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纳米管中栅极静电可控性的增强
近年来，随着半导体技术进入10nm以下技术节点，短沟道效应（SCE）和功耗耗散问题成为场效应晶体管进一步小型化面临的巨大挑战，需要采取强制性措施予以解决。从3nm技术节点开始，环绕栅极结构提高的SCE抑制能力使环绕栅极场效应晶体管登上了历史舞台。本文展示了双栅极纳米管环绕栅极场效应晶体管（DG NT GAAFET）的超强静电控制能力，并与具有相同器件参数设计的纳米管（NT GAAFET）和纳米线环绕栅极场效应晶体管（NW GAAFET）进行了比较。与NT GAAFET和NW GAAFET相比，DG NT GAAFET的I on 分别提升了62％和57％。此外，由于静电控制的增强，DG NT GAAFET 中的 SCE 得到了明显抑制，这可以通过改善 I off 、SS 和 I on /I off 比来证明。另一方面，NT GAAFET 的 I on 与 NW GAA-FET 相当，而与 NW GAA-FET 相比，它的 I off 小 1 个数量级，SS 小近 2 倍，体现了纳米管通道结构的优越性。最后，通过 TCAD 模拟研究验证了纳米管通道结构，特别是双栅极纳米管结构对 L g 缩放的稳健性。关键词：双栅极，纳米管，纳米线，短沟道效应，功耗耗散。
心血管中的心脏病专家指南...
摘要现代医师面临着大量的临床和科学数据，远远超过了人类思想的能力。在过去的十年之前，数据可用性的进展尚未伴随分析方法。机器学习的出现（ML）算法可能会改善对复杂数据的解释，并应有助于将近乎无数的数据转化为临床决策。mL已成为我们日常实践的一部分，甚至可能进一步改变现代药物。必须承认ML在心血管疾病预测预测中的作用。本评论旨在为现代医师和研究人员准备ML带来的挑战，并解释基本概念，但同时也可能会在使用这些方法时出现的注意。此外，提出了当前已建立的经典和新兴的经典和新兴疾病概念的ML疾病预测概念。
有机光电二极管中超低暗电流的来源识别
X. Ma, H. Bin, BT van Gorkom, TPA van der Pol, MJ Dyson, CHL Weijtens, SCJ Meskers, RAJ Janssen, GH Gelinck 埃因霍温理工大学 PO Box 513, Eindhoven 5600 MB, 荷兰 电子邮件： rajjanssen@tue.n l M. Fattori 电气工程系 埃因霍温理工大学 PO Box 513, Eindhoven 5600 MB, 荷兰 AJJM van Breemen, D. Tordera, GH Gelinck TNO/Holst Center High Tech Campus 31 Eindhoven 5656 AE, 荷兰 瓦伦西亚 C/ Chair of J. Beltran 2, Paterna 46980, 西班牙 RAJ Janssen 荷兰基础能源研究所 De Zaale 20, Eindhoven 5612 AJ, 荷兰
有机光电二极管中超低暗电流的来源识别
X. Ma, H. Bin, BT van Gorkom, TPA van der Pol, MJ Dyson, CHL Weijtens, SCJ Meskers, RAJ Janssen, GH Gelinck 埃因霍温理工大学 PO Box 513, Eindhoven 5600 MB, 荷兰 电子邮件： rajjanssen@tue.n l M. Fattori 电气工程系 埃因霍温理工大学 PO Box 513, Eindhoven 5600 MB, 荷兰 AJJM van Breemen, D. Tordera, GH Gelinck TNO/Holst Center High Tech Campus 31 Eindhoven 5656 AE, 荷兰 瓦伦西亚 C/ Chair of J. Beltran 2, Paterna 46980, 西班牙 RAJ Janssen 荷兰基础能源研究所 De Zaale 20, Eindhoven 5612 AJ, 荷兰
