26 十二月 24 一般前线覆盖 01 26 十二月 24 26 十二月 24 前线覆盖 - 频率更正 01 回收 01 更新记录 02 26 十二月 24 检查清单 01-03 CL 26 十二月 24 26 十二月 24 图例 01 24 十二月 22 图例 02 10 八月 23 图例 03 05 十一月 20 缩写 01 AB 16 七月 20 缩写 02 AB 09 九月 21 缩写 03 AB 07 十二月 17 国际民航组织语音字母表 01 31 十月 24 警告 01 27 四月 17 机场运行最低标准 01 24 三月 22 降级设备 01 27 四月 17 ILS 接地区坐标 01 01 12 月 22 日 SIV 1 01 26 12 月 24 日 26 12 月 24 日 SIV 2 02 26 12 月 24 日 26 12 月 24 日 RWY 真航向 01 01 12 月 22 日 分钟至十进制转换 01 机场
26 十二月 24 一般前线覆盖 01 26 十二月 24 26 十二月 24 前线覆盖 - 频率更正 01 回收 01 更新记录 02 26 十二月 24 检查清单 01-03 CL 26 十二月 24 26 十二月 24 图例 01 24 十二月 22 图例 02 10 八月 23 图例 03 05 十一月 20 缩写 01 AB 16 七月 20 缩写 02 AB 09 九月 21 缩写 03 AB 07 十二月 17 国际民航组织语音字母表 01 31 十月 24 警告 01 27 四月 17 机场运行最低标准 01 24 三月 22 降级设备 01 27 四月 17 ILS 接地区坐标 01 01 12 月 22 日 SIV 1 01 26 12 月 24 日 26 12 月 24 日 SIV 2 02 26 12 月 24 日 26 12 月 24 日 RWY 真航向 01 01 12 月 22 日 分钟至十进制转换 01 机场
特拉维夫大学材料科学与工程系,拉马特阿维夫 6997801,以色列 摘要 先进的 2D 材料(如 MXenes)表现出卓越的电气、机械和热特性,使其成为集成电路架构中理想的替代品,而传统金属元件则受到持续小型化和功率限制的挑战。在这项工作中,我们介绍了一种可扩展的方法,通过结合光刻和旋涂技术来制作 10 纳米以下 MXene 薄膜图案。这种方法可确保形成均匀的微图案,而创新的、简单的 HCl 处理步骤可有效清除盐残留物,这是 MXene 合成中反复出现的问题。所得 MXene 薄膜厚度约为 6-7.5 纳米,光学透明,能够精确地进行微图案化,横向分辨率低至 2 µm。严格的分析表明,这些薄膜表现出卓越的导电性,并且 MXene-Si 结具有高光敏性。所提出的方法与现有的微电子制造装置无缝集成,标志着 MXene 在柔性、透明和可穿戴电子产品(从互连线和电极到高灵敏度光电探测器)中的应用取得了重大进展。