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World File Search System结双极
双极抑郁症患者的低剂量白介素-2
保留所有权利。未经许可就不允许重复使用。（未经同行评审证明）是作者/资助者，他已授予Medrxiv的许可证，以永久显示预印本。此预印本版的版权持有人于2024年7月19日发布。 https://doi.org/10.1101/2024.07.19.24310686 doi：medrxiv preprint
单极 - 双极交叉状态的证据
域壁中的扭结（和反kinks）之间的弹性相互作用在塑造域结构及其动力学方面起着关键作用。在散装材料中，扭结作为弹性单孔相互作用，取决于壁之间的距离（d -1），通常以刚性和直域的结构为特征。在这项工作中，通过原位加热显微镜技术在独立样品上的原位加热显微镜技术研究了域结构的演变。随着样本量的减小，观察到显着转化：域壁表现出明显的曲率，并伴随着域壁和连接密度的增加。这种转换归因于扭结的明显影响，引起了样品翘曲，其中“偶极 - 偶极”相互作用是主导的（d -2）。此外，在实验上鉴定出单极和偶极方案之间描述单极和偶极方案之间的交叉的临界厚度范围，并通过原子模拟来证实。这些发现与原位研究和基于独立的铁罗薄膜和纳米材料的新设备的开发有关。
双极内存之间的可逆转换...
本文档是公认的手稿版本的已发表作品，该作品以ACS应用材料和接口的最终形式出现，版权所有©2020 American Chemical Society之后，在同行评审和发行商的技术编辑后。要访问最终编辑和发布的工作，请参见https://doi.org/10.1021/acsami.0c04872。
基于ROS的双机械臂协同感知抓取系统设计与实现
机器人手臂任务中的感知技术。通过分析机器人臂的运动学并设计双臂合作系统，将视觉点云技术结合起来，实现双臂合作握把，并通过使用ROS平台来验证合作社CON-TROL策略的有效性，从而构建双臂臂系统的实验平台。主要研究内容包括分析机器人ARM运动学的正和反向运动学模型，视觉点云识别在双臂合作任务中的应用，双臂合作控制策略的实现以及合作掌握的实验结果和分析。通过这项研究，成功设计和实现了基于ROS的双机器人臂合作感，并实现了双臂合作控制策略的有效性。
MAXIM 高速双极和 BiCMOS 工艺可靠性...
婴儿死亡率评估 (IME) 6 HTOL（高温工作寿命）测试 6 85/85（温度-湿度-偏差）测试（THB）7 压力罐测试 7 温度循环测试 7 高温存储测试 7 可靠性数据 8 表 3 Maxim 高频双极工艺的婴儿死亡率评估（在 150°C Tj 下）8 表 4。高温工作寿命测试 – CP1 工艺在 150°C Tj 下 10 表 5。高温工作寿命测试 – CB2 工艺在 150°C Tj 10 表 6。高温运行寿命测试 – CB3 工艺在 150°C Tj 11 表 7。高温运行寿命测试 – GST1 工艺在 150°C Tj 11 表 8。高温运行寿命测试 – GST2 工艺在 150°C Tj 11 表 8。高温运行寿命测试 – GST2 工艺在 150°C Tj（续）12 表 9。高温运行寿命测试 – GST3 工艺在 150°C Tj 13 表 10。高温工作寿命测试 – GST4 工艺在 150°C Tj 14 表 11。高温工作寿命测试 – MB1 工艺在 150°C Tj 15 表 12。85/85 测试（高频双极和 BiCMOS 工艺） 16 表 13。高压锅测试 适用于高频双极和 BiCMOS 工艺 18 表 14。温度循环测试 适用于高频双极和 BiCMOS 工艺 21 表 15。高温存储测试 适用于高频双极和 BiCMOS 工艺 25
使用Fermatean双极犹豫模糊逻辑
在日益提高的环境意识的时代，有效的废物管理的重要性不能被夸大。纸板在造成废物产生的许多材料中脱颖而出。有了适当的纸板收集和回收实践，人们可以产生重大的改变，并带领前往更可持续的未来。在这方面，本文试图通过循环经济方法配置综合的绿色非线性运输系统，以减轻瓦楞纸废物对社会，经济和环境场所的负面影响。这种非线性运输系统旨在优化目标，包括整体运输支出，碳足迹和旅行时间。通过不结合循环经济的影响，从提出的模型中进一步开发了一个子模型。在这里，设计了不确定性时间顺序的Fermatean双相犹豫模糊集理论，及其全维方面。建议通过采用两种方法，加权总和方法和全球标准方法来解决建议的运输系统。此外，还进行了案例研究，以详细说明设计的可持续管理瓦楞纸模型的相关性。结果表明，当三个目标被视为z 1 = 6、178、094时，全局标准方法会产生更好的结果。42，z 2 = 61，080。248，z 3 = 21，067，183。1。结果表明，将循环经济整合到供应链模型中会带来可持续性，并减少与之相关的生态和人类危害。最后，有一个灵敏度分析，管理洞察力以及局限性和未来计划的结论。
侧向双极PNP晶体管的设计和制造...
