分子氧与半导体氧化物表面的相互作用在许多技术中起着关键作用。这个主题很难通过实验和理论来实现,这主要是由于多种施加电荷状态,吸附氧气的吸附构和反应通道。在这里,我们使用非接触原子力显微镜(AFM)和密度功能性the-Ory(DFT)的组合来解决金红石TIO 2(110)表面上的吸附O 2,这在金属氧化物的表面化学中提出了长期的挑战。我们表明,通过氧气量终止的化学惰性AFM尖端可以很好地解决吸附物种和底物的氧气sublattice。吸附的O 2分子可以从表面接受一个或两个电子极性,形成超氧或过氧物种。在与应用相关的任何条件下,过氧状态是最优选的。非侵入成像的可能性使我们能够解释与尖端注入电子/孔注入相关的行为,与紫外光的相互作用以及热退火的效果。
透射电子显微镜(TEM)实验已使用Tecnai G2 TF30茎系统进行,将Crcl 3 akes转移到200个网格var网格上。低分辨率和高分辨率(原子)TEM图像是在明亮的ELD条件下获取的。差异模式以差异模式获取。元素分析已在扫描TEM模式下使用EDX光谱法(牛津X-Max检测器)进行,并使用CLI虫 - Lorimer方法对数据进行了定量分析。在室温(RT)的UHV室中,使用扫描隧道显微镜(STM)Omicron VT-STM系统,使用电化学片段的W TIPPARITRECHEM-OMICRON VT-STM系统在UHV腔室中对空气暴露CRCL 3的测量进行了测量。30隧道电流 - 电压(i - V)曲线以恒定电流模式(在偏置电压o e o {2 V时)获取。X射线光发射光谱(XPS)和紫外光发射光谱(UPS)实验
摘要:光点击反应结合了光驱动过程和传统点击化学的优势,已在表面功能化、聚合物共轭、光交联和蛋白质标记等多个领域得到应用。尽管取得了这些进展,但大多数光点击反应对紫外光的依赖性对其普遍应用造成了严重障碍,因为这种光可能会被系统中的其他分子吸收,导致其降解或发生不必要的反应。然而,开发一种简单有效的系统来实现红移光点击转换仍然具有挑战性。在这里,我们引入了三重态-三重态能量转移作为一种快速而选择性的方式来实现可见光诱导的光点击反应。具体而言,我们表明,在催化量(少至 5 mol%)的光敏剂存在下,9,10-菲醌 ( PQ s) 可以与富电子烯烃 ( ERA ) 有效反应。光环加成反应可以在绿光(530 nm)或橙光(590 nm)照射下实现,与经典的PQ-ERA体系相比,红移超过100 nm。此外,通过组合适当的反应物,我们建立了正交的蓝光和绿光诱导的光点击反应体系,其中产物的分布可以通过选择光的颜色来精确控制。
紫外光可以选择性激发QD供体,而FP和FD表现出的相对较窄的吸光度带通常会导致受体的直接激发。相比之下,QD-QD FRET在传感应用方面的研究不如QD-FP(D) FRET深入。14,15QD吸光度曲线的宽带性质使直接激发不可避免,干扰了基于观察受体敏化发射的分析。可以通过评估供体荧光寿命的变化来规避这个问题,因为它不直接受到高受体背景信号的影响,但是这些测量的实验设置和分析可能比收集和分析光谱数据更困难且更耗时。此外,PL寿命仪器不太普及,很少配备有助于测量多种样品条件的读板机。最近,QD已非常成功地用作镧系元素配合物的FRET受体。 16 在这些系统中,可以使用时间门控 PL 测量,这比寿命测量简单得多,并且可以通过许多商用平板读数器进行测量。然而,由于其出色的亮度,QD – QD FRET 的开发对于具有易于读取的视觉输出的即时诊断传感器 (POC) 可能很有意义 — 特别是,† 提供电子补充信息 (ESI)。参见 DOI:10.1039/d0an00746c
