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World File Search System组合器
申请注意： - 高压电池组合...
2。安全和代码合规性，以确保安全且NEC符合NEC的操作，正确额定的断开手段，过电流保护设备（OCPDS）和适合HV电池组的组合器。根据国家电气代码（2023 ED）第706.15（a）条的ESS系统必须具有断开连接的手段：“应提供均值与所有接线系统（包括其他电源系统，利用设备及其相关的场所）断开ESS的均值。”本节还描述了上述断开连接的允许位置：•“（1）位于ESS内的（1）位于视线内，距离ESS内的3 m（10 ft）之内，在ESS•（3）的情况下，不在ESS的视线，断开的含义，均值或封闭的封闭方式，或者在隔离的范围内，均应符合110.25的范围。由于包含了积分，双极，可锁定连接，贝斯将符合此要求（图2）在电池管理单元（BMU）内。此设备断开电池系统的正电池输出导体和负电池输出导体。
创新的镜头类型的微条过渡
由于在热身时间，尺寸和高电压需求方面，真空管的缺点，摘要，固态功率放大器（SSPA）带有氮化碳（GAN）单片微小电路集成电路（MMIC）是电源水平的关键解决方案，可在连续波浪中进行一些均匀水平。 SSPA是这些RF功率水平最方便的解决方案，这是由于其重量低，尺寸较小，可以忽略不计的热身操作，低压操作和高可靠性。 空间功率放大器（SPA）组合技术是SSPA的最佳候选者，这是由于分裂和组合功能的固有低衰减。 水疗中心主要使用两种类型的探针：横向和纵向，例如鳍线。 本文介绍了基于介电透镜理论的微带（FLUS）过渡的宽带鳍。 与传统芬兰过渡的比较模拟显示出匹配性能的显着改善，并且过渡的机械电阻有很大的提高。 所提出的创新flus使用根据介电镜头理论设计的底物。 显示了WR22波导内部的FLU的频率模拟。 这些证据比使用四分之一波变压器（QWT）匹配的经典FLUS过渡更好的表现。 制作并测量了带有介电透镜的Q带空间功率组合器，显示了这种创新的FLUS过渡的出色性能。摘要，固态功率放大器（SSPA）带有氮化碳（GAN）单片微小电路集成电路（MMIC）是电源水平的关键解决方案，可在连续波浪中进行一些均匀水平。SSPA是这些RF功率水平最方便的解决方案，这是由于其重量低，尺寸较小，可以忽略不计的热身操作，低压操作和高可靠性。空间功率放大器（SPA）组合技术是SSPA的最佳候选者，这是由于分裂和组合功能的固有低衰减。水疗中心主要使用两种类型的探针：横向和纵向，例如鳍线。本文介绍了基于介电透镜理论的微带（FLUS）过渡的宽带鳍。与传统芬兰过渡的比较模拟显示出匹配性能的显着改善，并且过渡的机械电阻有很大的提高。所提出的创新flus使用根据介电镜头理论设计的底物。显示了WR22波导内部的FLU的频率模拟。这些证据比使用四分之一波变压器（QWT）匹配的经典FLUS过渡更好的表现。制作并测量了带有介电透镜的Q带空间功率组合器，显示了这种创新的FLUS过渡的出色性能。
用于组合 C/Ku 的 C/Ku 正交模式换能器
槽之间的间距为 0。槽具有独特的轮廓，可实现 C 波段信号的耦合，而不会降低 Ku 波段信号的质量。槽的对称配置和独特轮廓确保在这种不连续性处不会产生高阶模式，从而可能降低 Ku 波段信号的质量。然后，分支波导网络将来自每对槽的耦合信号传送到合适的功率组合组件（例如 Magic T），每个组件用于相应的极化。应用 VSAT 网络 ISRO 提供将组合 C/Ku 接收馈电系统的技术转让给具有足够经验和设施的印度工业。有兴趣获得专有技术的企业可以写信详细说明其目前的活动、基础设施和设施。Ku 波段 OMT Ku 波段 OMT 由一个一端封闭的中央圆形波导和四个对称排列的分支矩形波导组成。一对这样的共线矩形波导将相同极化的信号传送到功率组合网络。中心圆形波导由一个独特的匹配元件组成。匹配元件用于对传入信号进行良好匹配。选择对称配置是为了避免在公共连接处不产生高阶模式。功率组合网络可以通过 Magic T 或简单的 E 平面分叉波导功率组合器来实现。