心血管中氧化应激的病理机理
慢性肾脏疾病患者心血管疾病的高患病率表明肾脏和心脏运作的致病途径之间存在显着相互作用。这些相互作用涉及所有细胞类型（内皮细胞，平滑肌细胞，巨噬细胞等），易于氧化损伤和结构改变的脉管系统，肾小球和心脏的成分。发生了一个恶性循环，有害因素，例如活性氧和血管结构的炎症损害，它们本身成为释放到当地环境中的其他危险/有毒成分的来源。因此，这种恶性循环在慢性肾脏疾病中的证据应导致传统和非交易风险因素增加其他因素。本综述将检查进行性肾功能障碍期间的过程，肾脏重塑，心脏肥大以及氧化应激在这些并发症发展中的横向作用。
基于绩效的监管中的量化健康目标
2022 年 8 月 31 日 Christopher Regan 先生 美国核管理委员会 核材料安全和保障办公室 规则制定、环境和财务支持部主任 华盛顿特区 20555-0001
使用差分孔径 X 射线显微镜对高电子迁移率晶体管中的残余应变场进行无损深度分辨表征
a 宾夕法尼亚州立大学材料科学与工程系 b 宾夕法尼亚州立大学机械工程系 c 阿贡国家实验室 X 射线科学部
大电流真空二极管中“异常”电子的物理性质
简介/目的：从理论上解释亚纳秒真空二极管中存在一组电子，其动能远高于施加电压（乘以基本电荷值）qU max 。方法：采用基于 Vlasov-Poisson 微分方程组数值解的数学方法，用于各种设计的一维真空二极管。结果：详细显示了所谓的“异常”电子出现在表征真空二极管中建立电流流动过程的瞬态时间域中。结论：令人信服地表明，“异常”电子的存在与二极管设计或额外电流载体的存在无关。在电压脉冲前沿为亚纳秒的真空二极管中，超过 qU max 的能量可能超过 20%。
环境监管中的激进技术强制
20 世纪 60 年代末，一家大型广告公司的董事长在向董事会传达一些糟糕的财务消息时突发心脏病，脸朝下倒在宽大的会议桌上。董事长躺在桌子上后，董事会立即着手下一个事项——选举新董事长。然而，公司章程规定任何董事会成员不得为自己投票。几乎所有董事会成员都投票给了象征性的非裔美国董事、名叫普特尼·斯沃普的音乐家，因为他们都认为其他董事不会投票给他。斯沃普正式当选后，走到桌子首席，向这群紧张不安的老年白人绅士发表讲话。斯沃普随后开始演讲：“我将做出的改变将微乎其微。我不会去动摇现状。动摇现状只会带来麻烦。你所做的就是让船沉没。除非你能用富有成效的替代方案挽救局面，否则沉没是没有意义的。” 不久之后，场景突然转移到了同一个会议室。斯沃普仍然是董事长，但一群社会弃儿取代了旧董事会，并开始将公司带入一个模糊构想但截然不同的方向。
双极三层有机发光晶体管中电荷注入、电子传输和量子效率之间的相互作用
有机发光二极管 (OLED) 显示器的广泛使用推动了 OSC 逐渐渗透到日常生活中。[5] 低功耗、重量轻、亮度高、发光效率高和响应时间快等一系列技术优势推动了 OLED 作为传统液晶显示器的替代品的应用。[6] OLED 是一种纳米厚的半导体器件，在施加合适的电偏压时能够产生光子。然而，OLED 的垂直结构要求光子至少穿过一个电极，由于光腔效应和电极透明度有限，这对器件特性造成了很大限制。[7,8] 在这一背景下，有机发光晶体管 (OLET) 在过去十年中备受关注，因为它能够通过简单的平面结构将晶体管的逻辑开关功能与光发射相结合。 [6,9,10] 最重要的是，光发射可以调节到远离金属电极的位置。[11] 因此，对于 OLED，由于可以避免不希望的猝灭和光学效应，因此可以预测光学效率可能会提高。此外，平面 OLET 结构为实现具有复杂功能的集成系统提供了关键特性。[12,13] 在 OLET 中，