1 化学系,APCMahalaxmi 学院,Thoothukudi,泰米尔纳德邦,隶属于 Manonmaniam Sundaranar 大学,Tirunelveli,泰米尔纳德邦,印度 2 化学系,VOChidambaram 学院,Thoothukudi,泰米尔纳德邦,印度 *通讯作者:kalaponpriya@gmail.com 摘要 三氧化钨 (WO 3 ) 已被证明具有可见光光活性,并提供了一种克服光催化剂(如二氧化钛)对紫外光依赖性的方法。在本研究中,通过化学共沉淀法成功制备了镉离子掺杂的 WO 3 纳米粒子。以氯化镉和钨酸钠溶液为前体。通过 UV、XRD、FESEM、EDAX 和 PL 光谱技术表征了 Cd 离子掺杂的 WO 3 纳米粒子的晶体结构和光学特性。 Cd 离子掺杂的 WO 3 纳米粒子的形貌研究揭示了晶体状形貌。能量色散分析证实了 Cd 离子在掺杂的 WO 3 晶格中的存在。从 WO 3 的紫外-可见光谱来看,Cd 离子掺杂的 WO 3 纳米粒子在 310 nm 和 320 nm 处表现出吸收。XRD 光谱显示衍射峰对应于结晶氧化钨的晶面。使用 Debye scherrer 公式,还计算了未掺杂和 Cd 离子掺杂的氧化钨纳米粒子的尺寸。通过 PL 光谱研究了制备的纳米粒子的光学特性。
提出并演示了一种通过微透镜阵列 (MLA) 的光场投影进行 3D 光刻的方法。利用 MLA,我们可以通过开发的聚焦方案将来自空间光调制器 (SLM) 的光传送到 3D 空间中的任意位置,即体素。体素位置和 SLM 像素位置之间的映射函数可以通过光线追踪一一确定。基于正确的映射函数,可以通过 SLM 和 MLA 在 3D 空间中重建计算机设计的 3D 虚拟物体。然后可以对投影的 3D 虚拟物体进行光学压缩并将其传送到光刻胶层进行 3D 光刻。利用适当的近紫外光,可以在光刻胶层内的不同深度构建 3D 微结构。这种 3D 光刻方法可用于在任意位置进行高速 3D 图案化。我们预计,在提出的光场 3D 投影/光刻方案中采用飞秒光源和相关的多光子固化工艺时,也可以实现高精度 3D 图案化。多光子聚合可以防止在到达设计的焦点体素之前沿光路对区域进行非自愿图案化,如我们在单光子演示中所观察到的那样。
全石英光纤被证实是适用于近红外、可见光和紫外光谱区域功率应用的光导。提高光纤对紫外线和伽马射线的抵抗力是发展现代能量学和激光技术的重要任务。这项研究检查了芯材料成分 [1、2、3]、预制棒生产技术 [4] 和氢后处理对全石英光纤对紫外线辐射的光学稳定性的影响。精心设计的光纤涂层由碳和聚酰亚胺层组成,允许在 250°C 时达到氢饱和,但在室温下表现出优异的气密性。对未饱和氢的光导的比较研究表明,羟基含量高和低的二氧化硅可能具有足够的初始紫外线透明度并能抵抗紫外线照射。更为重要的是,二氧化硅结构中存在缺陷,导致 200 - 400 nm 区域的吸收,以及 Si-H 和 Si-Cl 基团的存在,这些基团是吸收峰在 214nm 和 330 nm 处的缺陷的前体。反射层的沉积方法对光纤芯中缺陷和 Si-H 基团的发生率有显著影响。对诱导损耗最显著的影响是由光纤的氢处理引起的。本研究的结果为波长区域 200 nm 的紫外线稳定和低损耗全石英光纤生产提供了策略 -
