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IRS21867S 600 V、4 A、高侧和低侧栅极驱动器
描述 IRS21867 是一款高压、高速功率 MOSFET 和 IGBT 驱动器，具有独立的高侧和低侧参考输出通道。专有的 HVIC 和闩锁免疫 CMOS 技术可实现坚固的单片结构。低 VCC 操作允许在电池供电应用中使用。逻辑输入与标准 CMOS 或 LSTTL 输出兼容，低至 3.3 V 逻辑。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，旨在最大限度地减少驱动器交叉传导。浮动通道可用于驱动高侧配置中的 N 通道功率 MOSFET 或 IGBT，工作电压高达 600V。
引导服务线
DC Water 的无铅 DC 计划旨在实现一项雄心勃勃的目标，即到 2030 年公平地拆除所有铅服务线。自 2019 年以来，我们更多地了解了整个特区的铅服务线位置、如何高效地完成全区范围内的铅服务线拆除，以及与客户就更换计划进行沟通的有效方式。我们利用这些经验教训修订了 2021 年铅服务线更换计划，以确保我们在 2030 年前拆除和更换特区内的每一条铅服务线。在该计划中，我们描述了最近的现场调查和更换工作的结果如何促使我们重新评估原始服务线清单的准确性。我们仔细检查了用于制定初始清单的所有数据源，并将特区内的所有服务线分类为已验证的铅服务线、疑似铅服务线、无信息（没有管道材料记录的服务线）、疑似非铅服务线和已验证的非铅服务线。此更新的库存分类系统为 DC Water 在估计特区内剩余的铅服务线时提供了更高的置信度。为了最终确定可疑的服务线是铅还是非铅，我们正在调查和验证任何被归类为可疑铅、可疑非铅或没有信息的房屋的服务线材料。在我们将要调查的房屋中，我们估计其中大约有 42,000 所房屋需要更换。随着我们在现场了解更多信息，我们将更新清单并在 Lead Free DC 网站上实时与公众分享。
FAMES 中试线
FD-SOI 技术（在欧洲发明、获得完整专利和开发，非常适合加强欧洲的工业实力）得到了众多欧盟合作项目框架（ENIAC、ECSEL、KDT、CHIPS）的支持，涉及许多学术和工业合作伙伴。这些项目为创建强大而全面的生态系统做出了巨大贡献。大部分 FD-SOI 价值链（晶圆制造、建模、芯片设计和工艺等）由欧洲掌握和托管。Soitec 是 FD-SOI 衬底晶圆制造领域的全球领导者，意法半导体 (ST) 和 GlobalFoundries (GF) 使用 Soitec 的晶圆在欧洲加工 28nm 和 22nm FD-SOI 集成电路。高通、谷歌、三星、索尼、博世、Nordic、NXP 等全球领先公司和
特发性脊柱侧弯女性的侧半规管不对称
晚发型或青少年特发性脊柱侧弯 (AIS) 是一种三维脊柱异常，在 10 至 16 岁儿童中发病率为 1–3%[1–4]。由于 AIS 的病因不明[5]，干预措施针对的是解剖结构畸形，而不是畸形的根本原因。最近的证据表明，前庭系统可能在 AIS 的病因中发挥作用[6–9]，因为它会影响下丘脑、小脑和前庭脊髓通路[10]。前庭系统由耳石器和三个正交半规管 (SCC) 组成 [11]。每个半规管都与对侧的半规管协同工作。角加速度会导致 SCC 内的毛细胞偏转，从而提供有关运动方向和强度的传入信号 [12, 13]。这些信号共同有助于平衡和姿势控制。角加速度敏感性与管道形态直接相关 [14]，这表明任何结构异常都可能导致下游效应，包括平衡受损和姿势肌肉活动受损。由于 SCC 在出生时具有固定的大小和形状 [10, 15, 16]，异常可能通过激活负责躯干支撑的棘旁肌在 AIS 的发病机制中起早期致病或促成作用 [3]。先前的研究发现，与正常对照组相比，AIS 患者存在前庭形态异常 [10, 17]。然而，关于 SCC 管道形态在 AIS 中的作用存在争议 [18, 19]。我们的目标是建立一种新颖的半规管成像方法，以评估鳞状细胞癌和 AIS 解剖变异之间的关联。我们测试了 AIS 患者的鳞状细胞癌几何形状的左右差异是否与对照组相比被夸大。