XiaoMi-AI文件搜索系统
World File Search System红外
使用红外摄像头、雷达和摄像机进行基于人工智能的夜间行人检测和避让
简介 过去十年来，美国的行人死亡人数不断飙升。行人死亡人数增加了 46%，从 2010 年的 4,302 人增加到 2019 年的估计 6,301 人。夜间行人死亡人数增加了 54%，而同期白天行人死亡人数仅增加了 16%。在这些致命事故中，约 75% 发生在天黑后。此外，美国汽车协会 (AAA) 的一项研究测试了当前车辆中的行人检测，发现所评估的行人检测系统——由雷达（无线电检测和测距）、图像传感器（摄像头）、激光雷达（光检测和测距）和超声波声纳组成——在夜间条件下无效。该项目的目标是通过结合从三个独立传感器实时获取的数据并使用机器学习算法在夜间检测行人，以减少夜间行人死亡人数
50 至 1000 ᵒC 之间的高精度红外发射率，适用于太阳能材料表征
摘要。太阳能行业中使用的材料的总半球发射率是计算辐射热损失和材料效率的关键参数，尤其是在太阳能集热器吸收表面中。这是因为辐射热损失对太阳能发电厂发电的最终成本有重大的经济影响。我们位于西班牙巴斯克大学 (UPV/EHU) 的实验室 HAIRL [1] 是第一个在工作温度下发表太阳能吸收器表面 (SAS) 红外光谱发射率测量结果的实验室 [2]。该实验室允许在 0.83-25 μm 范围内测量 50 至 1000 ºC 之间的温度，并且还能够在 0 至 80 度之间的不同角度进行定向测量。因此，它适用于测量太阳能选择性涂层、研究高温稳定性和表征热能收集材料。在本次演示中，我们展示了我们实验室的规格、耐空气太阳能选择性涂层和热存储共晶合金的光谱发射率测量结果，并证明了在工作温度下进行测量以获得可靠数据的必要性。
具有 GST 的非易失性可切换红外隐身超薄膜
图1. 结构示意图及在正入射光下模拟得到的吸收光谱。(a)红外探测器的探测机理。目标的红外辐射透过大气后被红外探测器捕获。(b)双层超薄膜示意图及GST在不同状态之间的转变机制。当温度超过结晶温度𝑇𝑇 𝑐𝑐时，GST会逐渐由非晶态转变为结晶态，而一旦温度超过熔点𝑇𝑇 𝑚𝑚后，经过快速退火，GST又可以变回非晶态。(c)光谱椭偏仪测得的红外波段不同状态下GST的相对介电常数。(d)双相态超薄膜对正入射光的吸收光谱及大气透过光谱。
通过反硫化的申请和硫化聚合物的合成：通过剥离的工程红外透明度
摘要：氘化，硫化，无质子的玻璃状聚合物的合成为红外光学（IR）光学元件提供了一种途径，特别是用于MEDWAVE IR（MWIR）光子设备的途径。已利用一个疗法的聚合物来增强中子横截面与蛋白质聚合物的形态中子散射测量，但发现其他应用的实用性有限。我们报告了perd化的d 14-（1,3-二异丙苯基苯）的合成，其剥离水平以上超过99％，并且制备无质子的，无质子的，perdyuterated perdyerated poly- dyr-d-d-d 14-（1,3-二异丙苯基苯二异丙苯基苯二异丙苯基）（元素）（通过sulfcun）（sulfcan）。这些反应的详细结构分析和量子计算计算显示出显着的动力学同位素效应，这改变了机械途径，以形成deutero vs proteo poly（s -r -DIB）的不同共聚物微结构。此设计还可以通过将C -H键振动转移到3.3μm/3000 cm -1的3.3μm/3000 cm -1中，从而可以对MWIR透明度进行分子工程，从而在Proteo Poly（S- R -DIB）中观察到4.2μm/2200 cm -1。此外，还展示了薄膜MWIR光学光栅的制造，这些光栅由脱硫硫化的，无质子的Poly（S- r-d-d 14-dib）制成；这些光栅在3.39μm处的操作成功实现了，而proteo poly（s -r -Dib）光栅在这些波长下是不透明的，突出了这些材料中MWIR传感器和紧凑光谱仪的承诺。■简介
热电传感器耦合八木-宇田纳米天线用于红外检测
摘要：我们通过实验演示了热电传感器与纳米天线的耦合，这是检测红外能量的另一种选择。我们制造并测试了两种基于 Yagi-Uda 技术的纳米天线设计（单元件和阵列）变体和一个单独的纳米热电结阵列。纳米天线经过调整，可在中心波长 1550 nm（193.5 THz）光学 C 波段窗口处运行和响应，但它们在受到各种波长（650 nm 和 940 nm）激光激发时也表现出共振响应。纳米天线中的辐射感应电流与纳米热电传感器耦合，根据塞贝克效应产生了电位差。相对于参考纳米天线的均匀热测量，实验证实了所提出的纳米天线的检测特性；单元件检测到峰值百分比电压升高 28%，而阵列检测到中心波长处的峰值百分比电压升高 80%。与最先进的热电设计相比，这是首次根据基于塞贝克原理的平面设计实验报告如此高的峰值百分比电压。
使用轴棱镜双合透镜聚焦的红外激光脉冲通过硅形成超高纵横比结构