使用化学浴沉积合成 ZnO 薄膜并研究物理化学性质 Pooja B.更多,1 Sanjay B. Bansode,1 Mariya Aleksandrova,2 Sandesh R. Jadkar 1 和 Habib M. Pathan 1,* 摘要 在目前的研究中,我们在 70°C 温度下通过化学浴沉积法 (CBD) 在 FTO(氟掺杂氧化锡)基板上合成了 ZnO 薄膜。X 射线衍射研究表明,ZnO 薄膜具有六方纤锌矿结构,沿 (002) 方向有纹理。此外,扫描电子显微镜证实了沿垂直(c 轴)方向取向的微米级棒的形成。此外,还检查了各种光学和光电化学 (PEC) 特性。从紫外-紫外光谱分析可知,ZnO 薄膜的光学带隙为 3.1 eV。光致发光光谱显示,沉积的薄膜在紫外区具有尖锐的发射,在可见光区具有宽发射,这可能与 ZnO 中的缺陷有关。电化学阻抗谱表明,在光照下,ZnO 薄膜表现出较高的光电流密度的 PEC 性能。计时电流法显示,光电流密度随时间变化的稳定性测试为 60 μA/cm 2 。此外,莫特-肖特基曲线证实,沉积的 ZnO 薄膜为 n 型,载流子密度为 8.55×10 18 cm -3 。
各种光激活“3D”聚合物树脂的需氧生物降解和开发温控室 Seohyun Lee、Shelby Engels、Katy Chapman 可持续发展中心,数学科学技术系 明尼苏达大学,明尼苏达州克鲁克斯顿 摘要 立体光刻 (SLA) 增材制造中使用的紫外光激活聚合物是工业和家庭塑料部件生产中日益增长的工具。与传统的熔融沉积成型 (FDM) 不同,这些聚合物通常由各种挥发性有机化合物 (VOC) 组成,对环境和健康有不利影响。为了抑制这些影响,流行产品制造商生产了宣传“植物基”或“生物基”的产品。这些产品的影响尚不清楚,并留下了许多关于其长期可持续性的问题。该项目专门探讨了这些替代产品在商业堆肥设施中的命运。堆肥利用需氧微生物将有机物分解成矿物成分。堆肥通过将原始有机物转化为二氧化碳 (CO 2 ) 和水来减少其体积。该项目包括两个方面:1) 设计和测试商用堆肥孵化室;2) 商用堆肥条件对这些聚合物分解的影响。本研究旨在通过测量原始聚合物的质量损失和堆肥室中 CO 2 随时间的变化来了解这些化合物在商用堆肥设施中的命运。
采用振动磨法将La 3+ 离子掺杂的Y 0.998 Pr 0.002 InGe 2 O 7 荧光粉原料混合,采用固相反应在空气中1200 ℃煅烧10 h。无论La 3+ 离子掺杂浓度如何,La 3+ 离子都不会改变晶体结构,但会改变荧光粉的激发和发射强度等发光性能。当La 3+ 离子掺杂含量为10 mol%时,荧光粉在深紫外光激发下的饱和发射强度有所提高。由于在Y 0.998 Pr 0.002 InGe 2 O 7 体系中引入半径较大的La 3+ 离子替代半径较小的Y 3+ 离子,压应变的增加导致氧空位浓度的降低,从而改变了Pr 3+ 离子4f–4f 跃迁的1 D 2 →3 H 4 和3 P 0 →3 H 4 辐射的发射强度。La 3+ 离子掺杂的Y 0.998 Pr 0.002 InGe 2 O 7 荧光粉的CIE色坐标略有偏移,但在不同的La 3+ 离子掺杂含量下均处于白光区域。这为改善白光LED用Y 0.998 Pr0.002 InGe 2 O 7 单相白光荧光粉的发光性能提供了一种智能方法。此外,1 D 2 → 3 H 4 和 3 P 0 → 3 H 4 辐射的各种发射强度比使荧光粉可应用于氧气传感器。