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World File Search System线切割
Keselowski Advanced Manufacturing (KAM) 是一家垂直整合工程通过批量生产制造公司，拥有增材制造
• 2 - Mazak INTEGREX i-300S（7 轴） • 2 - Mazak Variaxis i-800（5 轴） • 1 - Mazak 立式铣床 VCN-530C（4 轴） • 1 - Mazak HCN5000 卧式铣床（4 轴） • 1 - Mazak HC5000 卧式铣床（4 轴） • 1 - Mazak VTC3000KY 立式铣床（3 轴） • 1 - Mazak QT- Primos（2 轴） • 3 - Matsuura MX-330 PC10（5 轴） • 1 - GF 线切割
如何制作带翻页功能的精简版 WordPower25 SS 书
2. 剪下各部分。整页词汇表应位于正确的位置，以便将活页按照它们在页面上的位置对齐。您将看到活页之间的虚线，以指导您进行切割。此切割指南将为您提供下一个活页的顶部。沿着活页标签切割并沿着线切割，以及直接穿过其他活页的底部。这应该对齐活页的顶部并为装订选项留出相等的空间。打印机的对齐和打印方式各不相同，因此在开始切割时请检查它是否正确对齐。
先进的制造工艺
内容总小时数 1 非常规加工工艺：基于机械能的工艺磨料喷射加工（AJM）、水射流加工（WJM）、磨料水射流加工（AWJM）、超声波加工（USM）。工作原理 – 所用设备 – 工艺参数 – MRR- 应用。基于电能的工艺电火花加工 (EDM) – 工作原理- 所用设备- 工艺参数 - 表面光洁度和 MRR - 电极/工具 – 电源和控制电路 - 工具磨损 – 电介质 – 冲洗 – 线切割 EDM – 应用。基于化学和电化学能量的工艺化学加工和电化学加工 (CHM 和 ECM) - 蚀刻剂 – 掩蔽剂 - 涂抹掩蔽剂的技术 - 工艺参数 – 表面光洁度和 MRR - 应用。ECM 原理 - 设备- 表面粗糙度和 MRR 电路 - 工艺参数- ECG 和 ECH - 应用。基于热能的工艺激光束加工和钻孔 (LBM)、等离子弧加工 (PAM) 和电子束加工 (EBM)。原理 – 设备 – 类型 - 光束控制技术 – 应用。
工业设计系资料资源清单
丹佛金属表面处理 http://www.denvermetalfinishing.com/ 3100 E. 43 rd Ave., Denver, CO 80216 (303) 295 – 1380 各种金属表面处理 折扣钢铁 http://www.discountsteel.com/ 1075 S. Yukon St., Lakewood, CO 80226 M – S 8am-5pm 钢、铝、各种其他金属 eMachineshop http://www.emachineshop.com/ 创建自定义金属和塑料部件：数控铣床、数控车床、光化学铣床、快速成型、激光切割、水射流切割、等离子切割、冲孔、折弯、铸造、线切割、塑料注塑成型等。 EMJD Corp http://www.emjd.com/ 4590 S Windermere St. Englewood, CO 80110 (303) 761 – 5236 激光、剪切机、冲床、折弯机、锯床、轧辊、机械加工、五金件、焊接、精加工 Frontier Metal Stamping http://www.frontiermetal.com/ 3764 Puritan Way, Frederick, CO 80516 (303) 458 – 5129
材料
摘要：由于切削力过大、表面完整性低和刀具磨损，通过传统金属切削工艺加工用于骨科植入物的钛合金 (Ti6Al4V) 具有挑战性。为了克服这些困难并确保高质量的产品，各行各业都采用线切割电火花加工 (WEDM) 来精确加工形状复杂的钛合金。目标是使用 Box-Behnken 设计 (BBD) 和非支配排序遗传算法 II (NSGA II) 使 WEDM 加工参数尽可能高效地加工生物相容性合金 Ti6Al4V。创建了一个二次数学模型来表示生产率和质量因子 (MRR 和表面粗糙度)，输入参数包括不同的输入参数，例如脉冲有效 (T on) 时间、脉冲无效 (T off) 时间、峰值幅度 (A) 电流和施加的伺服 (V) 电压。建立的回归模型和相关的预测图提供了一种可靠的方法来预测工艺变量如何影响两个响应，即 MRR 和 SR。研究了四个工艺变量对两种响应的影响，结果表明脉冲持续时间和电压对材料去除率 (MRR) 有重大影响，而脉冲持续时间则影响质量 (SR)。当包含重要的工艺因素时，MRR 和 SR 之间的权衡强调了对可靠的多目标优化方法的需求。利用名为非支配排序遗传算法 II (NSGA II) 的智能元启发式优化方法提供帕累托最优解，以实现高材料去除率 (MRR) 和低表面粗糙度 (SR)。
以金属有机骨架为填充物的逆向混合键合
图 29 (a) 每个 I/O 电阻测量的开尔文结构；(b) 键合铜柱的 SEM 横截面 ......................................................................................................... 44 图 30 带 Ru 封盖的 Cu-Cu 键合测试台 ............................................................................. 45 图 31 铜上钌的沉积过程 ............................................................................................. 45 图 32 30 分钟 FGA（合成气体退火）退火后表面 Cu 和 Ru 的百分比 [98] ............................................................................................................. 46 图 33 450°C FGA 退火后，带有针孔的 Ru 表面上的扩散 Cu ............................................................................. 47 图 34 用于研究填充的测试台制造流程 ......................................................................................... 49 (b) 使用 Keyence 7000 显微镜对集成结构进行的顶视图，描绘了顶部芯片上的通孔密度 ............................................................................................................................. 50 图 36 (a) 200 次循环氧化铝 ALD 后扫描 EDX 映射区域的 SEM 图像；(b) 集成结构的顶视图，突出显示了填充覆盖研究区域；(c) EDX 映射结果描绘了铝和氧 pe 的区域 ............................................................................................................................. 