可重新配置的非均匀功率组合V波段PA，+17.9 dbm PSAT和26.5％的PAE在16 nm Finfet CMOS
摘要 - 本文介绍了双模式V波段功率放大器（PA）的设计，该功率放大器（PA）使用负载调制提高了功率退回（PBO）时的效率。PA利用可重新选择的两/四向电源组合器来实现两种离散的操作模式 - 满足功率和后退功率。Power Combiner采用了两种技术来进一步提高PBO的PA效率：1）使用具有不均匀转弯比的变压器的使用，以减少对两种模式和2模式之间的PA内核的阻抗差异的差异）使用拟议的开关方案，以消除与背部功率模式相关的泄漏电感（bpm）。两阶段PA的峰值增益为21.4 dB，分数BW（FBW）为22.6％（51-64 GHz）。在65 GHz时，PA的P SAT为 + 17.9 dBm，OP 1 dB为 + 13.5 dBm，峰值功率增加了效率（PAE），在全功率模式下为26.5％。在BPM中，测得的P SAT，OP 1 dB和峰值PAE分别为 + 13.8 dBm， + 9.6 dBm和18.4％。在4.5 dB后退时，PAE的点数增加了6％。PA能够在平均P OUT/PAE分别 + 13 dbm/13.6％的情况下扩增6 GB/S 16-QAM调制信号，EVM RMS为-20.7 dB。此PA在16 nm的FinFET中实施，占0.107 mm 2的核心面积，并在0.95-V电源下运行。
TRM 微波炉
RM Microwave 是 RF/微波行业的马拉松选手之一。51 年前，三个厌倦了在大型公司工作的人成立了技术研究与制造公司，并开始制造有线电视组件。多年来，公司更名为 TRM Microwave，并将日益增长的能力集中在国防市场上。其约 90% 的业务用于国防，其余用于太空任务。TRM 的产品包括无源 RF/微波组件、集成组件和子系统。大量的 RF/微波电路功能（波束形成器、功率分配器、耦合器和混合器）可作为独立产品提供；但更多时候，它们是集成组件的构建块。这些广泛的组件设计让客户相信 TRM 拥有执行具有挑战性的程序的知识和生产能力。随着系统设计人员转向更换行波管放大器，TRM 发现开发用于 GaN 功率放大器的组合器的需求日益增长。除了低损耗，高功率合成器还必须消散设备反射功率产生的热量。该公司的工程师正在开发创新方法来应对这一热管理挑战，这为定向能和导弹计划打开了大门。为了支持其增长，TRM 于今年早些时候扩建了其工厂，将其位于新罕布什尔州贝德福德的工厂面积扩大了一倍，达到约 25,000 平方英尺。该公司在现有建筑上增加了一个两层楼的扩建部分，然后对原有建筑进行了改造，使两层建筑看起来相同。扩建创造了两个制造楼层，一个用于标准生产，另一个用于新产品开发。增加的空间使标准生产流程与价值流保持一致，包括
曾德干涉仪
摘要 本文介绍了一种非平衡马赫-曾德干涉仪 (MZI) 固有的干涉特性，该干涉仪通过精密制造技术在绝缘体上硅平台上实现。研究深入探讨了自由光谱范围 (FSR) 与非平衡 MZI 各种长度之间的复杂关系。值得注意的是，模拟结果与实验结果的比较显示出了惊人的一致性。 关键词：马赫-曾德干涉仪、光子学、绝缘体上硅、波导 1. 简介 硅光子器件因其吸引人的特性而越来越受欢迎。小尺寸、大折射率对比度和 CMOS 兼容性是硅光子器件的特性之一，这些特性使其成为电信、生物医学等多个行业的首选器件[1]。马赫-曾德干涉仪 (MZI) 是最广泛使用的硅光子器件组件之一。在硅平台上实现的马赫-曾德尔干涉仪是各种应用的关键元件，从电信（用于光子波导开关和光子调制器）到传感和信号处理 [2]、[3]、[4]。MZI 的实用性源于其干涉特性，这是通过在 MZI 的两个臂之间产生相对相移来实现的。这种相移可以通过使用移相器或使 MZI 的两个臂的光路长度不相等来实现。MZI 的两个臂不相等的 MZI 配置称为不平衡 MZI。在本文中，我们展示了一种不平衡 MZI 设计，我们对其进行了建模、模拟和随后的制造。我们研究了几种不平衡 MZI 设计，并分析了这些设备的模拟和实验传输特性。我们阐明了波导建模的过程，并进行了分析以补偿制造变化，并详细介绍了一些数据分析。 2. 材料与方法 2.1 理论 马赫-曾德干涉仪 (MZI) 包括一个分束器和一个光束组合器，它们通过一对波导相互连接，如图 1 所示。MZI 配置包括分束器将波导输入端 (E i ) 的入射光分成波导的臂或分支。随后，光在输出端重新组合成光束
