3. 质量保证审计和季度评估。 (b) 记录应应要求提供给董事会。历史:CR 19-145:cr。登记册 2020 年 12 月第 780 号,自 2021 年 1 月 1 日起生效;根据统计第 13.92 (4) (b) 12 节和 35.17 节对 (2) (e) 中的更正进行更正,以及根据统计第 35.17 节对 (2) (c) 6. (简介)、(4) (b) 7 中的更正进行更正,2020 年 12 月登记册第 780 号;EmR2303:emerg. am. (标题)、(1) (a)、(b)、(d)、(2) (简介)、r. (2) (a),am。 (2)(b), (c) 3., 6., (d) 1., 2., (e), (3) (a) (介绍), (b), (4) (a), (b) (介绍), 1., (c), (d), (5), (6) (a) 1., 2., 生效日期 2-3-23;CR 23-072:r. 和 recr.(标题),am. (1) (a), (b), (d), (2) (介绍), r. (2) (a), am. (2) (b), (c) 3., 6., (d) 1., 2., (e), (3) (a) (介绍), (b) (介绍), 1., (c), (d), (5), (6) (a) 1., 2. 登记册 2024 年 8 月第 824 号,生效。 9-1-24。
大多数航空发动机(无论是往复式还是涡轮式)在启动过程中都需要帮助。因此,这种装置被称为起动器。起动器是一种机电机构,能够产生大量机械能,这些机械能可应用于发动机,使其旋转。往复式发动机只需以相对较慢的速度转动,直到发动机启动并自行转动。往复式发动机点火并启动后,起动器便会脱离,直到下次启动前不再起作用。对于涡轮发动机,起动器必须将发动机转速提高到一定速度,以便有足够的气流通过发动机以点燃燃料。然后,起动器必须继续帮助发动机加速到自持速度。涡轮发动机起动器在发动机启动中起着至关重要的作用。
第 295 章 — 药剂师 §295.1 地址和/或姓名变更 (a) 地址变更。药剂师应在地址变更后 10 天内书面通知委员会,并提供新旧地址及执照号码。 (b) 姓名变更。 (1) 药剂师应在姓名变更后 10 天内书面通知委员会,并发送反映姓名变更的官方文件副本(如结婚证、离婚证明等)。 (2) 姓名变更的药剂师可以保留原有的药剂师执业许可证(挂牌证书)。但是,如果药剂师想要颁发反映其姓名变更的修改后的执照(挂牌证书),则药剂师必须:(A) 交回原执照(挂牌证书);(B) 支付 35 美元的费用。 (3) 委员会将免费颁发反映药剂师新姓名的修改后的电子续订证书。 §295.2 工作变动 (a) 药剂师应在工作变动后 10 天内以书面形式向委员会报告,并负责确保将其姓名从上一份工作的药房执照中删除,并添加到新工作的药房执照中。 (b) 就本节而言,“工作”一词是指药剂师定期和常规从事工作的药房,无论是否有报酬,包括药房实践、行政或管理职责、监督任务或有偿直接或间接合同服务。该术语不包括为接替另一名药剂师而临时执业药房的孤立情况,除非此类孤立情况成为经常性和常规情况。 §295.3 药剂师的责任 (a) 主管药剂师应确保药房遵守管理药房实践的所有州和联邦法律和规则。 (b) 所有执业药剂师均应负责遵守管理药剂实践的所有州和联邦法律和规则。§295.4 分享处方钱 任何药剂师不得与执业者分享或主动分享从顾客处收到的配药钱。§295.5 药剂师执照或续期费用 (a) 两年一次的注册。德克萨斯州药房委员会应要求对《药房法》§559.002 规定的所有药剂师执照每两年进行续期。 (b) 初始执照费用。(1) 初始执照费用为 338 美元,注册期为两年。(2) 新的药剂师执照应指定一个到期日期,初始费用应根据指定的到期日期按比例分配。(c) 续期费用。药剂师执照两年一次的续期费用为 335 美元,注册期为两年。(d) 免除费用。已获得德克萨斯州药房委员会颁发的执照至少 50 年或年满 72 岁的药剂师的执照可免费续期,前提是该药剂师未积极从事药房工作。委员会颁发的该药剂师续期证书应反映非活跃状态。根据本小节续期执照的人员在未先支付本节 (c) 小节规定的续期费的情况下,不得从事积极的药房工作。§295.6 紧急临时药剂师执照 (a) 定义。本章中使用的以下词语和术语应具有以下含义,除非上下文另有明确说明。
在决定是否授权天然气出口时,能源部只有在授权向未与美国签订自由贸易协定、要求天然气国民待遇的国家(非自由贸易协定国家)出口时才有自由裁量权。471 对于此类非自由贸易协定国家,能源部会进行“公共利益审查”并授权出口,除非出口不符合“公共利益”,而“公共利益”一词在法规中没有定义。这在实践中并不是一项非常实质性的审查;能源部依赖研究和假设,这使得授权几乎成为定局。即使是《国家环境政策法》也对能源部的分析影响不大——事实上,在特朗普政府执政期间,能源部得出结论,大多数出口申请完全不需要《国家环境政策法》分析;目前尚不清楚拜登政府执政期间这种情况是否会改变。对于其他申请以及为了满足公共利益审查的目的,
