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在线和在线电池CT由MetalJet源启用
由于全球生产的增加，摘要质量保证和过程控制正在成为电动汽车（EV）电池生产的越来越重要的方面。在由电动汽车电池引起的车辆火灾之后，人们对质量保证的需求不断上升。此外，能够通过监视生产过程来快速提高新生产线的产量是抵消新电池工厂成本的重要方面。高速X射线CT的检查是提高质量保证的一种方法，例如通过阳极/阴极悬垂检查，但还分析了完整的电池单元，以进行连续过程控制。在这里，我们通过利用MetalJet X射线源与高性能光子计数检测器相结合，可以显示在棱柱形和圆柱电动电动机电池电池中可以实现CT扫描的速度。
硅单晶晶格参数的精度比较
晶格间距比较器由美国国家标准与技术研究所建立，用于测量近乎完美的晶体之间的晶格间距差异。文中详细描述了晶格间距比较器，晶格间距差异是从测量到的不同晶体的布拉格指数差异推断出来的。比较器是一个采用近乎无色散几何结构的晶体光谱仪。它有两个 s 射线源、两个探测器和一个允许第二个晶体样品远程交换的反射镜。一个灵敏的异差干涉仪用光学多边形校准，用于测量布拉格角。晶体的厚度几乎相等，因此记录的轮廓呈现出均匀的振荡，允许
MSE4179：先进材料表征及其工业应用
《先进材料表征技术》课程主要讲授光子（同步辐射X射线）、电子和中子的成像、衍射和光谱的物理原理和定量分析，以及它们在半导体、能源材料、化学工程、建筑、信息技术和航空航天等工业领域的应用。从空间分辨率、能量分辨率、时间分辨率、检测灵敏度和效率等方面，比较了同步辐射X射线源、散裂中子源和像差校正电子显微镜等先进仪器设备中的各种表征技术，以展示它们在获取晶体结构、原子位置、电子结构、自旋结构、元素分布、磁性、化学键和动力学演化等信息方面的优缺点。这些知识指导学生选择合适的表征技术来研究材料的目标结构并理解其在工业应用中的结构-性能关系。
粒子通道精细结构的观察...
利用 Mainz Microtron MAMI 新开发的 530 MeV 正电子束和弯曲硅晶体，我们首次成功通过平面通道和体积反射高效操纵正电子轨迹。这揭示了带电粒子在弯曲晶体平面之间通道时，其角分布中存在精细结构。我们的实验结果与模拟结果的一致不仅表明对带电粒子束和弯曲晶体之间相互作用的理解更加深刻，而且标志着在 GeV 范围内运行的圆形加速器中慢速提取创新方法开发的新阶段，对全球加速器都有影响。我们的研究结果还标志着通过周期性弯曲晶体中的通道过程生成先进 x 射线源的重大进展，这源于对正电子束和此类晶体之间相互作用的全面理解。
母校StudiorumUniversitàdiBologna Archivio ...
