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高纵横比硅沟槽的蚀刻。
在 DRAM 器件中制造电荷存储电容器时，高纵横比 (AR) 沟槽对于实现大电容值必不可少。高 AR 沟槽的蚀刻会受到固有 RIE 滞后机制的影响，这是由于深沟槽底部的离子能量和蚀刻物质数量减少所致。本文提出了两种方法来尽量减少这些问题，从而实现更高的硅蚀刻速率和更深的沟槽。本文所述工作中使用的气体混合物为 HBr + NF 3 + O 2 。沟槽蚀刻工艺的设计目的是在蚀刻沟槽时在侧壁上连续沉积一层薄钝化膜。这种氧化物状钝化膜 (SiO x F y Cl z ) 可防止沟槽侧壁在 XY 平面表面被蚀刻时被蚀刻。在蚀刻过程中平衡形成钝化膜对于在高纵横比沟槽蚀刻中实现高度各向异性至关重要。尽管钝化膜形成于包括蚀刻前沿在内的所有表面上，但沟槽底部的膜却不断被入射到该表面上的高能离子去除。然而，侧壁上的膜不受离子轰击（除了那些以掠射角接收离子且能量 > 阈值能量的区域），因此不会被蚀刻，从而防止硅的横向蚀刻。该过程还提高了掩模选择性，因为钝化膜也沉积在掩模表面上，从而降低了其有效蚀刻速率。据悉，蚀刻工艺内置有沉积组件，可在沟槽表面形成氧化物状钝化膜。由于沟槽开口附近的壁暴露在高浓度反应物等离子体中的时间最长，因此此处的沉积物较厚（> 25 nm），并随着深度逐渐变薄至 < 5 nm。沟槽下部沉积物较薄的另一个原因是，从倾斜掩模偏转的一些离子以掠射角到达该区域并使薄膜变薄。顶部沉积物较厚的直接后果是开口收缩，从而减小了这一临界尺寸，这反过来又通过减少进入沟槽孔的离子和中性粒子的数量而增加了 RIE 滞后。因此，可实现的深度减小，电池电容也减小了。显然，通过减薄衬里定期扩大该开口将允许更多蚀刻物质进入沟槽，底部的立体角增加，从而实现更高的硅蚀刻速率。虽然减薄可以在单独的系统中完成，但我们建议在本文中现场执行此步骤。需要定制此原位等离子清洗工艺，以便在此步骤中不会显著蚀刻掩模。这很关键，因为减薄工艺按要求，等离子体中几乎没有或完全没有沉积成分。我们已成功使用硅烷（例如 SiH 4 ）和含 F 气体（例如 NF 3 ）的混合物以及少量或完全没有氧气来进行此减薄步骤。另一种方法涉及去除钝化层
高效远程飞机的最佳机翼纵横比
这项工作调查了较高纵横比翼的潜力，以提高远程飞机的燃料效率。高纵横比机翼的主要特征是讨论的，并提出了航空结构机翼优化的过程。基于尾边控制表面偏转的自适应机翼技术，以实现最佳的升力分布，从而最大程度地减少巡航战斗中的阻力并最大程度地减少操纵流的负载减少，并由高级结构技术通过增加的应变易于应变和后式结构技术来补充。在优化过程中，使用高实现模拟方法来确定跨性别巡航流中的权限，机翼上的机翼上的载荷和复合机翼盒的质量。在所有流动条件下都考虑了静态气动弹性效应。最小化三个典型战斗任务的燃油消耗代表了目标函数。考虑控制表面和飞机装饰的几何整合。该过程的应用以优化机翼平面形，扭曲分布和控制表面变化构成了本出版物的主要部分。结果显示了12个顺序的最佳机翼纵横比。将纵横比的进一步增加到13。5显示空气动力学性能和由此产生的燃料消耗没有进一步改善。
细间距高纵横比FPC电镀工艺
方法图1示出了传统上用于制造FPC的减成法。在铜箔层上形成抗蚀层，在蚀刻过程中，铜箔层的未覆盖部分被溶解并去除。之后，去除抗蚀层，铜箔层的剩余部分成为线路。在蚀刻过程中，蚀刻不仅在铜箔层的厚度方向上进行，而且在横向（侧蚀）方向上进行，这使得在高密度布线中难以缩小线路间距。此外，由于使用厚铜箔，需要蚀刻大量的铜材料，这导致侧蚀的进展变化很大，因此线路宽度变化很大。此外，蚀刻开始的铜箔层的上部比下部蚀刻得更多，结果，线路横截面的顶部比底部更窄
负性高纵横比环氧光刻胶
