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World File Search System纳米线
UNIT-III 3. 应用：纳米粒子，量子点，纳米线和薄膜在光子器件（LED，太阳能电池）中的应用。
单电子控制的基本概念：添加单个电子之前和之后的导电岛（a）。添加单个未补偿的电子电荷会产生电场 E，这可能会阻止添加以下电子。基于单电子转移的设备：a) 单电子盒：这是一种基于单电子转移的电子设备。图 (a) 显示了概念上最简单的设备，即“单电子盒”。该设备仅由一个小岛组成，小岛与较大的电极（“电子源”）之间通过隧道屏障隔开。可以使用另一个电极（“栅极”）将外部电场施加到岛上，该电极与岛之间通过较厚的绝缘体隔开，这不允许明显的隧穿。该场改变了岛的电化学电位，从而决定了电子隧穿的条件。图 (b) 显示了特定的几何结构，其中“外部电荷” Q e = C 0 U 可以很容易地可视化，(c) 显示了“库仑阶梯”，即平均电荷 Q = -ne 对栅极电压的阶梯式依赖性，适用于几个温度值。栅极电压 U 的增加会吸引越来越多的电子进入岛。电子通过低透明度屏障的传输的离散性必然使这种增加呈阶梯状。
在低反应等离子体环境中Cu纳米线的降解
建筑部门在所有部门的运营能源消耗和温室气体排放中的份额最高。许多国家设定的环境目标迫使需要改善现有建筑股票的环境足迹。建筑改造被认为是该方向的最有希望的解决方案之一。在本文中，提出了用于评估必要的建筑包络和能源系统改造的替代模型。人工神经网络被利用以建立此模型，以在准确性和计算成本之间取得良好的平衡。对所提出的模型进行了培训和测试，用于瑞士苏黎世市的案例研究，并将其与使用构建模拟和优化工具的建筑改造最先进的模型之一进行了比较。替代模型在较小的输入集上运行，而推导改造溶液所需的时间从3.5分钟减少到16.4μsec。结果表明，所提出的模型可以显着降低计算成本，而无需大多数改造维度的误差准确性。例如，改装成本和能源系统SE部门的平均精度为r 2 = 0。9408和F 1得分= 0。9450。最后，重要的是，这种替代改造模型可以有效地用于宽面积的自下而上的改造分析，并有助于加速采用改造措施。
纳米线量子点对原子过渡的可逆调整
不降低发射光子的性质，并且可以独立用于同一芯片上的单个NW-QD，到目前为止仍然是一个挑战。解决此问题对于将光子与需要MHz相连的量子系统与Sub-GHz精确的量子系统（例如原子集合）在量子网络中充当记忆的量子系统至关重要。在这里，我们演示了一种可逆的调整方法，可以将NW-QD的发射频率通过sub-GHz精度调整为300 GHz以上。我们通过气体凝结实现这一目标，然后通过局部激光消融将其部分逆转。此过程可很好地调节用于量子点的应力，从而调整其发射频率。我们通过调整跨原子共振的发射单光子的频率来验证该方法的精度和稳定性，以探测其吸收和分散体。我们观察到在D 1-Line共振下，在热纤维蒸气中，NW-QD的单光子吸收多达80％，并且与D 1-LINE基态的超精细转变相关的组速度下降75倍。我们观察到NW-QD发射的二阶自相关函数，寿命或线宽的效果没有明显的效果，最多可以调音300 GHz，并且在调音高达100 GHz时，我们看到对NW-QD的细胞结构分裂的影响最小。
ge/gesn纳米线用于中红外感测和成像
虽然子宫内膜异位症研究受到慢性资金不足的困扰，但这是进步的唯一限制吗？鉴于我们当前的知识，我们是否应该完全重新考虑研究方向？在这场辩论中，一些世界领先的研究人员将领导讨论这些问题。我们是否继续建立在子宫内膜异位研究的关键领域已经取得的进步，还是放弃这些途径并尝试一种全新的新方法。谁会随着子宫内膜异位症世界的这些巨人的胜利解决这个基本问题。
DNA-拟合超铁银纳米线的动力学
在DNA模板上制备的银纳米线的最新研究集中在两个基本应用上：纳米级电路和传感器。尽管具有广泛的潜力，但尚不清楚DNA-纳米线的形成动力学。在这里，我们提出了一个实验证明，表明在单分子水平下通过化学还原在单分子水平下直径为2.2+0.4 nm的银纳米线形成。我们使用光学镊子与微富集化学结合使用了AG⁺-DNA复合物和Ag-DNA复合物的形成期间的平衡和扰动动力学实验，以测量力光谱和Ag-DNA复合物。添加Agno 3导致2分钟内的力增加5.5-7.5 pn，表明Ag +紧凑了DNA结构。相比之下，添加氢验导致力减少4-5 pn。形态表征证实了由银原子形成的致密结构，桥接了DNA链，并在金属化之前和之后揭示了构象差异。我们使用粗粒的双链DNA（DSDNA）模型将实验数据与Brownian动力学模拟进行了比较，该模型提供了对力对持久长度的依赖性的见解。
