XiaoMi-AI文件搜索系统
World File Search System粗糙度
薄薄的侧壁粗糙度造成的损失估计 -
集成的光子学促进了可扩展，节能的高性能设备的开发，并通过将各种被动和主动的光学组件集成到单个平台上，具有小脚印。这可以改善用于数据通信，传感，成像和量子信息处理的光学系统的性能和稳定性。由这些应用驱动，绝缘子（LNOI）上的薄膜锂（TFLN） / Niobate上的硅锂由于其高的非线性和电磁性能而成为强大的材料平台[1]。薄膜锂锂波导的高模态限制允许具有小弯曲半径的紧凑装置[2]。LNOI是有效的非线性设备[2-6]和快速电磁调节器[7 - 12]的合适候选者。低损坏波导通道可以预期与未来的高性能光子设备高度相关。，非结构化的薄膜材料具有内在的损失（0.2 dB / m [13]），它们远高于大量氯硝基锂的水平，这可能是由于制造过程中造成的离子植入损伤的结果[13]。由这些薄膜板制成的结构化通道表现出更高的衰减，主要是由粗糙的侧壁引起的。为了减轻这种效果，可以用诸如SIO 2之类的材料来覆盖该设备，以减少折射率对比度，可以通过调整制造过程来降低粗糙度，或者可以通过接受多模型的多模式spaveguide Geometries来减少光学模式的重叠[14]。使用这些方法在2023年已证明了1550 nm左右的最低传播损失1 dB / m [15]。低损失被认为是量子光学[16]，单个光子处理[17]或光学量子计算[18]的情况下特别是必不可少的。理解这些系统的局限性至关重要，因此，对建模的技术也很重要，在这些领域中很重要。在影响综合光子电路功能的各种损失来源之间
使用机器学习算法作为表面粗糙度
2。Razvi S，Feng S，Narayana A等（2019）对加成式制造中的机器学习应用程序进行了综述。在：ASME 2019国际设计工程技术会议和计算机和工程会议信息的论文集。Anaheim（美国加利福尼亚州），第1-10页
退火温度对LA2TI2O7薄膜厚度和粗糙度的影响
在这项工作中，验证了底物退火温度对LA 2 Ti 2 O 7薄膜的厚度和粗糙度的影响。通过脉冲激光沉积技术（PLD）在各种退火温度下成功地在Si（100）底物上生长了一组LTO薄膜，每脉冲的脉冲和能量恒定。扫描电子显微镜（SEM）和原子力显微镜（AFM）用于研究沉积的La 2 Ti 2 O 7薄膜的厚度和粗糙度。由于线性退火温度的升高，薄膜的平均厚度降低。当LTO薄膜在500°C下沉积时，发现最大厚度（231 nm）。均方根粗糙度随着底物温度的升高而线性增加。在LTO以（500°C）沉积时，发现最小粗糙度（0.254 nm）。从获得的结果中，其清晰的证据表明退火温度对LTO薄膜的厚度和粗糙度有影响。关键字
表面粗糙度对风力涡轮机性能的影响
注意：本报告是作为美国政府机构赞助的工作的记录而编写的。美国政府、其任何机构、其任何雇员、其任何承包商、分包商或其雇员均不对所披露的任何信息、设备、产品或流程的准确性、完整性或实用性做任何明示或暗示的保证，也不承担任何法律责任或义务，也不表示其使用不会侵犯私有权利。本文以商品名、商标、制造商或其他方式提及任何特定商业产品、流程或服务，并不一定构成或暗示美国政府、其任何机构或其任何承包商或分包商对其的认可、推荐或支持。本文表达的观点和意见不一定表明或反映美国政府、其任何机构或其任何承包商的观点和意见。
高速公路排水槽中能量耗散的粗糙度元素的设计
液压工程中的反复出现的需求是一种简单，可靠的方法，用于耗散雨水流向陡峭的排水通道中的多余能量。过去，这个问题通常是通过某种形式的盆地来处理的。在许多情况下是实用的替代方法是提供频道本身中的粗糙度元素。这样的元素可以设计为产生通道中翻滚流的现象。这是一个循环均匀的流动，由一系列液压跳和叠加组成，它确保通道出口速度不会超过给定放电的已知“临界速度”。实验室和现场研究是在弗里吉尼亚理工学院进行的，目的是为这种能量耗散方法制定设计标准。根据这些测试，建议使用二维正方形元素或立方元素。设计方程，以及有关元素间距和放置的建议。
边缘粗糙度对磁隧道结电阻和开关电压的影响
摘要 — 我们使用非平衡格林函数形式研究了边缘粗糙度对磁隧道结电传输特性的影响。我们将边缘粗糙度建模为磁隧道结横截面轮廓的随机变化，其特征是相关函数的拉伸指数衰减。形状和尺寸的随机变化改变了横向能量模式轮廓，并导致磁隧道结的电阻和开关电压发生变化。我们发现，由于量子限制效应，随着磁隧道结尺寸缩小，变化会变得更大。提出了一种模型，通过将横截面几何形状近似为具有相同横截面积的圆来有效计算边缘粗糙度效应。可以通过将横截面积近似为椭圆来获得进一步的改进，其纵横比由对应于 2D 横截面的第一个横向特征值确定。这些结果将有助于可靠地设计具有超小磁隧道结的自旋转移力矩磁性随机存取存储器（STT-MRAM）。
确定 CD-SEM 测量线边缘粗糙度的最佳参数
线边缘粗糙度 (LER) 的测量最近已成为光刻计量学界和整个半导体行业关注的话题。高级计量咨询小组 (AMAG) 是由国际 SEMATECH (ISMT) 联盟成员公司和美国国家标准与技术研究所 (NIST) 的首席计量学家组成的委员会，该委员会有一个项目，旨在研究 LER 指标并指导关键尺寸扫描电子显微镜 (CD-SEM) 供应商社区采用半导体行业支持的标准化解决方案。2003 年国际半导体技术路线图 (ITRS) 包含了粗糙度的新定义。ITRS 设想了边缘和宽度粗糙度的均方根测量。还有其他可能的指标，其中一些在这里进行了调查。ITRS 设想将均方根测量限制在粗糙度波长范围内，该波长落在指定的工艺相关范围内，并且测量重复性优于指定的公差。本研究解决了满足这些规范所需的测量选择。推导出必须测量的线长表达式以及沿该长度的测量位置间距。图像中的噪声会产生粗糙度测量误差，这些误差既有随机成分，也有非随机成分（即偏差）。在特殊测试图案中报告了对紫外线抗蚀剂和多晶硅的测量结果，这些材料的粗糙度是典型的。这些测量表明，粗糙度测量对噪声的灵敏度主要取决于边缘检测算法的选择和焦点的质量。当使用基于模型或 S 形拟合算法且图像对焦良好时，测量对噪声的敏感度较低。使用测量的 UV 抗蚀剂线的粗糙度特性并应用 ITRS 对 90 nm 技术节点的要求，得出的采样长度和采样间隔表达式意味着必须以 7.5 nm 或更小的间隔测量至少 8 倍节点（即 720 nm）的线长。