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文章 基于 MEMS 的压阻式压力传感器的机械膜片结构设计，以提高灵敏度和线性度 Phongsakorn
2 泰国微电子中心（TMEC）、国家电子和计算机技术中心、国家科学技术发展局、Chachoengsao 24000，泰国电子邮件：a s6209091960016@email.kmutnb.ac.th，b，* ekachai.j@tggs.kmutnb.ac.th（通讯作者），c hwanjit.rattanasonti@nectec.or.th，d putapon.pengpad@nectec.or.th，e karoon.saejok@nectec.or.th，f chana.leepattarapongpan@nectec.or.th，g ekalak.chaowicharat@nectec.or.th，h wutthinan.jeamsaksiri@nectec.or.th 摘要。本文针对低压工作范围提出了一种改进的微机电系统 (MEMS) 压阻式压力传感器设计，该传感器由花瓣边缘、横梁、半岛、三个横梁和一个中心凸台组合而成，以提高传感器性能，即灵敏度和线性度。利用有限元法 (FEM) 预测 MEMS 压阻式压力传感器在 1-5 kPa 施加压力下的应力和挠度。利用幂律制定纵向应力、横向应力和挠度的函数形式，然后将其用于优化所提设计的几何形状。仿真结果表明，所提设计能够产生高达 34 mV/kPa 的高灵敏度，同时具有 0.11% 满量程 (FSS) 的低非线性。半岛、三个横梁和中心凸台的设计降低了非线性误差。通过增加花瓣边缘宽度可以提高灵敏度。还将所提设计的传感器性能与文献中先前的设计进行了比较。比较结果表明，所提设计的性能优于先前的设计。关键词：MEMS、压阻式压力传感器、有限元法、灵敏度、线性度。
基于负电压自举电容器的具有改进线性度的自举开关
摘要 本文提出了一种用于改善采样线性度的新型自举开关。该技术通过引入负电压自举电容来降低关键信号节点的寄生电容，从而提高其线性度。采用0.18 µ m互补金属氧化物半导体技术对所提电路进行仿真，其寄生电容比传统结构大约降低30%。在轨到轨输入情况下，在50 MHz采样率下，采用1.2 V电源供电时，所提开关实现了83.3 dB的信噪比 (SNDR) 和82.3 dB的无杂散动态范围 (SFDR)。与传统自举开关相比，所提自举开关的SFDR和SNDR分别提高了11.7和12.7 dB。关键词：自举开关、线性、低电压 分类：集成电路（存储器、逻辑、模拟、射频、传感器）
基于 VDVTA 和 OTA 的 CMOS 实现的全电子可调一阶全通滤波器，在低电源电压 ± 0.85 V 下具有最佳线性度
本文介绍了一种新型一阶全通滤波器配置。所提出的全通滤波器配置采用两种配置，即基于 VDVTA 和 OTA 的一阶全通滤波器配置。所提出的第一种配置采用单个 VDVTA 和一个接地电容器，而所提出的第二种配置采用两个 OTA 和一个接地电容器。所提出的两种配置都是完全电子可调的，其品质因数不依赖于可调极点频率范围。所报告的配置具有较低的主动和被动灵敏度，并且功耗较低，电源电压非常低，±0.85 V，偏置电压为±0.50 V。使用 0.18 µm CMOS 技术工艺参数验证了所提出的 VDVTA 和两个基于 OTA 的一阶全通滤波器配置的 PSPICE 模拟。
基于有源电感、具有大输出电压摆幅的高线性度 10 Gb/s MOS 电流模式逻辑驱动器
一些设计挑战[18,19]。有源电感使用晶体管构建，因此电压摆幅低于无源电感，因为晶体管需要较大的电压余量。并且晶体管的非线性特性使有源电感的电感阻抗随偏置点而变化[20]。当有源电感工作在相对较大的电压摆幅下时，输出阻抗的变化很大。为了增加输出电压摆幅，做了一些其他的工作[21-23]。它们克服了阈值电压的限制，因此所需的电压余量降低了，但是晶体管非线性的影响仍然存在。为了使阻抗变化可接受，它们仅对输出电压摆幅提供有限的增加。