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World File Search System纳米线
体超导铟对一维锌超导纳米线超导电性的抑制效应'
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不同取向B2 结构FeAl 合金纳米线弯曲行为的分子动力学模拟*
（b），6.000 nm（c），8.900 nm（d）和9.300 nm（e），其中颜色表示不同的局部晶体结构：蓝色-BCC，绿色-FCC，RED-HCP和White-Inninnown； （f）在1860 PS和d = 9.300 nm的纳米线内的应变分布，其中原子是通过其局部剪切应变颜色的。
纳米线/纳米线连接在...中发挥的作用
图3：（A-B）基于Si Nanonet的两个可能的晶体管配置的方案：（a）多平行 - 通道FET（MPC-FET）和（b）nanonet-fet（nn-fet）。对于MPC-FET，电流可以直接流过SINW，直接桥接源和排水管，而对于NN-FET，电流必须通过涉及SINWS和SINW/SINW连接的渗透路径流动。对应于源量距离的通道长度（L C）从5 µm到100 µm不等，而通道宽度（W C）固定为200 µm。（c）用10 ml胶体SINW悬浮液详细阐述的典型Si纳米纳特的SEM图像，对应于0.23NWS.μm-2的密度。（d）处理后Si Nanonet磁场效应晶体管的SEM顶视图。200 µm x 200 µm正方形对应于源/排水接触板。
新颖的纳米结构纳米线和纳米壳
使它们适合于纳米素质，纳米传感，纳米电子等学科等。[5]。有许多类别的纳米线，根据其组成，结构和特性进行分组。•半导体纳米线：这些是使用硅，硝酸盐或氧化锌等半导体材料生产的，并在电子和光子学中广泛使用，用于半导体，太阳能电池，太阳能电池和光发射diodes（LEDS）等。[6]。•金属纳米线：这些由金，银或铜等金属元素组成，并用于导电电极/膜等应用中，作为化学过程的催化剂等。[7]。•氧化物纳米线：这些纳米线是使用金属氧化物（如二氧化钛或氧化铁）产生的，并用作传感器，催化剂和基于能量的储存电子[8]。•碳纳米管：具有类似于纳米线的特性的空心纳米结构。他们在电子，材料科学和生物医学工程中有应用[9]。•混合纳米线：这些由不同的
纳米线量子点的共振激发
纳米线中的 GaAs 量子点是可扩展量子光子学最有希望的候选者之一。它们具有出色的光学特性，可以频率调谐到原子跃迁，并为制造多量子比特设备提供了强大的平台，有望释放量子点的全部技术潜力。相干共振激发对于几乎任何实际应用都是必要的，因为它允许按需生成单个和纠缠光子、光子簇状态和电子自旋操纵。然而，这种激发方案下的纳米线结构的发射从未被证实过。在这里，我们首次展示了通过共振双光子激发和共振荧光从 AlGaAs 纳米线中外延生长的 GaAs 量子点实现双激子 - 激子级联发射。我们还报告说，共振激发方案与带隙以上激发相结合，可用于清洁和增强纳米线量子点的发射。
超导纳米线二进制移位寄存器
基于纳米晶的超导电子产品的发展迄今已限制在很少的设备电路上，部分原因是缺乏标准和健壮的逻辑细胞。在这里，我们介绍并实验展示了一组基于纳米晶的构件的设计，这些块可以配置并组合以实现内存和逻辑功能。通过对硝化氮化物的单个超导层进行图案制造设备，并在液态氦气中测量各种操作点。测试显示10 4位错误率，高于6 20％的边距高达50 MHz，并且在平面外36 MT磁场的效果下运行的可能性，在10 MHz时为6 30％的边缘。此外，我们设计并测量了由两个存储单元制成的等效延迟流量，以显示组合多个构件以制造更大电路的情况。这些块可能构成了纳米晶逻辑电路和有限状态机器的开发，具有潜在的应用在超导纳米导体单光子探测器中的潜在应用。
ID281-超导纳米线系列
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