宽带2×2硅氮化物平台上的多模式接口
基于自我成像效应[1]，多模式干涉仪（MMI）可以用作光束拆分器，这是光子积分电路的基本构建块。MMI与Y分支和方向耦合器相比，由于其定义明确的振幅，相位和出色的公差[2，3]，提供了卓越的性能。因此，MMI在Mach-Zehnder干涉仪（MZIS）[4]，分裂和组合器[5，6]，极化束分裂器[7]中找到应用。与MMIS尺寸降低或性能提高有关的研究已发表[8-11]。最近，在SOI上使用MMI设备的次波光栅在内的设计表现出了巨大的承诺[12，13]。次波长光栅（SWGS）是光栅结构，它利用小于波长的光向音高[14]，抑制衍射效应并表现出各向异性特征[12]。通过工程化各向异性折射率，SWG已在许多应用中使用，例如纤维芯片表面和边缘耦合器[15-17]，微功能波导[18]，镜片[19]，波导cross [20]，多路复用器[17，21，22]，相位移动器[23]和Optical Shifters [23]和Optical Sheifters [23] [23] [24] [24] [24] [24]。使用这种元物质，SWG MMI设备的带宽已在SOI平台上显着扩展[12，13]，这使包括波长二线二线器[25]，宽带偏振器梁拆分器[26] [26]和双模式束分配器有益于广泛的应用[27]。砖SWG结构以减轻制造分辨率的要求[28，29]。在SOI平台旁边，其他CMOS兼容材料，例如氮化硅，氮化铝和硝酸锂引起了很多关注。氮化硅（Si 3 N 4）由于其超低损失[30]，非线性特征[31]，从400 nm到中红外[32]脱颖而出[31]。像SOI平台一样，人们对在硅硅平台内实现高性能MMI设备也非常感兴趣。在本文中，我们将SWG MMI理论从SOI平台扩展到其他集成的光子平台，专门针对300 nm厚的氮化硅平台。我们的目标是设计和优化具有较小脚印和宽操作的SWG MMI设备
更换电池储能系统
AC 交流电 ACD 交流断路器 AC-FT 英亩英尺 ADJ 可调 AHJ 具有管辖权的机构 ALT 交流电 AL 铝 APPROX 近似 AUX 辅助 AWG 美国线规 AZ 方位角 BESS 建筑储能系统 BOL 使用寿命开始 BIL 基本绝缘水平 BLDG 建筑 BOC 电池背面 C 摄氏度 C/L 中心线 CB 组合箱 CLR 清晰 CN 同心中性 CONT 连续 CONFIG 配置 CT 电流变压器 CU 铜 DAS 数据采集系统 DC 直流 DIA 直径 DISC 断路器 DWG 图纸 (E) 现有 EGC设备接地导体 EMT 电气金属管 EOL 寿命终止 EOR 记录工程师 EQ 相等 F 华氏度 FCI 故障电流指示器 FO 光纤 FT 固定倾斜 GALV 镀锌 GEC 接地电极导体 GFDI 接地故障检测器中断器 GHI 整体水平辐照度 GOAB 联动空气断路器 GND 接地 GSU 发电机升压变压器 HV 高压 ID 内径 INV 逆变器 IMC 中间金属导管 IMP 阻抗 ISU 逆变器升压变压器 JB 接线盒 kV 千伏，千伏kW 千瓦，千瓦 LBOR 负荷断路器 油浸旋转 LFNC 液密柔性非金属导管 LV 低压 MCB 主断路器 MCOV 最大连续工作电压 MIN 最小 MET 气象站 MOV 金属氧化物压敏电阻 MV 中压 MVA 兆伏安，兆伏安 MW 兆瓦，兆瓦 NEC 国家电气规范 NEG 负极 NTRL 中性线 OAE 或认可相等 