 23 : SiC MOSFET 与 Si IGBT 开关损耗对比 .............................................................................................. 14 图表 24 : SiC MOSFET 与 Si IGBT 导通损耗对比 .............................................................................................. 14 图表 25 : SiC MOSFET 体二极管动态特性 ......................................................................................................... 14 图表 26 : N 沟道 SiC IGBT 制备技术图 ............................................................................................................. 15 图表 27 : SiC 行业发展阶段曲线 ....................................................................................................................... 16 图表 28 : SiC 市场规模现状及预测 ................................................................................................................... 17 图表 29 : 新能源汽车包含功率器件分布情况 .................................................................................................. 18 图表 30 : 对车载和非车载的器件要求 .............................................................................................................. 18 图表 31 : 车载 OBC 发展趋势 ............................................................................................................................. 19 图表 32 : 硅基材料功率器件的工作极限 ........................................................................................................... 19 图表 33 : 全球新能源汽车碳化硅 IGBT 市场规模 ............................................................................................ 19 图表 34 : 全球新能源汽车市场销量及增长率预测 ............................................................................................ 20 图表 35 : 中国新能源汽车市场销量及增长率预测 ............................................................................................ 20 图表 36 : 2020 年全球新能源乘用车车企销量 TOP10( 辆 ) ................................................................................ 21 图表 37 : 2020 年全球新能源乘用车车型销量 TOP10( 辆 ) ................................................................................ 21 图表 38 : 光伏碳化硅器件优越性 ....................................................................................................................... 22 图表 39 : 全球光伏需求预测 ............................................................................................................................... 22 图表 40 : 全球光伏碳化硅 IGBT 市场规模 ........................................................................................................ 23 图表 41 : 全球光伏 IGBT 市场规模 .................................................................................................................... 23 图表 42 : 2015-2021 年中国累计充电桩数量 ..................................................................................................... 24 图表 43 : 2015-2020 年中国车桩比例 ................................................................................................................. 24 图表 44 : 中国新能源汽车充电桩市场规模及预测 ............................................................................................ 25 图表 45 : 全球充电桩碳化硅器件市场规模 ....................................................................................................... 25 图表 46 : 全球轨道交通碳化硅市场规模及预测 ............................................................................................... 26 图表 47 : 2020 年全球轨道交通运营里程 TOP10 .............................................................................................. 26 图表 48 : 轨道交通碳化硅器件占比预测 ........................................................................................................... 27 图表 49 : 全球轨道交通碳化硅技术采用情况 ................................................................................................... 27 图表 50 : 2015-2025 年中国 UPS 市场规模及预测 ............................................................................................ 28 图表 51 : 2015-2021 年中国 UPS 器件类型情况 ................................................................................................ 28 图表 52 : 2011-2020 年全球 UPS 市场规模及预测 ............................................................................................ 29 图表 53 : 2019-2025 年全球 UPS 碳化硅器件市场规模 .................................................................................... 29 图表 54 : 国外碳化硅衬底技术进展 ................................................................................................................... 30 图表 55 : 碳化硅衬底尺寸市场占比演变 ........................................................................................................... 30
This presentation contains “forward-looking statements” within the meaning of the Private Securities Litigation Reform Act of 1995 relating to our business, operations, and financial condition, including but not limited to current beliefs, expectations and assumptions regarding the future of our business, future plans and strategies, our development plans, our preclinical and clinical results, the preliminary data of the B2151009 Phase 1b clinical trial, including its preliminary primary efficacy,安全性和耐受性数据以及其他未来条件。诸如但不限于“期待”,“相信”,“期望”,“预期”,“估计”,“打算”,“计划”,“计划”,“将”,“应该”,“应该”,“可以”,类似的表达方式或单词,以及确定前瞻性陈述。可能会不时出现新的风险和不确定性,并且无法预测所有风险和不确定性。本演讲中的任何前瞻性陈述均基于管理层当前的期望和信念,并受到许多风险,不确定性和重要因素,这些风险,可能导致实际事件或结果与任何前瞻性陈述所表达或暗示的风险或重要因素,包括本介绍中包含的任何前瞻性陈述,包括,包括,不受限制的风险,包括: trials, (ii) the fact that preliminary data from a clinical study may not be predictive of the final results of such study or the results of other ongoing or future studies, (iii) the success and timing of our product development activities and initiating clinical trials, (iv) expected partnership opportunities with pharmaceutical companies, (v) our ability to obtain and maintain regulatory approval of any of our product candidates, (vi) our plans to research, discover and develop additional product candidates, (vii) our ability to enter into collaborations for the development of new product candidates, (viii) our ability to meet any specific milestones set forth herein, and (ix) uncertainties and assumptions regarding the impact of the COVID-19 pandemic on Celcuity's business, operations, clinical trials, supply chain, strategy, goals and anticipated timelines.