纳米线/纳米线连接在...中发挥的作用
图3：（A-B）基于Si Nanonet的两个可能的晶体管配置的方案：（a）多平行 - 通道FET（MPC-FET）和（b）nanonet-fet（nn-fet）。对于MPC-FET，电流可以直接流过SINW，直接桥接源和排水管，而对于NN-FET，电流必须通过涉及SINWS和SINW/SINW连接的渗透路径流动。对应于源量距离的通道长度（L C）从5 µm到100 µm不等，而通道宽度（W C）固定为200 µm。（c）用10 ml胶体SINW悬浮液详细阐述的典型Si纳米纳特的SEM图像，对应于0.23NWS.μm-2的密度。（d）处理后Si Nanonet磁场效应晶体管的SEM顶视图。200 µm x 200 µm正方形对应于源/排水接触板。
超导纳米线中的高能准粒子的热和动力学
hal是一个多学科的开放访问档案，用于存款和传播科学研究文件，无论它们是否已发表。这些文件可能来自法国或国外的教学和研究机构，也可能来自公共或私人研究中心。
无茎INSB纳米线网络和纳米片在INP
在耐断层拓扑回路实现实验中的摘要是将纳米线与最小疾病相互连接。合并形成的平面外依赖二胺（INSB）纳米线网络是潜在的候选者。然而，它们的生长需要一个外来物质茎通常由INP – INA制成。该茎施加了局限性，其中包括限制纳米线网络的大小，通过晶界和杂质掺入引起障碍。在这里，我们省略了INP底物上无茎INSB纳米线网络的生长。为了使生长无茎，我们表明在INSB生长之前，需要使用Arsine（Ash 3）进行预处理。通过用纳米腔的选择性区域掩膜对底物进行构图，可以实现无茎纳米线生长的高收益，其中包含纳米线产生的受限金液滴。有趣的是，这些纳米线是弯曲的，由于合并故障而构成了互连纳米线网络的挑战。我们将这种弯曲归因于INSB纳米线中的砷杂质和插入式晶格不匹配的非均匀掺入。通过调整生长参数，我们可以减轻弯曲，从而产生大型和单晶的INSB纳米线网络和纳米片。这些纳米结构的大小和晶体质量的提高扩大了该技术制造先进量子设备的潜力。
通过压电响应力显微镜和 FEM 模拟研究半导体 ZnO 纳米线的直径相关压电响应
半导体压电纳米线 (NW) 是开发由生物相容性和非关键材料制成的高效机械能传感器的有希望的候选材料。人们对机械能收集的兴趣日益浓厚，因此研究半导体 NW 中的压电性、自由载流子屏蔽和耗尽之间的竞争至关重要。到目前为止，由于表征这些纳米结构中的直接压电效应所带来的实验挑战，这一主题很少得到研究。在这里，我们使用 DataCube 模式下的 PFM 技术并通过逆压电效应测量有效压电系数来摆脱这些限制。我们证明了垂直排列的 ZnO NW 的有效压电系数随着半径的减小而急剧增加。我们还提出了一个数值模型，通过考虑掺杂剂和表面陷阱来定量解释这种行为。这些结果对基于垂直排列的半导体 NW 的机械能传感器的表征和优化有很大影响。
通过图论构建忆阻纳米线网络连接组
神经网络的硬件实现是利用神经形态数据处理优势和利用与此类结构相关的固有并行性的里程碑。在这种情况下，具有模拟功能的忆阻设备被称为人工神经网络硬件实现的有前途的构建块。作为传统交叉架构的替代方案，在传统交叉架构中，忆阻设备以自上而下的方式以网格状方式组织，神经形态数据处理和计算能力已在根据生物神经网络中发现的自组织相似性原理实现的网络中得到探索。在这里，我们在图论的理论框架内探索自组织忆阻纳米线 (NW) 网络的结构和功能连接。虽然图度量揭示了图论方法与几何考虑之间的联系，但结果表明，网络结构与其传输信息能力之间的相互作用与与渗透理论一致的相变过程有关。此外，还引入了忆阻距离的概念来研究激活模式和以忆阻图表示的网络信息流的动态演变。与实验结果一致，新出现的短期动力学揭示了具有增强传输特性的自选择通路的形成，这些通路连接受刺激区域并调节信息流的流通。网络处理时空输入信号的能力可用于在忆阻图中实现非常规计算范式，这些范式充分利用了生物系统中结构和功能之间的固有关系。© 2022 作者。由 Elsevier Ltd. 出版。这是一篇根据 CC BY 许可开放获取的文章（http://creativecommons.org/licenses/by/4.0/）。