我们描述了如何将轴棱镜和透镜直接组合起来，为激光材料加工应用提供简单而有效的光束整形解决方案。我们产生了 1550 nm 的高角度伪贝塞尔微光束，这很难通过其他方法产生。结合飞秒脉冲的适当拉伸，我们可以获得半导体内部的优化条件，从而开发出高纵横比折射率写入方法。使用超快显微镜技术，我们用 200 fs 和 50 ps 脉冲表征了硅内部传递的局部强度和触发的电离动力学。虽然两种情况下产生的等离子体密度相似，但我们表明，重复的皮秒辐照会在激光束方向上自发地产生永久性的改变，从前表面损伤到辐照硅晶片的背面。与当今为电介质演示的直接微爆炸和微通道钻孔条件类似的条件仍然无法实现。尽管如此，这项工作证明了能量密度高于以前在半导体中实现的水平，并且是一种新颖的冲击写入模式，可以在硅中创建长宽比超过 ~700 的结构，而无需任何光束运动。沿观察到的微等离子体通道估计的电导率瞬态变化和测量的接近光速的电离前沿支持了在 GHz 重复率下光学可控的垂直电连接的设想。根据测量的超过 10 −2 的正折射率变化，通过冲击写入获得的永久性硅改性是光导结构。这些发现为电气和光学硅通孔的独特单片解决方案打开了大门，而硅通孔是 3D 芯片堆栈中垂直互连的关键元件。
使用轴棱镜双合透镜聚焦的红外激光脉冲通过硅形成超高纵横比结构
我们描述了如何将轴棱镜和透镜直接组合起来，为激光材料加工应用提供简单而有效的光束整形解决方案。我们产生了 1550 nm 的高角度伪贝塞尔微光束，这很难通过其他方法产生。结合飞秒脉冲的适当拉伸，我们可以获得半导体内部的优化条件，从而开发出高纵横比折射率写入方法。使用超快显微镜技术，我们用 200 fs 和 50 ps 脉冲表征了硅内部传递的局部强度和触发的电离动力学。虽然两种情况下产生的等离子体密度相似，但我们表明，重复的皮秒辐照会在激光束方向上自发地产生永久性的改变，从前表面损伤到辐照硅晶片的背面。与当今为电介质演示的直接微爆炸和微通道钻孔条件类似的条件仍然无法实现。尽管如此，这项工作证明了能量密度高于以前在半导体中实现的水平，并且是一种新颖的冲击写入模式，可以在硅中创建长宽比超过 ~700 的结构，而无需任何光束运动。沿观察到的微等离子体通道估计的电导率瞬态变化和测量的接近光速的电离前沿支持了在 GHz 重复率下光学可控的垂直电连接的设想。根据测量的超过 10 −2 的正折射率变化，通过冲击写入获得的永久性硅改性是光导结构。这些发现为电气和光学硅通孔的独特单片解决方案打开了大门，而硅通孔是 3D 芯片堆栈中垂直互连的关键元件。
IR融合：静态红外滴分析的融合框架结合数值解决方案和机器学习
摘要 - 片上功率电网（PG）的摘要分析至关重要，但由于综合电路（IC）量表的迅速增长，在计算上具有挑战性。当前EDA软件采用的传统数值方法是准确但非常耗时的。为了实现IR滴的快速分析，已经引入了各种机器学习（ML）方法来解决数值方法的效率低下。但是，可解释性或可伸缩性问题一直在限制实际应用。在这项工作中，我们提出了IR融合，该IR融合旨在将数值方法与ML相结合，以实现静态IR滴分析中准确性和效率之间的权衡和互补性。具体而言，数值方法用于获得粗糙的解决方案，并利用ML模型进一步提高准确性。在我们的框架中，应用有效的数值求解器AMG-PCG用于获得粗糙的数值解决方案。然后，基于数值解决方案，采用了代表PG的多层结构的层次数值结构信息的融合，并设计了Inpection unet u-net模型，旨在捕获不同尺度上特征的详细信息和相互作用。为了应对PG设计的局限性和多样性，将增强的课程学习策略应用于培训阶段。对IR融合的评估表明，其准确性明显优于以前的基于ML的方法，同时需要在求解器上迭代较少的迭代才能达到相同的准确性，与数值方法相比。
NV5高性能数字红外运动探测器数字检测Envy Seriestm -NVX80 -Paradox.ee
NVX80（3级双技术检测器）专为高安全性室外或室内环境而设计。部署Paradox的Seetrue™技术，再加上8个检测通道，NVX80由4倍向前看起来的PIR通道，2倍微波通道和2倍专用的蠕变探测器组成，全部由高级检测算法支持。提供出色的检测性能，NVX80绕开了常规和环境干扰，例如摇摆植物，小动物和光反射，因此可以最大程度地减少虚假警报。
半导体行业的量子成像 - A*OAR
红外 (IR) 成像是用于制造样品质量控制测量的重要工具之一。标准红外成像技术使用直接测量，其中光源和检测器在红外范围内工作。由于红外光源或检测器的选择有限，可能难以达到特定的红外波长。在我们的工作中，我们基于量子成像技术进行间接红外显微镜检查。这种方法允许我们用红外光探测样品，同时将检测转移到可见光或近红外范围。因此，我们展示了不同放大倍数下硅芯片的红外量子成像，其中样品在 1550 nm 波长下探测，但检测在 810 nm 下进行。我们还分析了该技术的可能测量条件，并估算了执行样品质量控制检查所需的时间。