我向作者 P. Kannaiah 博士、K.L. 教授表示祝贺。S.V.U. 的 Narayana 和 K. Venkata Reddy 先生。蒂鲁帕蒂工程学院出版了这本关于“机械制图”的书。本书首先介绍了工程制图的基础知识,然后作者系统地介绍了机械制图。在我看来,这是一种极好的方法。这本书对机械工程专业文凭、学位和 AMIE 级别的学生来说都是一本宝贵的书。P. Kannaiah 博士拥有约二十五年的丰富教学经验,这些经验得到了充分利用,正确地反映了对该主题的处理和呈现。K.L. 教授机械工程教授 Narayana 和车间主管 K. Venkata Reddy 先生明智地联手,从他们丰富的经验中提供有用的插图,这一独特之处是本书的一大财富,其他书籍可能没有这样的机会。任何绘图书都必须遵循 BIS 标准。作者在这方面做得非常细致。此外,本书毫无遗漏地涵盖了印度各大学的教学大纲。学习绘图原理并将其应用于工业实践对任何学生来说都是必不可少的,本书是工程专业学生的宝贵指南。它也是工业设计和绘图部门的参考书。本书几乎是机械绘图的完整手册。本书是学生和专业人士学习计算机图形学的基础,计算机图形学是现代的必备课程。我相信工程专业的学生会发现这本书对他们非常有用。
2024 年 11 月 8 日——流感疫苗。BX。10。1.0ml 瓶/盒。武田制药。产品名称:流感 HA 疫苗“Seiken”,规格:1.0ml 1 瓶/盒或。田边三菱制药。产品名称:...
图 3 掺杂调控 vdW 异质结理论研究典型成果( a )结构优化后的 C 、 N 空位及 B 、 C 、 P 、 S 原子掺杂 g-C 3 N 4 /WSe 2 异质结 的俯视图 [56] ;( b )图( a )中六种结构的能带结构图 [56] ;( c )掺杂的异质结模型图、本征 graphene/MoS 2 异质结的能带结 构及 F 掺杂 graphene/ MoS 2 异质结的能带结构 [57] ;( d ) Nb 掺杂 MoS 2 原子结构的俯视图和侧视图以及 MoS 2 和 Nb 掺杂
Figure 12.1540-MeV 209Bi ion irradiation 1.7 × 10 11 ions/cm 2 TEM images of AlGaN/GaN HEMT devices: (a) Gate region cross-section; (b) The orbital image of the heterojunction region shown in Figure (a); (c) The image shown in Figure (a) has a depth of approximately 500 nm; (d) Traces formed at the drain; (e) As shown in Figure (d), the trajectory appears at a depth of ap- proximately 500 nm [48] 图 12.1540-MeV 209Bi 离子辐照 1.7 × 10 11 ions/cm 2 的 AlGaN/GaN HEMT 器件的 TEM 图像: (a) 栅极区域截面; (b) 图 (a) 所示异质结区域轨道图 像; (c) 图 (a) 所示深度约 500 nm 图像; (d) 在漏极形成的痕迹; (e) 如图 (d) 所示,轨迹出现在深度约 500 nm 处 [48]
洛斯加托斯镇公园和公共工程部宣布,湾区艺术家将有机会为 Outside the Box 项目提交设计作品。概述 Outside the Box 公共设施箱艺术项目旨在通过在街景中经常被涂鸦破坏者攻击的表面添加艺术作品来美化该地区。公共设施箱上的艺术作品是一种与移动观众沟通的形式,目的是展示一个安全、多样、公平和包容的城市环境。成功的提案将融合多样性、公平性和包容性,同时展示社区意识、可持续性和创造力,进一步提升我们城镇的文化。被接受的艺术作品将被转换成乙烯基包装并直接安装在公共设施箱上。选定艺术家的设计指南和规范
NPL 报告 QM115 1995 年 12 月 使用 ISO/CD 12567 和 CEN/TC 89 WI 26 第 2 部分 03.1995 中规定的程序对两个玻璃校准参考面板(1.48 m x 1.23 m)进行热箱测量的报告。Ray Williams & David Hall 量子计量中心国家物理实验室英国米德尔塞克斯郡泰丁顿 TW11 0LW 摘要 本报告概述了 CEN 标准草案程序的原理,用于测量热箱中窗户和窗户组件的 U 值。描述了这些标准所要求的玻璃校准面板的结构细节,并给出了用于计算其热性能的方法。包括使用这些面板进行的热箱测量的详细信息,如 CEN 标准草案中所述。这些数据生成的图表是窗户系统后续热箱测量所必需的,以实现以下目标:将 U 值标准化为标准表面电阻,得出通过测试元件的热通量密度并计算环境温度。最后,讨论了后续 U 值测量对校准测量结果的敏感性。