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World File Search System粘附的
月球尘埃和粘附的仿真和实验研究
简介：自阿波罗时代以来，被尘埃污染被确定为卢纳尔和更常见的无空体的重要风险，探索误差（[1] - [2]）。对于未来月球的下一个任务，漫游者产生的尘埃动员和 /或机器人活动需要谨慎。它可能起源于地平线发光（[3] - [4]）。在这两种情况下，在粘附或尘埃的粘附性中发挥作用的机制均由静电力控制。这些力是由在灰尘和覆盖材料表面存储的电荷引起的。电荷载体是由月球等离子体环境产生的，阴影和阳光表面之间存在显着差异，并且也通过Triboelectric效应。缓解技术应受益于对这些过程的更好地说明。
纳米薄层僵硬的层对粗糙表面的粘附的影响
粘附需要分子接触，并且天然粘合剂采用机械梯度来实现完整（共形）接触以最大程度地提高粘附力。直觉上，人们期望顶层的模量越高，粘附强度越低。然而，僵硬顶层的厚度与粘附之间的关系尚不清楚。在这项工作中，我们量化了在软聚聚二甲基硅氧烷（PDMS）弹性体的厚度变化厚度的刚性玻璃状聚（PMMA）层之间的粘附。我们发现，在加载循环中，仅需要≈90nm厚的PMMA层才能将宏观粘附降低至几乎为零。可以使用Persson和Tosatti开发的保形模型来解释双层的粘附下降，在该模型中，创建保形接触的弹性能量取决于双层的厚度和机械性能。更好地理解机械梯度对粘附的影响将对粘合剂，摩擦以及胶体和颗粒物理学产生影响。
使用实验和计算的基于粘附的细胞培养过程
摘要：栽培富有的草莓的花卉过渡是一个热门话题，因为这些基因型永远存在，并且很难以非浮基状态保持。但是，很少使用形态发生和分子分析对其进行研究。因此，我们检查了涉及源自口服的基因的形态发生效应和基因的激活，并在富有雌雄的F1杂交幼苗中进行了启动。在10 h SD和20 h LD条件下的12、19和26℃下生长幼苗。我们观察到对分生组织发育的强烈影响和开花基因座T1（FAFT1） - Constans1（FASOC1）途径过表达的抑制剂，类似于富有林地草莓中的途径。富有的品种显示出定量LD植物的典型特征，在所有温度下，在LD下比SD条件更早地流动。我们还发现，在LD条件下FAFT1上调促进了口服诱导，而顶端的FASOC1上调导致光周期独立的lip loperal启动。此外，我们确定了草莓分生组织身份基因faful也可以用作EB品种中植物启动的早期指标。这项研究还强调了种子传播的F1杂交体在遗传研究中的优势，即它们在遗传上是相同的，并且不受先前的浮雕病史的偏见。
微观结构对纳米厚的Cu膜对玻璃基板的界面粘附的影响：对微电器设备的影响
摘要：改善脆性底物上纳米化薄膜的界面稳定性对于诸如微电子等技术应用至关重要，因为所谓的脆性 - 延性 - 延性 - 延性界面限制了其整体可靠性。通过调整薄膜特性，由于分层过程中的外部韧性机制，可以改善界面粘附。在这项工作中，在模型的脆性 - 凝胶界面上研究了膜微结构对界面粘附的影响，该模型由脆性玻璃底物上的纳米化cufim插头组成。因此，使用磁控溅射将110 nm薄的Cu纤维沉积在玻璃基板上。虽然在溅射过程中保持纤维厚度，残留应力和纹理的质地可比，但在沉积过程中和通过等温退火过程中，纤维微结构变化了，导致四个不同的cufifms产生了晶粒尺寸分布。然后使用应力的MO覆盖剂确定每个Cufim的界面粘附，这触发了直接自发扣的形状的Cufifm分解。每个薄膜的混合模式粘附能的范围从较大晶粒的膜的2.35 j/m 2到4.90 j/m 2的纤维，对于纳米晶粒量最高的薄膜。使用聚焦的离子束切割和通过共聚焦激光扫描显微镜对扣子进行额外研究，可以通过对扣的额外研究进行清晰的效果，以将其切换并量化固定在弯曲的薄膜中的弹性和塑性变形的量。关键字：薄膜粘附，脆性 - 延性界面，自发扣，纤维微观结构，纳米化的cufifms可以证明，具有较小晶粒的膜表现出在分层过程中吸收更高量的能量的可能性，这解释了它们较高的粘附能量。
PHD论文的论文 在线开放研究 具有数值模型的微观气候和生理参数的表示，影响了葡萄园生态系统：piemonte的案例（Ital 公告 标题：影响结核病实施数字依从性的上下文因素 安全和自主无人机的关键技术 教育作为轻度认知障碍的危险因素 非洲的非falciparum疟疾，并从亚洲疟原虫学习 细胞和基因治疗的调节更新和趋势 极，ouist 流星时间传递和流星密码 对电动汽车锂离子电池的不一致和均衡技术的全面审查 YB-硅胶眼镜和玻璃陶瓷中的离子 考古科学杂志：报告 在IC制造中化学清洁期间，重金属污染的表面光电压监测 PSO和GWO算法的比较分析 使用实验和计算的基于粘附的细胞培养过程 通过分生组织解剖和基因表达分析在富有厌恶的草莓F1杂交中对开花和植物结构的影响表征 新型1,2,4-三唑衍生物作为可溶性环氧的设计和合成 水泥行业的供应链管理 新生儿的免疫发展：评论
1底物残基和底物结合位点的命名法是根据Schechter和Berger（1967）的说法。底物残基是从裂解位点指定为P1，P2，P3等的N末端，以及带有P1'，p2'，p3'等的C-末端。适当的底物绑定位点用S1，S2，S3等指定。或S1'，s2'，s3'等。