1. Illumina 测序: • 原理:使用可逆终止子进行合成测序。 • 主要特点:高准确度、短读长、高通量和成本效益。 应用:全基因组测序、外显子组测序、RNA 测序等。 2. Ion Torrent 测序: 原理:检测 DNA 合成过程中释放的氢离子。 主要特点:速度快、适合靶向测序和台式仪器。 应用:靶向测序,包括癌症面板和扩增子测序。 3. PacBio 测序(SMRT 测序): • 原理:在合成过程中实时观察 DNA 聚合酶。 • 主要特点:长读长、能够捕获结构变异。 • 应用:从头基因组组装、全长 RNA 测序和表观遗传学研究。
摘要:在农村地区隔离房屋的电力是通过光伏(PV)设备转化为电力的太阳能(SHSS)的电能,而无需进入电网,该太阳能已转化为电力,该设备已在全球范围内广泛传播。从1980年到迄今为止,已经研究了在农村电力项目中使用SHS的,他们一直在连续纳入进步和技术创新。通过审查PV项目,文章和技术报告的文档,可以确定SHS主要组成部分的变化以及典型的配置,并在离散的时间表中对其进行系统化。因此,本文描述了三代SHS,并突出了它们的差异。第一代在1980 - 1995年之间是完全有效的,1995 - 2010年的第二代,以及2005年至今的第三代,这与开始重叠。在任何情况下,每个周期中的时间限制仅是参考。后来的第三代太阳能家庭系统(3G-SHS)具有很高的效率,使用LED灯,锂电池,微电子控制以及插件连接。的确,该设备可以由用户自我管理,并通过原位的最低维护服务来反映技术的高可靠性。此外,它们的较低成本使得在最后一英里的人口更负担得起电力。本研究提供了3G-SHS的详细技术和运营表征,以向项目开发人员,计划者和决策者提供最相关的支持方面,以实现可持续发展目标(SDG)7。
艾滋病毒感染图的阶段改编自:Fiebig EW,Wright DJ,Rawal BD等。血浆供体中HIV病毒血症和抗体血清转化的动力学:对原发性HIV感染的诊断和分期的影响。AIDS 2003; 17(13):1871-1879。 已从OraquickAdvance®快速HIV-1/2抗体测试包插件中提取了对GS HIV-1/HIV-2 Plus O EIA的比较OraquickAdvance®数据。AIDS 2003; 17(13):1871-1879。已从OraquickAdvance®快速HIV-1/2抗体测试包插件中提取了对GS HIV-1/HIV-2 Plus O EIA的比较OraquickAdvance®数据。
1临床肿瘤学系,国家主要实验室,香港转化肿瘤学和中国大学,香港香港,香港中心2人都灵大学奥尔巴萨诺,意大利10124年,北部肿瘤学系10124年,北部气道肿瘤学系,德国肺部研究中心,隆格林尼克,22927德国格罗斯汉斯多夫,德国6血液学和医学肿瘤学中国,510317 8肿瘤学临床开发,Daiichi Sankyo Inc,Basking Ridge,NJ 07920,美国9美国医学部,医学肿瘤学部,纪念Sloial Sloan Kettering癌症中心,纽约,纽约,纽约,10065,美国 *通信作者 *。:852-35052119; tony@clo.cuhk.edu.hk
[1]所有电池寿命索赔均为最大值,并基于使用MobileMark®2014,MobileMark®2018,MobileMark®25,MobileMark®30,Jeita 2.0,Jeita 2.0,Jeita 3.0,Jeita 3.0,连续1080p 1080p视频播放(150nits Brightness Brightness and Default and Google Powerness和Google Power Local Power Local lacte and)或Google Power lodal载荷测试(或Google Power load Test test test test(PLT)测试(PLT)均可效应。实际电池寿命会因许多因素而异,例如产品配置和使用,软件使用,无线功能,电源管理设置和屏幕亮度。电池的最大容量将随时间和使用而降低。
第三代传感器正在开发中,旨在增强目标探测和识别、威胁警告和 3D 成像的能力。针对冷却 HgCdTe 和非冷却微测辐射热计设备的不同计划是这一重点的一部分。本文将介绍 HgCdTe 双色高清成像传感器和威胁警告设备、用于 3D 成像的雪崩光电二极管阵列的技术,以及正在开发的用于增强支持这些设备的读出功能的支撑技术。还将介绍非冷却探测器计划,以结合 480 � 640 阵列的生产来减小像素尺寸。最后,人们也开始努力使光子和热探测器更接近辐射极限性能,同时降低光子探测器的冷却要求。
摘要:在接下来的几年中,欧洲的气象卫星剥削组织(Eumetsat)将开始部署其下一代地理气象学卫星。METEOSAT第三代(MTG)由四个成像(MTG-I)和两个发声(MTG-S)平台组成。卫星是三轴稳定的,与旋转稳定的两代MeteoSat不同,并携带两组遥感仪器。因此,除了提供连续性外,新系统还将提供对地静止轨道前所未有的能力。MTG-I卫星上的有效载荷是16通道柔性组合成像仪(FCI)和闪电成像器(LI)。MTG-S卫星上的有效载荷是高光谱红外声音(IRS)和由欧洲委员会提供的高分辨率紫外线 - 可见的 - 近红外(UVN)Sounder-Sounder-4/UVN。今天,中国宫殿轨道的高光谱声音由中国宫颈轨道4A(FY-4A)卫星卫星地静止的静态干涉测量器(GIIRS)仪器提供,闪电映射器在FY-4A上可用,在FY-4A上可用,在国家大洋洲和大气管理(NOAAA)上(NOAA)和16和16和16 and-16 and-16 and-17 Satellites。因此,这类工具的科学和应用的发展具有坚实的基础。但是,IRS,LI和Sentinel-4/UVN在地静止轨道上是欧洲的挑战性。四个MTG-I和两个MTG-S卫星的设计分别提供20年和15。5年的运营服务。大约在一年后,预计将在2022年底和第一个MTG-S发射。本文介绍了四种工具,概述了产品和服务,并介绍了更多应用程序的演变。
系统设计自动化是使用数字电位器的关键因素。如今,我们拥有全球制造模式。在同一家工厂设计和制造系统已不再可能。通常,在一个国家设计的系统会在其他几个国家制造。这给沟通最佳性能的校准程序带来了问题。数字电位器在这些情况下成为关键。设计师现在可以在指定校准程序的同时将可测试性和自动校准功能融入设计中。此内置程序可在所有制造地点重复使用,并且只需更改软件即可在任何时间轻松升级所有地点。现在,随着新的低功耗 X9315 的加入,内置此自动化功能无需增加电源负载或损害电路设计性能。