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半导体纳米线中载流子动力学的近场超快纳米显微镜
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聚焦离子束沉积碳铂纳米线用于低温电阻测温
在低温下研究经典和量子热效应需要使用片上局部高灵敏度测温法。使用聚焦离子束 (FIB) 辅助沉积制备的碳铂复合材料形成粒状结构，本研究表明，这种结构特别适合此应用。使用 24 pA 离子束电流沉积的碳铂温度计在 1 K 以下具有高灵敏度，可与最好的低温温度计相媲美。此外，这些温度计可以使用无掩模工艺精确放置在芯片上数十纳米的范围内。它们还具有弱磁场依赖性，在施加 0 至 8 T 的磁场时电阻变化小于 3%。最后，由于目前广泛使用 FIB，这些温度计可集成到各种纳米级设备中。© 2020 Elsevier Ltd。保留所有权利。
聚焦离子束沉积碳铂纳米线用于低温电阻测温
我们研究了聚焦离子束沉积碳铂 (FIB C-Pt) 复合材料作为低温灵敏局部微温度计的用途，该复合材料可在器件制造的任何阶段无需使用掩模进行沉积。FIB 沉积是获得纳米级欧姆接触的常用方法 [20]。因此，它在这方面得到了广泛的研究。特别是，已经研究了 FIB C-Pt 的电阻率与成分 [21, 22, 23]、温度 [24, 25, 26, 27]、尺寸 [28, 29] 和沉积参数 [30, 31] 的关系。然而，FIB C-Pt 作为低温电阻温度计的潜力从未被研究过。虽然复合系统代表了一种新型的片上测温方法，但其成分元素 Pt [32, 33, 34, 35, 36, 37] 和 C [32, 38, 39] 已被用作电阻温度计，用于各种应用。对于纯 Pt 温度计，与大多数金属温度计一样，
校正：硫磺掺杂的CO3O4纳米线作为高能不对称超能力的高级负电极
b Klghei环境与能源化学，生物无机和合成化学主要实验室的Moe，化学与化学工程学院，Sun Yat-Sen University，Guangzhou 510275，P。R. R. Chine。电子邮件：luxh6@mail.sysu.edu.cn;电话：+86 20 84112245电子邮件：luxh6@mail.sysu.edu.cn;电话：+86 20 84112245
使用固态锂离子电池的旋转平台增强石墨烯纳米线的平面内均匀性
摘要：在固态锂离子电池（SLIB）研究的领域中，阳极开发仍然是焦点区域，因为固体电解质和阳极之间的接口在确定电池性能中起着至关重要的作用。在各种阳极材料中，由于其广泛的表面积，锋利的裸露边缘和高电导率，垂直排列的石墨烯纳米瓦尔（GNW）是有前途的候选者。这些功能为GNWS带来了提高固态电池效率和容量的巨大潜力。然而，在微波血浆化学蒸气沉积（MWPCVD）设备室中产生的等离子体表现出不均匀的分布，这使得在大面积上实现GNW均匀生长的挑战。为了改善GNW的生长期间的平面均匀性，将驱动电动机安装在基板支架下方，从而使底物在膜沉积过程中以恒定的速度旋转，从而增强了GNWS的平面均匀性。本文还表明，通过底物旋转，SLIBS的电荷分散性能得到改善。与先前报道的通过快速旋转和谐振场中缓慢搏动产生均匀的微波血浆的方法相比，这种设备的这种修饰更简单。此外，使用混合气体可以有效地改善面内GNW膜的均匀性，从而为SLIB阳极电极的质量产生提供可行的参考。
文章
