图 1 | 单层 WSe 2 中的窄谱线。a,沉积有 WSe 2 单层的器件示意图。b,56 µ m × 56 µ m 面积上 1.525eV 至 1.734eV 能量范围内光致发光强度的等值线图。白色虚线标记了潜在的单层区域。c,4.5K 时 WSe 2 单层中局部发射极的光致发光光谱,随着激光功率的增加,显示出不同的发射行为,主要峰位于 1.7167eV(P1)和 1.7206eV(P2)。d,P1 和 P2 的提取线宽,以激发功率为函数绘制。低激发功率的光谱显示 P1 和 P2 的线宽分辨率有限。e,随着激光功率的增加,P1 和 P2 的光子发射积分计数显示出超线性和亚线性行为
图 1 | 单层 WSe 2 中的窄谱线。a,沉积有 WSe 2 单层的器件示意图。b,56 µ m × 56 µ m 面积上 1.525eV 至 1.734eV 能量范围内光致发光强度的等值线图。白色虚线标记了潜在的单层区域。c,4.5K 时 WSe 2 单层中局部发射极的光致发光光谱,随着激光功率的增加,显示出不同的发射行为,主要峰位于 1.7167eV(P1)和 1.7206eV(P2)。d,P1 和 P2 的提取线宽,以激发功率为函数绘制。低激发功率的光谱显示 P1 和 P2 的线宽分辨率有限。e,随着激光功率的增加,P1 和 P2 的光子发射积分计数显示出超线性和亚线性行为
图 1 | 单层 WSe 2 中的窄谱线。a,沉积有 WSe 2 单层的器件示意图。b,56 µ m × 56 µ m 面积上 1.525eV 至 1.734eV 能量范围内光致发光强度的等值线图。白色虚线标记了潜在的单层区域。c,4.5K 时 WSe 2 单层中局部发射极的光致发光光谱,随着激光功率的增加,显示出不同的发射行为,主要峰位于 1.7167eV(P1)和 1.7206eV(P2)。d,P1 和 P2 的提取线宽,以激发功率为函数绘制。低激发功率的光谱显示 P1 和 P2 的线宽分辨率有限。e,随着激光功率的增加,P1 和 P2 的光子发射积分计数显示出超线性和亚线性行为