图1所示的垂直NPN设备制造的标准过程始于P类型基板。基板在将制造NPN设备设备的区域中植入N型掺杂剂（例如砷）。该植入物被称为埋藏层，因为下一步是N型硅的外延生长。掩埋层的板电阻远低于外延层的电阻。AR分离扩散是用诸如硼的P Tyne掺杂剂进行的。这会产生由P型隔离所包围的N型材料的电隔离岛。是这些N型区域，它们是侧向NPN设备的收集器。直接在这些区域的下方将是先前讨论的埋藏层。掩埋层通过为电流流动创造低电阻路径来降低收集器电阻。这是产生所需的电气设备特性所需的。进入N型岛群体被扩散为P型硼基。当将N型掺杂剂（如磷）扩散到碱基中时，发射极会形成。垂直NPN结构现在很明显。
MAXIM 高速双极和 BiCMOS 工艺可靠性...
婴儿死亡率评估 (IME) 6 HTOL (高温工作寿命) 测试 6 85/85 (温度-湿度-偏差) 测试 (THB) 7 压力罐测试 7 温度循环测试 7 高温存储测试 7 可靠性数据 8 表 3 Maxim 高频双极工艺的婴儿死亡率评估 (150°C Tj) 8 表 4. 高温工作寿命测试 – CP1 工艺，150°C Tj 10 表 5. 高温工作寿命测试 – CB2 工艺，150°C Tj 10 表6. 高温运行寿命测试 – CB3 工艺在 150°C Tj 11 表 7. 高温运行寿命测试 – GST1 工艺在 150°C Tj 11 表 8. 高温运行寿命测试 – GST2 工艺在 150°C Tj 11 表 8. 高温运行寿命测试 – GST2 工艺在 150°C Tj（续）12 表 9. 高温运行寿命测试 – GST3 工艺在 150°C Tj 13 表 10. 高温运行寿命测试 – GST4 工艺在 150°C Tj 14 表 11. 高温运行寿命测试 – MB1 工艺在150 ° C Tj 15 表 12. 85/85 测试（高频双极和 BiCMOS 工艺） 16 表 13. 高压锅测试 适用于高频双极和 BiCMOS 工艺 18 表 14. 温度循环测试 适用于高频双极和 BiCMOS 工艺 21 表 15. 高温存储测试 适用于高频双极和 BiCMOS 工艺 25
MAXIM 高速双极和 BiCMOS 工艺可靠性...
婴儿死亡率评估 (IME) 6 HTOL (高温工作寿命) 测试 6 85/85 (温度-湿度-偏差) 测试 (THB) 7 压力罐测试 7 温度循环测试 7 高温存储测试 7 可靠性数据 8 表 3 Maxim 高频双极工艺的婴儿死亡率评估 (150°C Tj) 8 表 4. 高温工作寿命测试 – CP1 工艺，150°C Tj 10 表 5. 高温工作寿命测试 – CB2 工艺，150°C Tj 10 表6. 高温运行寿命测试 – CB3 工艺在 150°C Tj 11 表 7. 高温运行寿命测试 – GST1 工艺在 150°C Tj 11 表 8. 高温运行寿命测试 – GST2 工艺在 150°C Tj 11 表 8. 高温运行寿命测试 – GST2 工艺在 150°C Tj（续）12 表 9. 高温运行寿命测试 – GST3 工艺在 150°C Tj 13 表 10. 高温运行寿命测试 – GST4 工艺在 150°C Tj 14 表 11. 高温运行寿命测试 – MB1 工艺在150 ° C Tj 15 表 12. 85/85 测试（高频双极和 BiCMOS 工艺） 16 表 13. 高压锅测试 适用于高频双极和 BiCMOS 工艺 18 表 14. 温度循环测试 适用于高频双极和 BiCMOS 工艺 21 表 15. 高温存储测试 适用于高频双极和 BiCMOS 工艺 25
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婴儿死亡率评估 (IME) 6 HTOL (高温工作寿命) 测试 6 85/85 (温度-湿度-偏差) 测试 (THB) 7 压力罐测试 7 温度循环测试 7 高温存储测试 7 可靠性数据 8 表 3 Maxim 高频双极工艺的婴儿死亡率评估 (150°C Tj) 8 表 4. 高温工作寿命测试 – CP1 工艺，150°C Tj 10 表 5. 高温工作寿命测试 – CB2 工艺，150°C Tj 10 表6. 高温运行寿命测试 – CB3 工艺在 150°C Tj 11 表 7. 高温运行寿命测试 – GST1 工艺在 150°C Tj 11 表 8. 高温运行寿命测试 – GST2 工艺在 150°C Tj 11 表 8. 高温运行寿命测试 – GST2 工艺在 150°C Tj（续）12 表 9. 高温运行寿命测试 – GST3 工艺在 150°C Tj 13 表 10. 高温运行寿命测试 – GST4 工艺在 150°C Tj 14 表 11. 高温运行寿命测试 – MB1 工艺在150 ° C Tj 15 表 12. 85/85 测试（高频双极和 BiCMOS 工艺） 16 表 13. 高压锅测试 适用于高频双极和 BiCMOS 工艺 18 表 14. 温度循环测试 适用于高频双极和 BiCMOS 工艺 21 表 15. 高温存储测试 适用于高频双极和 BiCMOS 工艺 25