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World File Search System线性模式
采用高压超结 MOSFET 的线性模式运行
现代高压功率 MOSFET 的发展催生了超快开关和超低电阻器件。最新的英飞凌 CoolMOS™ 第 7 代技术在 600 V 至 950 V 的电压等级范围内提供无可争议的一流 R DS(on)。英飞凌的技术领先地位不仅使新的更小封装（如 ThinPAK 5x6 或 SOT-223）成为可能，而且还使现有封装中 R DS(on) 值小得多的 CoolMOS™ 产品成为可能。仅在十年前生产的类似功率半导体需要至少三倍的面积才能实现相同的性能。换句话说，前几代功率 MOSFET 的 R DS(on) 至少是现代 CoolMOS™ 第 7 代芯片（具有相同的芯片面积）的三倍。然而，SJ MOSFET 技术向超快开关发展的进步也带来了某些缺点。尽管现代高压 SJ MOSFET 因其开关模式 (SM) 操作而受到赞赏，但它们也存在一些不适合某些应用的局限性。有两个特点值得注意：首先，最新的 HV SJ MOSFET 的安全工作区 (SOA) 图变窄了。面积减小的原因是，对于给定的通道上电阻 (R DS(on) )，当今最先进的功率 MOSFET 使用的硅片面积要小得多。不幸的是，这也意味着特定 R DS(on) 的功率处理能力 (P tot ) 会降低，因为热阻值 (R th 和 Z th ) 会随着芯片面积的减小而增加。这可以用以下公式来解释：
用于 LiDAR 应用的盖革和线性模式的微芯片激光器和雪崩光电二极管面包板
1 里斯本大学理学院天体物理和引力中心 (CENTRA)，坎普大区，里斯本 1749-016，葡萄牙； ana.sousa@synopsisplanet.com （广告）; pintografael@gmail.com （RP）; bac@sim.ul.pt （BC）; bnarribas@gmail.com（印度）； hugo.onderwater@synopsisplanet.com （HO）; prgordo@fc.ul.pt (PG) 2 Synopsis Planet，Advance Engineering Unipessoal LDA，2810-174 Almada，葡萄牙 3 里斯本大学科学学院天体物理和空间科学研究所，Campo Grande，1749-016 Lisbon，葡萄牙； maabreu@fc.ul.pt 4 里斯本大学高等技术学院（IDMEC），Av. Rovisco Pais 1, 1049-001 里斯本，葡萄牙 5 蔚蓝海岸大学，蔚蓝海岸天文台，法国国家科研中心，拉格朗日实验室，06304 尼斯，法国； patrick.michel@oca.eu * 通信地址：ruimelicio@gmail.com;电话：+351-218-417-351
循环经济转型目标建模
人们越来越意识到物质消费不断增加，循环经济的概念也成为主流（Brody，2022；Leipold 等人，2023）。这一概念最近获得了显著的关注，成为传统线性经济的更可持续的替代方案（Stahel，2019）。在线性经济中，资源被开采、加工、制造成产品、使用，最终被丢弃为废物。这种经济模式对自然生态系统施加了过大的压力，正如最近一项关于行星边界的研究所强调的那样（Richardson 等人，2023）。相比之下，循环经济旨在通过强调减少材料开采、延长产品寿命和最大限度地减少废物处理的策略来改变这种线性模式。从线性模式向循环模式的转变旨在促进更可持续、更具弹性和更高效的经济（Mayer 等人，2019）。
Hongwei Microelectronics
1。压力范围：300〜1100HPA（海拔9000m〜 -500m）。2。电源电压：5V 3。低功耗：标准模式6中的5μA。高精度：在低功率模式下，分辨率为0.06HPA（0.5米）7。高线性模式，分辨率为0.03hpa（0.25m）8。温度输出9。I2C通信模式10。 与温度补偿12. MSL 1反应时间：7.5ms 13。 备用电流：0.1μAI2C通信模式10。与温度补偿12.MSL 1反应时间：7.5ms 13。备用电流：0.1μA
2024/25计划标题：...