昆士兰州拥有丰富的可再生资源,包括太阳能、风能、地热能、生物质能和水力发电。这使得昆士兰州成为大规模 VRE 发电开发项目的理想地点。2020/21 年,昆士兰州地区已承诺建设 470MW 半计划 VRE 发电容量,使已连接或承诺连接到昆士兰州输配电网络的总容量达到 4,444MW(参见第 8.2 节)。迄今为止,Powerlink 已完成昆士兰州 13 个大型太阳能和风电场项目的连接,为电网增加了 1,644MW 的发电容量。已收到约 30 份连接申请,总计约 6,400MW 的新发电容量,这些申请正处于不同的进展阶段。其中包括承诺连接另外 1,635MW 的 VRE。除了大型VRE发电开发项目外,昆士兰州的屋顶光伏(PV)在2021年7月超过了4,074MW。
第 6 章 场发射 6.1 简介 电子束在许多应用和基础研究工具中起着核心作用。例如,电子发射用于阴极射线管、X 射线管、扫描电子显微镜和透射电子显微镜。在许多此类应用中,希望获得高密度的窄电子束,且每束的能量分布紧密。所谓的电子枪广泛用于此目的,它利用热阴极的热电子发射来操作。然而,由于发射电子的热展宽,实现具有窄能量分布的电子束很困难。因此,冷阴极的场发射备受关注,但需要大的电场导致尖端表面的原子迁移,因此难以实现长时间稳定运行。碳纳米管可能为这些问题提供解决方案。事实上,碳纳米管在冷场发射方面具有许多优势:与金属和金刚石尖端相比,纳米管尖端的惰性和稳定性可以长时间运行;冷场发射的阈值电压低;工作温度低;响应时间快、功耗低、体积小。本章后面将讨论,利用纳米管优异场发射特性的原型设备已经得到展示。这些设备包括 X 射线管 [Sug01]、扫描 X 射线源 [Zha05]、平板显示器 [Cho99b] 和灯 [Cro04]。在详细介绍场发射之前,我们先介绍一下早期的实验工作,这些工作确立了碳纳米管在场发射方面的前景 [Hee95]。图 6.1 显示了测量碳纳米管薄膜场发射的实验装置。其中,碳纳米管薄膜(纳米管垂直于基底)用作电子发射器。铜网格位于纳米管薄膜上方 20 微米处,由云母片隔开。在铜网格和纳米管薄膜之间施加电压会产生一束电子,该电子束穿过铜网格,并在距离铜网格 1 厘米的电极处被检测到。 (需要注意的是,这些实验是在高真空条件下进行的,场发射装置位于真空室中,残余压力为 10 -6 托。)图 6.1 显示了这种装置的电流与电压曲线,表明正向偏置方向的电流大幅增加(发射类似于二极管:对于负电压,电流非常小)。为了验证光束确实由电子组成,光束在磁场中偏转,偏转对应于具有自由电子质量的粒子的偏转。该图的插图显示了 ( ) 2 log / IV vs 1 V − 的图,即所谓的 Fowler-Nordheim 图(更多信息请参见
土地使用要素为总体规划设定了框架;它指导新的发展模式,指导社区的物质形态,并确定支持和增强城市特征的土地用途。土地使用要素将决定加登格罗夫未来 20 年的发展方式。它将作为城市官员和社区的路线图,描述住房、商业、工业、开放空间以及公共和准公共用途的土地使用类型、强度和总体分布。对于居民来说,它定义了对住宅区、零售中心和服务设施类型和位置的期望。对于城市官员来说,它是提供公共设施和服务以及指导新开发的框架。它是短期和长期资本改善计划的基础。土地使用要素的基本组成部分是土地使用图(附件 LU-3)以及指导未来发展的目标和政策。土地使用图分为土地使用指定,根据使用类型、社区特征和未来增长意图定义城市区域。虽然总体规划土地使用图可能被视为总体规划的最重要组成部分,但它是总体规划所有要素所表达的目标和政策的图形表示。建议本文档的用户在评估拟议的开发和基础设施改善项目时参考目标和政策以及图表。
ROM 的类型 顾名思义,只读存储器 (ROM) 包含不可更改的永久数据模式。ROM 是非易失性的;也就是说,无需电源即可保持存储器中的位值。 可编程 ROM (PROM) 与 ROM 一样,PROM 也是非易失性的,只能写入一次。对于 PROM,写入过程以电气方式执行,可以由供应商或客户在原始芯片制造之后的某个时间执行。 光可擦除可编程只读存储器 (EPROM) 和 PROM 一样,以电气方式读取和写入。但是,在写入操作之前,必须通过将封装芯片暴露在紫外线下将所有存储单元擦除为相同的初始状态。 更有吸引力的主要读存储器形式是电可擦除可编程只读存储器 (EEPROM)。这是一种主要读存储器,可以随时写入而不会擦除之前的内容;只更新寻址的字节或字节。写入操作比读取操作花费的时间长得多,大约为每字节几百微秒。另一种半导体存储器是闪存(因其重新编程速度快而得名)。闪存于 20 世纪 80 年代中期首次推出,在成本和功能上介于 EPROM 和 EEPROM 之间。与 EEPROM 一样,闪存使用电擦除技术。一整块闪存可以在一秒或几秒内被擦除,这比 EPROM 快得多。