对于永久性结构，建议温度高于 150 ° C。烤箱烘烤会增加交联，同时应力的增加最小。 存储 避免光照，存放在 4 – 21ºC 的直立密闭容器中。将光刻胶远离氧化剂、酸、碱和火源或点火。 处理和处置 请参阅 SDS 以了解处理和适当的 PPE。 HARE SQ™ 光刻胶含有易燃液体；远离火源、热源、火花和火焰。这种 HARE SQ™ 光刻胶与光刻胶处理中使用的典型废物流兼容。用户有责任按照所有当地、州和联邦法规进行处置。
带有径向流动与轴向流量的包装床TE的系统效率 - 纵横比的影响
本文比较了径向和轴向流填充床的净系统效率，包括热效率和压力下降效应，用于热能储存。传统的包装床系统是圆柱形几何形状，其中流体从一端流向另一端。然而，热分层和高压下降的问题导致了最近对径向流动系统的研究。一个潜在的好处是径向流量系统中的压降降低。本文使用数值模型比较了长宽比（ar = h / d床）的径向流量和轴向流量系统的性能（ar = h / d床）从0.21到1.92，在所有情况下，存储量保持恒定。当径向流床处于较低的长宽比（短/宽）时，将改善热锋，但压降很高。在高纵横比下，径向流动的速度降低，导致压降降低，但在热锋中的扩展增加，从而降低了热效率。相反的趋势在轴向流中注明。的热效率为83-91％，径向流量为83-94％，轴向流量为85-94％。净效率在内，包括压力下降的范围为74-82％，轴向流量为80-87％。在两个系统中，峰值效率均在最高和最低的纵横比之间。虽然某些具有径向流量的长宽比从净效率的角度胜过轴向流量，但结果表明，轴向流的最高净效率高于径向流量的轴向流量。总体而言，本文强调了创新TES设计的重要性及其提高能源效率的潜力。
使用轴棱镜双合透镜聚焦的红外激光脉冲通过硅形成超高纵横比结构
我们描述了如何将轴棱镜和透镜直接组合起来，为激光材料加工应用提供简单而有效的光束整形解决方案。我们产生了 1550 nm 的高角度伪贝塞尔微光束，这很难通过其他方法产生。结合飞秒脉冲的适当拉伸，我们可以获得半导体内部的优化条件，从而开发出高纵横比折射率写入方法。使用超快显微镜技术，我们用 200 fs 和 50 ps 脉冲表征了硅内部传递的局部强度和触发的电离动力学。虽然两种情况下产生的等离子体密度相似，但我们表明，重复的皮秒辐照会在激光束方向上自发地产生永久性的改变，从前表面损伤到辐照硅晶片的背面。与当今为电介质演示的直接微爆炸和微通道钻孔条件类似的条件仍然无法实现。尽管如此，这项工作证明了能量密度高于以前在半导体中实现的水平，并且是一种新颖的冲击写入模式，可以在硅中创建长宽比超过 ~700 的结构，而无需任何光束运动。沿观察到的微等离子体通道估计的电导率瞬态变化和测量的接近光速的电离前沿支持了在 GHz 重复率下光学可控的垂直电连接的设想。根据测量的超过 10 −2 的正折射率变化，通过冲击写入获得的永久性硅改性是光导结构。这些发现为电气和光学硅通孔的独特单片解决方案打开了大门，而硅通孔是 3D 芯片堆栈中垂直互连的关键元件。
使用轴棱镜双合透镜聚焦的红外激光脉冲通过硅形成超高纵横比结构
我们描述了如何将轴棱镜和透镜直接组合起来，为激光材料加工应用提供简单而有效的光束整形解决方案。我们产生了 1550 nm 的高角度伪贝塞尔微光束，这很难通过其他方法产生。结合飞秒脉冲的适当拉伸，我们可以获得半导体内部的优化条件，从而开发出高纵横比折射率写入方法。使用超快显微镜技术，我们用 200 fs 和 50 ps 脉冲表征了硅内部传递的局部强度和触发的电离动力学。虽然两种情况下产生的等离子体密度相似，但我们表明，重复的皮秒辐照会在激光束方向上自发地产生永久性的改变，从前表面损伤到辐照硅晶片的背面。与当今为电介质演示的直接微爆炸和微通道钻孔条件类似的条件仍然无法实现。尽管如此，这项工作证明了能量密度高于以前在半导体中实现的水平，并且是一种新颖的冲击写入模式，可以在硅中创建长宽比超过 ~700 的结构，而无需任何光束运动。沿观察到的微等离子体通道估计的电导率瞬态变化和测量的接近光速的电离前沿支持了在 GHz 重复率下光学可控的垂直电连接的设想。根据测量的超过 10 −2 的正折射率变化，通过冲击写入获得的永久性硅改性是光导结构。这些发现为电气和光学硅通孔的独特单片解决方案打开了大门，而硅通孔是 3D 芯片堆栈中垂直互连的关键元件。