OC 中心 OCPD 过流保护装置 OCTE 户外核心电信外壳 OD 外径 OH 架空OTDR 光时域反射仪 PCS 功率转换系统 PH/P 相位 POA 阵列平面 POCC 公共耦合点 POI 互连点 POS 正极 PRCLF 部分范围电流限制 PT 电压变压器 PV 光伏 PVC 聚氯乙烯 RFI 信息请求 RMC 刚性金属导管 SAT 单轴跟踪 SCADA 监控和数据采集 SCB 串式组合器箱 SCH 时间表 SF 平方英尺/英尺 SIM 类似 STC 标准测试条件 TBD 待定 TOF 基础顶部 TW 测试井 TYP 典型 UGPB 地下拉力箱体 (UON) 除非另有说明 UPS 不间断电源 V 伏，伏特 VA 伏安，伏安 VAC 伏特交流电 VDC 伏特直流电 VIF 现场验证 WP 防风雨 WS 气象站 XFMR 变压器
高级课程
会议 1：SID 年度业务会议 2024 年 5 月 14 日星期二 / 上午 8:00 – 8:20 / 220A 房间 会议 2：开幕致辞/主旨演讲 2024 年 5 月 14 日星期二 / 上午 8:20 – 10:20 / 220A 房间 主席：Hyun-Jae Kim，延世大学 2.1：主旨演讲 1：量子点中的量子魔力：合成开启纳米探索之旅 Moungi Bawendi，麻省理工学院教授 2.2：主旨演讲 2：新现实：AR 和 MR 中显示的机遇和挑战 Jason Hartlove，Meta 显示和光学副总裁 2.3：主旨演讲 3：超越像素，创新显示引领未来 TCL 首席执行官赵军 会议 3：AR 光合路器 (AR/VR/MR) 2024 年 5 月 14 日星期二 / 上午 8:20 – 10:20 2024 年 11 月 14 日 / 上午 11:10 - 下午 12:50 / 房间 220B 主席：Robert Visser 博士，应用材料公司 联合主席：Michael Wittek，默克公司 3.1：特邀论文：衍射波导组合器中的现实与模拟 Guillaume Genoud，Dispelix Oy，芬兰埃斯波 3.2：特邀论文：AR 光学的当前技术和发展 Jee Myung Kim，LetinAR，韩国安养 3.3：变形-XR：用于高效、宽视场近眼显示的成像波导技术 Graham Woodgate，Rain Technology Research Ltd.，英国牛津 3.4：具有曲面波导的时尚外形近眼显示器 Jaeyeol Ryu，三星研究中心，韩国首尔 3.5：杰出论文：用于 AR 显示的全彩色、宽视场单层波导 Qian杨，中佛罗里达大学，美国佛罗里达州奥兰多 第四场：量子点诺贝尔奖（发射、微型 LED 和量子点显示器） 2024 年 5 月 14 日星期二/上午 11:10 - 下午 12:10/220C 室 主席：意法半导体 Jonathan Steckel 博士 联合主席：NS Nanotech 的 Seth Coe-Sullivan 4.1：特邀论文：利用胶体纳米晶体合成和自组装来创建模块化光学和光电材料和设备 Chris Murray，宾夕法尼亚大学，美国宾夕法尼亚州费城 4.2：特邀论文：量子点：更亮？苏黎世联邦理工学院，瑞士苏黎世 4.3：特邀论文：QD-LED 发展概况：现状及未来前景 Yeo-Geon Yoon，三星显示有限公司，韩国龙仁 第 5 场：集成 EMR 手写笔显示器（交互式显示器和系统/传感器集成和多功能显示器） 2024 年 5 月 14 日星期二/上午 11:10 - 下午 12:10/房间 LL21CD 主席：Hiroshi Haga，天马日本有限公司 联合主席：Derek Solven，Synaptics 5.1：阵列基板中集成天线线圈的 Incell 电磁共振触摸 LCD Chuan Shuai，TCL 华星光电科技股份有限公司，中国武汉 5.2：柔性 OLED 显示屏的电容式触摸和电磁传感器集成设计 Lihua Wang，合肥维信诺科技有限公司，中国合肥