我们提出了一个分析框架，以模拟单个和多个机械表面振荡器对在半空间中传播的垂直极化弹性波的动力学的影响。该公式扩展了规范羔羊的问题，该问题最初是为了获得由弹性半空间中的谐波线源引起的波场。简而言之，我们的方法利用经典羔羊问题的解决方案作为绿色的功能来制定由附着在表面上的机械谐振器群产生的多个散射场。对于任意数量的谐振器，以任意配置的弹性半空间上排列，以封闭形式获得位移字段，并用在有限元环境中开发的数字验证。我们证明，我们的方法可以正确地对谐振器的单一和夫妻相互作用，并捕获复杂的动力学现象，例如由谐振器阵列（也称为元图）引起的复杂动力学现象，例如波转换和波浪定位。
关于未来硬X射线探测器的考虑
X射线源在强度和时间域都继续前进，从而开放了分析物质结构和特性的新方法，前提是可以有效地记录所得的X射线图像。从这个角度来看，我们关注像素区域X射线检测器的特定局限性。尽管像素区域X射线检测器也在近年来进步，但许多实验仍然受到限制。特别是，需要以GHz速率获取连续图像的检测器；在同一图像中以数百kHz的帧速率在同一图像中可以准确测量单个光子和数百万光子的检测器；并有效地捕获了非常硬X射线的图像（20 keV至数百keV）。最新检测的数据量和数据速率超过了大多数实用的数据存储选项和读取带宽，因此需要在线处理数据或代替全帧全帧读数。
X 射线光电子能谱 (HT-NAP-XPS)
X 射线源：AlKα（1.48keV），单色光斑尺寸：直径约 200μm 分析时压力：10-8mbar 至 25mbar 分析时温度：最高 1000℃ 可插入最大尺寸为 40mm（宽）x 40mm（长）x 40mm（高）的单个样品 可插入最大尺寸为 10mm（宽）x 10mm（长）x 40mm（高）的多个样品 可插入最大尺寸为 10mm（宽）x 10mm（长）x 5mm（高）的空气和湿度敏感样品 三个摄像头用于实时观察样品 惰性/反应剂：N2、Ar、H2、O2、CO、CO2、H2O 快速样品加载程序 使用氩离子溅射进行表面铣削，可进行深度剖析 用于空气或湿度敏感样品的惰性样品转移系统 用于设置测量位置和时间的半自动系统条件和任务调度
通过非绝热临界相匹配的明亮高谐波光子能量范围的扩展
关键电离分数的概念对于高谐波生成至关重要，因为它决定了最大的驱动激光强度，同时保留了谐波的相位匹配。在这项工作中，我们揭示了第二个非绝热的临界电离馏分，这基本上扩展了相匹配的谐波能量，这是由于气体等离子体中强激光场的强烈重塑而产生的。我们通过针对广泛的激光条件进行实验和理论之间的系统比较来验证这种情况。尤其是，高谐波光谱与激光强度的性质经历了三种独特的场景：（i）与单原子截止的巧合，（ii）强光谱延伸和（iii）光谱能量饱和。我们提出了一个分析模型，该模型可以预测光谱扩展，并揭示了非绝热效应对中红外激光器的重要性。这些发现对于在光谱和成像中应用的高亮度软X射线源的开发很重要。
通过调整像素密度优化同轴平面栅极氧化锌纳米线场发射阵列的性能
摘要：门控ZnO纳米线场发射阵列在平板X射线源、光电探测器等大面积真空微电子器件中有着重要的应用。由于应用需要高像素密度的场发射阵列，因此需要研究像素密度对门控ZnO纳米线场发射性能的影响。本文模拟了在保持横向几何参数成比例的情况下不同像素尺寸下同轴平面门控ZnO纳米线场发射阵列的性能，获得了发射电流和栅极调制随像素尺寸的变化曲线。利用所获得的器件参数，制备了同轴平面门控ZnO纳米线场发射阵列。场发射测量结果表明，当栅极电压为140 V时，制备的ZnO纳米线场发射阵列的电流密度为3.2 mA/cm 2，跨导为253 nS，表明栅极控制有效。性能的提高归因于优化的栅极调制。
皮秒雪崩探测器
摘要：皮秒雪崩探测器是一种基于 (NP) 漂移 (NP) 增益结构的多结硅像素探测器，旨在实现带电粒子跟踪，具有高空间分辨率和皮秒时间戳功能。它使用传感器体积深处的连续结来放大薄吸收层中电离辐射产生的一次电荷。然后，在较厚的漂移区内移动的二次电荷会引发信号。IHP 微电子公司使用 130 nm SiGe BiCMOS 工艺生产了一个概念验证单片原型，该原型由间距为 100 µ m 的六边形像素矩阵组成。探测站和 55 Fe X 射线源的测量表明，原型机可以正常工作，并且显示雪崩增益，最大电子增益可达 23。雪崩特性研究（经 TCAD 模拟证实）表明，55 Fe 源的 X 射线转换产生的较大初级电荷引起的空间电荷效应限制了有效增益。