将Greb1l鉴定为小鼠中纵横内心脏的遗传决定因素，表明心脏管的扭转通过短缺祖细胞
sé’ho ne Bernheim, 1 Adrien Borgel, 1 Jean-Franc¸ Ois Le Garrec, 1 Emeline Perthame, 1, 2 Audrey Desgrange, 1 Cindy Michel, 1 Laurent Guillemot, 1 Sé´ Bastien Sart, 3 Charles N. Baroud, 3, 4 Wojciech Krezel, 5 FranceSca Raimondi, 6, 7 Damien Bonam Ste´phane Zaffran，8 Lucile Houyel，7和Sigole` Ne M. Meilhac 1，9， * 1 Universite´ Paris´paris cite’，想象 - Isistitut Pasteur，心形形态发生，Inserm umr1163，75015 Paris，Paris，Paris，Paris，Paris，France 2 Institut pasteur，Insteitut'Pasteur，biub citite's Biub cite gibiart和Biotrat'sick and hub sick and hub sick and hub toct and hub astics and hub castics和toct hub，法国3巴黎大学的巴斯德研究所，介绍了，物理微功能和生物工程，基因组与遗传学系，法国75015，法国45015，《流体动力学》实验室，CNRS，E´COLECHNICE，ET PARYTECHNIQUE de PARIS，91120 PALASE的CNR，E´COLE PALYTECHNICE，MOLET PALASE，MMOLE，GERICS 5 Cellular, Institute of HEALTH and Research Me Dical (U1258), National Center for Scienti fi c Research (UMR7104), Universite´ de Strasbourg, fe´ ration of Translational Decine by Strasbourg, 67404 Illkirch, France 6 Pediatric Radiology Unit, Horator University Necker-Enfants, Aphp, Universite´ PARIS CITITE´, 149 rue de SE` VRES, 75015 PARIS, France 7 M3C-Necker, HOT PITAL ACTITIE NECKER-ENFANTS MALADES, APHP, Universite´ PARIS CITE´, 149 rue de Se` Vres, 75015 Paris, France 8 Aix Marseille Universite´, Inserm, MMG, U1251, Marseille, France 9 Lead Contact *Correspondence: sigolene.meilhac@institutimagine.org https://doi.org/10.1016/j.devcel.2023.09.006