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World File Search System纳米管
隧道纳米管：重塑连接
抽象的隧穿纳米管（TNT），连接的细胞之间的开放膜通道代表了一种新型的直接通信方式，以扩散各种细胞材料，包括生存信号或死亡信号，遗传材料，细胞器和病原体。他们的发现促使我们回顾了我们对涉及细胞通讯的许多生理和病理过程的理解，但也使我们能够在远处发现新的交流机制。虽然这已经丰富了田地，但它也引起了一些混乱，因为已经描述了不同的TNT样突起，尚不清楚它们是否具有相同的结构 - 功能。大多数研究都是基于低分辨率成像方法的，主要问题之一是不一致地证明了这些各种连接与转移属于不同种群之间的材料之间的概念。此简短审查研究了TNT的基本属性。在成年组织中，TNT被不同的疾病，应力和燃料信号刺激。“另外”，基于突触刺和TNT伪造的发展过程的相似性，我们认为大脑中的TNT早于突触传播，在未成熟神经元电路的编排中发挥了作用。
纳米管的持续增长 - 逐个组装-DNA- ...
人工生物分子纳米管是一种有前途的方法，可以建立模仿细胞细胞骨架能力生长和自我组织动态的材料。核酸纳米技术已经证明了各种自组装纳米管具有与实际细胞骨架成分的可编程，可靠的特征和形态学相似性。他们的产量通常需要热退火，这不仅与生理条件不相容，而且还阻碍了持续生长和动态自组织的可能性。在这里，我们报告了DNA纳米管，这些纳米管从恒定的室温下的五个短DNA链的简单混合物中进行自组装，并且在延长时间内可持续生长的能力显着。The assembly, done in a monovalent salt buffer (here, 100 mM NaCl), ensures that the nanoscale features of the nanotubes are preserved under these isothermal conditions, enabling continuous growth up to 20 days and the formation of individual nanotubes with near flawless arrangement, a diameter of 22 ± 4 nm, and length of several tens of micrometers.我们证明了单价阳离子以实现此类特性的关键作用。我们最终将链封装在微型隔室中，例如油中的微粒和巨型Unilamellar囊泡，它们用作简单的细胞模型。值得注意的是，纳米管不仅在这些条件下等温管生长，而且还会自组织为动态的高阶结构，例如环和动态网络，表明可以从持续生长和限制的结合中出现类似细胞骨架的特性。我们的研究提出了一种工程生物分子支架和材料的方法，以表现出持续的动态和栩栩如生的特性。
朝基于纳米管的传感器歧视药物分子
最近，非法滥用药物滥用急剧增加，与使用相关的死亡率越来越高。1–3要与滥用这些物质作斗争，必须检测不同的分子。因此，检测广泛的非法药物的能力，例如海洛因，可卡因，甲基苯丙胺和梅菲无人机，是一项重大挑战，其克服将为社会带来巨大的好处。4,5成功发现此类药物已成为减少威胁和风险的关键优先事项，6-10造成严重损害，例如呼吸，心脏，肾脏损害以及精神健康问题，例如暴力，抑郁，焦虑，焦虑和幻觉。11,12为了设计敏感，快速，便携式和低成本的传感纳米版，有必要开发新的纳米材料和设备概念，并制定新的计划和策略来控制，管理和开发精确的传感器芯片。已经提出了各种技术来检测非法药物，例如质谱，3,13,14个核磁共振，15,16 X射线粉末衍射17和高分辨率的液相色谱法。18
用碳 - 纳米管的电路量子电动力学 -
带有超级传导电路的电路量子电动力学（CQED）[1]是一个强大的平台，用于芯片量子光学元件和量子信息[2]。杂交超导电路根据其他系统与微波光子或人工原子的相互作用提供了对相干量子性能的访问[3-5]。近年来，通过用基于半导体的（s -n -s）JJS来代替常规铝（s -i -s）JJS（例如inas nanowires [6，7]，（7]，gasene）[8]和绘制图8和绘图[8]，已经实现了多种混合超导码头。 对于这些s-n-s JJS，正常或半导体与超导材料接触，这使得由于超导接近效应而导致超电流到流量[11]。 Andreev Refrections [12-14]描述了此类设备中库珀的运输。 可以通过在附近的栅极电极上施加电压来调整半导体的电导率，该电极调整了库珀对运输的调整，从而调整了交界处的约瑟夫森能量。 这些半导体 - 超导体混合量量子的强大技术动机是实现栅极电压已经实现了多种混合超导码头。对于这些s-n-s JJS，正常或半导体与超导材料接触，这使得由于超导接近效应而导致超电流到流量[11]。。可以通过在附近的栅极电极上施加电压来调整半导体的电导率，该电极调整了库珀对运输的调整，从而调整了交界处的约瑟夫森能量。这些半导体 - 超导体混合量量子的强大技术动机是实现栅极电压