计划法规：2024/25计划标题：工业和商业生物技术守则科学硕士学位：5017F注释：（i）这些计划法规应与大学教授的计划法规一起阅读。（ii）强制模块是学生必须采用的模块。（iii）所有模块均以线性模式传递，除非另有说明为块，电子学习或远程学习。1。程序结构
对患有阅读障碍的程序员的程序代码阅读模式的线性顺序的观察
软件工程行业越来越意识到神经多样性工程师在劳动力队伍中的作用和价值。其中一个动机是将软件开发所需的技能与患有自闭症谱系障碍的个人的处理优势相结合。神经多样性的一个方面是阅读障碍，通常表现为个体的一系列阅读缺陷。在本文中，我们以最近的研究为基础，该研究试图调查患有阅读障碍的程序员阅读程序代码的方式是否与没有阅读障碍的程序员不同。该分析的特别重点是阅读代码时扫视运动的性质和线性模式。本文介绍了一项研究，其中使用眼动追踪设备记录了 28 名程序员（14 名患有阅读障碍，14 名没有阅读障碍）在阅读和理解三个屏幕上的 Java 程序时的目光注视。利用更广泛的阅读障碍文献中的见解，制定了假设来反映患有阅读障碍的程序员预期的扫视行为。一系列现有的程序阅读线性指标被调整并用于数据统计分析。结果与其他最近的研究一致，表明患有阅读障碍的程序员没有表现出与对照组明显不同的线性模式。非线性凝视约占所有扫视运动的 40%。根据现有数据，我们提出了一些初步见解，表明理解程序代码时的非线性阅读程度可能补充患有阅读障碍的程序员的处理和解决问题的风格。
自重构低噪声系数和高射频输入功率过驱动 LNA 的原始设计程序：应用于 X 波段 GaN MMIC
摘要 — 本文提出了一种基于宽带隙 RF 技术设计低噪声放大器的原创方法。这些 LNA 能够承受高电磁信号（如电子战中使用的信号），同时提供高探测率。该研究介绍了基于相同策略的单级 LNA 和两级 LNA 的原始设计程序。这些自重构 LNA 可以从高探测率模式（低 NF）切换到高线性模式（高输入压缩模式 IP 1dB ）。该设计策略与稳健的 LNA 设计进行了比较，后者使用更大的晶体管尺寸来提高线性度，但代价是 NF 略有下降。在放大器输入端，RF 步进应力结果已达到 30 dBm，没有任何破坏，并提供稳定的 S 参数和噪声系数。
psammichnites gigas gigas sub-ichnozone和微生物诱导的沉积结构（MISS），来自Kunzam La组（Cambrian），Hojis Valley，Kinnaur，Kinnaur，喜马allayaur
我们提出了cambrian kunzam la组中的psammichnites gigas gigas sub-ichnozone，在霍吉斯山谷（Hojis Valley），基因纳（Kinnaur），喜马拉雅山基因纳（Kinnaur），表明寒武纪2 - 宿主沉积物的4阶段4年龄。此外，该论文还报告了八个微生物诱导的沉积结构（MISS），这些沉积结构（MISS）由独特的网状（“象皮肤”和“ Kinneyia”类型）和线性模式，带有破裂的涟漪波峰和垫子凹陷结构。这些错过与Psammichnites Gigas Gigas的放牧小径密切相关。在交替排序且厚（3 - 20厘米）的砂岩床和相关沉积结构中保存的保存表明浅海，近岸到岸面的沉积环境。Miss，Ripple标记和生物稳定的底物表明碎屑的c ux有限，光自养生微生物可能有助于其形成。
低噪声穿透式 APD，适用于低光照水平检测
Excelitas Technologies 的 C30902EH 系列雪崩光电二极管采用双扩散“穿透”结构制造而成。这种结构在 400 nm 和 1000 nm 之间具有高响应度，并且在所有波长下都具有极快的上升和下降时间。该设备的响应度与高达约 800 MHz 的调制频率无关。探测器芯片密封在改进的 TO-18 封装中的平板玻璃窗后面。光敏表面的有用直径为 0.5 毫米。C30921EH 采用光导管 TO-18 封装，可将光从聚焦点或直径达 0.25 毫米的光纤高效耦合到探测器。密封的 TO-18 封装允许将光纤连接到光导管末端，以最大限度地减少信号损失，而不必担心危及探测器的稳定性。 C30902EH-2 采用密封 TO-18 封装，内嵌 905nm 通带滤波器，C30902BH 采用密封球透镜，构成了 C30902EH 系列。C30902 APD 系列还具有单光子 APD (SPAD)，可在盖革模式和线性模式下以更高的增益运行。有关更多信息，请参阅我们的 C30902SH 数据表。
低压低功耗高增益运算放大器的设计...
摘要 本文介绍了一种高增益运算跨导放大器结构。为了实现具有改进的频率响应的低压操作，在输入端使用体驱动准浮栅 MOSFET。此外，为了实现高增益，在输出端使用改进的自共源共栅结构。与传统的自共源共栅相比，所用的改进的自共源共栅结构提供了更高的跨导，这有助于显著提高放大器的增益。改进是通过使用准浮栅晶体管实现的，这有助于缩放阈值，从而增加线性模式晶体管的漏极-源极电压，从而使其变为饱和状态。这种模式变化提高了自共源共栅 MOSFET 的有效跨导。与传统放大器相比，所提出的运算跨导放大器的直流增益提高了 30dB，单位增益带宽也增加了 6 倍。用于放大器设计的 MOS 模型采用 0.18µm CMOS 技术，电源为 0.5V。