摘要：过去几十年来，人们对基于半导体薄膜、纳米线和二维原子层的光电导体进行了广泛的研究。然而，没有明确的光增益方程可以用来拟合和设计这些器件的光响应。在本文中，我们根据实验观察，成功推导出硅纳米线光电导体的明确光增益方程。硅纳米线是通过标准光刻技术在绝缘体上硅晶片的器件层上进行图案化而制成的，该晶片上掺杂了浓度为 ∼ 8.6 × 10 17 cm − 3 的硼。研究发现，制成的硅纳米线具有宽度约为 32 nm 的表面耗尽区。该耗尽区保护沟道中的电荷载流子免受表面散射的影响，从而使电荷载流子迁移率与纳米线尺寸无关。在光照下，耗尽区呈对数变窄，纳米线沟道相应变宽。光霍尔效应测量表明，纳米线光电导不是由载流子浓度的增加引起的，而是由纳米线通道的加宽引起的。因此，纳米线光电导体可以建模为与纳米线表面附近的浮动肖特基结相关的电阻器。基于肖特基结的光响应，我们推导出纳米线光电导体的显式光增益方程，该方程是光强度和器件物理参数的函数。增益方程与实验数据非常吻合，从实验数据中我们提取出少数载流子的寿命为几十纳秒，与文献中报道的纳米线中少数载流子的寿命一致。关键词：光电导体，显式增益方程，增益机制，硅纳米线，光霍尔效应 P
JBX系列电子光束印刷系统
扫描电子显微镜（SEM）图像显示了INGAAS纳米线在Si上的选择性区域生长：垂直排列的纳米线在Si（111）底物上生长。纳米线之间的表面被SIO 2纤维覆盖。纳米线的直径为90 nm，高度为760 nm。
三维导电聚合物微纳电极在脑类器官研究中的应用与展望
在脑类器官中[58]。 （f）TPP制造光子晶体微纳米传感单元[59]。 （g）成像在脑类器官中[58]。（f）TPP制造光子晶体微纳米传感单元[59]。（g）成像
碳涂层对锂离子微生物阳极的光刻结构的SI纳米线的性能
生物多样性保护长期以来一直被认为是一种全球商品，那些最不能力承担成本1的人不应为此支付，其成功依赖于改善当地生计的人2。概述反映了这一信念。，尽管政策和言辞，但几乎没有证据表明保护区对当地社区的福利（尤其是在全球南方）的福利持续了净积极影响。尽管在国家和全球量表3上与受保护区相关的生物多样性和气候结果的奖学金存在相对较少的奖学金。在此问题上，三本全球合成论文4 - 6，提出了不确定的结果，并在证据基础中揭示了方法论弱点：Pullin等。4确定了一系列可能影响的途径，但很少发现严格的证据。 Kandel等。6发现了积极结果的证据，但报道说，更高质量的研究和非洲的研究较少识别积极影响。和Naidoo等。5发现保护区与人类福祉之间存在正相关 - 但是，这种关联对较长的保护区更为负面，作者无法建立因果关系。这些全球综合文件并不排除受益于当地人民的保护区的可能性，但证据的性质排除了公司的结论。缺乏明显的益处是因为许多案例研究表明了负面影响和侵犯人权1、7，并且由于保护区通常位于贫困高的地区8。在30年的时间里，我们自己在马达加斯加的工作表明，保护区可以承担大量的地方成本，他们无法补偿7、9（方框1）。
缩放栅环硅纳米线晶体管阵列中的电子传输机制
全栅环栅 (GAA) 是一种最佳器件配置，它能静电控制沟道长度最窄的晶体管 2，并最大限度地减少器件关断时的漏电流，从而使器件在每次切换时耗散更少。GAA 几何形状有多种可能，并且已经在水平 3 或垂直配置中得到验证。4 – 7 尽管技术解决方案有望最终将晶体管的栅极长度 L g 缩小到几纳米 5，但从一维（长栅极或大宽度）到全尺寸缩放的晶体管的转变对器件操作的影响仍有许多悬而未决的问题。其中，应明确解决所制造器件的质量和可能导致晶体管操作不良或电性能分散的波动源，以提出最终集成的解决方案。但是，经典的表征技术（如迁移率提取）不足以提供有关最终缩放时器件质量的信息，因为迁移率可能会在如此小的栅极长度下崩溃。 8 – 11 低频噪声可以成为一种非常精确的技术，用于表征低噪声纳米器件中的电子传输。12 , 13