51 图 37 200 次循环氧化铝 ALD 后脱粘底部芯片的 FIB 横截面描绘 ............................................................................................................................. 52 图 38 (a) 200 次循环真空清除 ALD 后 EDX 研究的不同区域 - 底部芯片正下方通孔区域（区域 A）、距最近通孔 300 µm 的区域（区域 B）、靠近边缘的区域（区域 C）； (b) 三个 r 中的 Al/Si 比率 ...................................................................................................................................... 52 图 39 (a) 集成结构的对角线切割；(b) 描绘平滑填充区域和无填充的受损区域后集成结构横截面的近视图；(c) 描绘填充高达 300 µm 的横截面的未放大图像 ............................................................................................. 54 图 40 (a) ZIF-8 MOF 化学和结构；(b) 示意图表示 ALD ZnO 和转化为气相沉积 MOF，体积膨胀和间隙填充约为 10-15 倍。 ........................................................................................................................................... 56 图 41 在完全填充芯片到基板间隙后，距离最近通孔 300 µm 的集成结构横截面的 EDX 映射.............................................................................57 图 42 横截面的 SEM 图像显示抛光模具未渗透到通孔和芯片与基板的间隙中，从而使上述结果可信 ............................................................................................. 58 图 43 (a) 测试台示意图，顶部芯片具有通孔 Cu-Cu 键合到底部基板；(b) Cu-Cu 键合测试结构的 SEM 横截面（面 A）；(c) 键合前顶部芯片表面的铜垫/柱（面 B）；(d) 键合前底部芯片表面的带有金属走线的铜柱（面 C） ............................................................................................................................. 59 图 44 20 nm ZnO ALD 后脱键合的底部芯片概览；(b) 通孔下方未沉积填充的区域 ............................................................................................................. 60 图 45 顶部芯片靠近通孔的区域，显示扩散半径为 (a) 572 µm，通孔直径为 240 µm； (b) 75 µm 直径通孔的 364 µm .............................................................. 61 图 46 20 nm ZnO ALD 后的脱粘底部芯片概览，a) 脉冲时间 250 ms 和温度 150°C；(b) 脉冲时间 1 秒和温度 150°C ................................................................................ 62 图 47 反向混合键合的工艺顺序 ............................................................................................. 63 图 48 (a) 1 个 MOF 循环后脱粘底部芯片的概览；(b) 在底部芯片中间观察到的 MOF 晶粒表明已完全渗透............................................................................................................. 64 图 49 靠近底部基板中心的 FIB 横截面，如预期的那样，显示了 500 nm MOF ............................................................................................................................................. 65 图 50 (a) 5 个 MOF 填充循环后脱粘底部芯片的概览；(b)62 图 47 反向混合键合的工艺顺序 .......................................................................................... 63 图 48 (a) 经过 1 个 MOF 循环后，脱键合底部芯片的概览；(b) 在底部芯片中间观察到的 MOF 晶粒表示完全渗透............................................................................. 64 图 49 靠近底部基板中心的 FIB 横截面，如预期的那样显示了 500 nm MOF ............................................................................................................................. 65 图 50 (a) 经过 5 个 MOF 填充循环后，脱键合底部芯片的概览；(b)62 图 47 反向混合键合的工艺顺序 .......................................................................................... 63 图 48 (a) 经过 1 个 MOF 循环后，脱键合底部芯片的概览；(b) 在底部芯片中间观察到的 MOF 晶粒表示完全渗透............................................................................. 64 图 49 靠近底部基板中心的 FIB 横截面，如预期的那样显示了 500 nm MOF ............................................................................................................................. 65 图 50 (a) 经过 5 个 MOF 填充循环后，脱键合底部芯片的概览；(b)