Chao-et-Al-2024-抗抗氮化物纳米管 -
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基于纳米管模板和分子的高级1D异质结构
一家学校理工学院，加拿大蒙特利尔b实验室C查尔斯·库仑（Charles Colomb） INP，CNRS，Univers de Toulouse，118 De Narbonne，31062 Toulouse，Cedex 9，法国H Karlsruhe技术研究所（KIT） 法国。 e-mail: etienne.gaufres@cnrs.fr k Humboldt-universita zu Berlin, Germany L Lumin, Universite Ét Paris Saclay, ENS Paris Saclay, Centrale Supelec, CNRS, Orsay, France M University of Montreal, Canada N University of Vienna, Austria o University of Paris, Ecole Normale Paris, PSL, PSL, Free University of德国柏林，Q工程和信息学系，意大利佩加索大学，意大利的佩加索大学。 请参阅do：https：//doi.org/10.1039/d3cs00467h一家学校理工学院，加拿大蒙特利尔b实验室C查尔斯·库仑（Charles Colomb） INP，CNRS，Univers de Toulouse，118 De Narbonne，31062 Toulouse，Cedex 9，法国H Karlsruhe技术研究所（KIT） 法国。e-mail: etienne.gaufres@cnrs.fr k Humboldt-universita zu Berlin, Germany L Lumin, Universite Ét Paris Saclay, ENS Paris Saclay, Centrale Supelec, CNRS, Orsay, France M University of Montreal, Canada N University of Vienna, Austria o University of Paris, Ecole Normale Paris, PSL, PSL, Free University of德国柏林，Q工程和信息学系，意大利佩加索大学，意大利的佩加索大学。请参阅do：https：//doi.org/10.1039/d3cs00467h
纳米管中栅极静电可控性的增强
近年来，随着半导体技术进入10nm以下技术节点，短沟道效应（SCE）和功耗耗散问题成为场效应晶体管进一步小型化面临的巨大挑战，需要采取强制性措施予以解决。从3nm技术节点开始，环绕栅极结构提高的SCE抑制能力使环绕栅极场效应晶体管登上了历史舞台。本文展示了双栅极纳米管环绕栅极场效应晶体管（DG NT GAAFET）的超强静电控制能力，并与具有相同器件参数设计的纳米管（NT GAAFET）和纳米线环绕栅极场效应晶体管（NW GAAFET）进行了比较。与NT GAAFET和NW GAAFET相比，DG NT GAAFET的I on 分别提升了62％和57％。此外，由于静电控制的增强，DG NT GAAFET 中的 SCE 得到了明显抑制，这可以通过改善 I off 、SS 和 I on /I off 比来证明。另一方面，NT GAAFET 的 I on 与 NW GAA-FET 相当，而与 NW GAA-FET 相比，它的 I off 小 1 个数量级，SS 小近 2 倍，体现了纳米管通道结构的优越性。最后，通过 TCAD 模拟研究验证了纳米管通道结构，特别是双栅极纳米管结构对 L g 缩放的稳健性。关键词：双栅极，纳米管，纳米线，短沟道效应，功耗耗散。