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World File Search System结晶
合成尿液培养基中的草酸钙结晶
科廷大学。*邮箱：科廷大学，GPO Box U1987，珀斯，澳大利亚 6845。电子邮件：F.Jones@curtin.edu.au 电话：618 9266 7677 摘要：本文介绍了三种有机分子（在有和没有锌离子的情况下）在更现实的溶液介质中的影响。尿液介质对形成的草酸钙一水合物形态的影响与在主要成分柠檬酸存在下所见的相似。形成的颗粒是相对扁平的圆形颗粒。在锌离子存在下，颗粒几乎没有变化，主要变化是颗粒更圆润。不同有机酸的存在对不同的有机物有不同的影响。乙二胺四乙酸与钙离子络合并降低过饱和度，正如螯合剂所预期的那样。它还会影响生长中的晶体，从而改变形态。对于酒石酸来说，吸附在关键核和/或生长特征上会导致掺入。最后，发现马来酸的影响最为复杂。马来酸与柠檬酸相互作用，抑制柠檬酸效应。这可以从粒子的形态与纯水中的形态相似中看出。锌离子的存在通常会导致 zeta 电位值更接近于零，因此会增加这些粒子凝结的倾向。 关键词：A1 生物结晶，A1 晶体形态，A1 杂质，A1 成核，A2 从溶液中生长，B1 钙化合物 简介：生物矿化是一个重要且普遍的过程，发生在日常生活中，例如骨骼[1]、牙齿[2]、海绵中的骨骼组织[3]、甲壳类动物[4]、蛋[5] 和软体动物壳[6]。通过研究这些自然系统，“仿生材料化学”旨在将新发现的方法应用于材料化学。[7] 因此，碳酸钙、草酸钙和磷酸钙等晶体系统尤为重要，因为它们是自然界中的生物矿物。[2,4,7] 自然界中，草酸钙在许多植物中含量丰富[8,9]，以从无定形到水合形式的多种相存在。[10,11,12] 然而，并非所有的生物矿化都是可取的。 在人类中，草酸钙是一种具有重要医学意义的生物矿物，特别是对于尿石症[13]和肾结石的形成。[14,15] 这种不良疾病每代影响全球约 10% 的人口[16]，预计在可预见的未来携带者的数量会增加。草酸钙在泌尿系统结石中非常重要，因为肾结石由草酸钙一水合物和二水合物（约 70%）的混合物组成，其中磷酸钙约占 8.9%，尿酸约占 10.1%，鸟粪石约占 9.3%，各种有机物约占 0.8%，胱氨酸约占 0.7%。[17] 肾结石的形成与肾结石的形成密切相关。
聚（3-己基噻吩）的结晶和自核
共轭聚合物的融化具有溶液加工的一种环保替代方案的潜力，但是分子属性和潜在控制策略的具体作用仍然在很大程度上没有探索。在这里，两个系列的剖面聚（3-己基噻吩）（p3HT）表明，链长的效果在很大程度上取决于链缺损的量（RegieRotality）。超出链折叠过渡，增加分子量M W对于90％的防治性P3HT，导致结晶动力学和降低的热稳定性的结晶质量较慢，而95％的RendOreTorgularity使结晶几乎对链长不敏感。融化的自种可用于操纵P3HT的结晶温度，但是当结晶被阻碍最大时，最有效。更长，更有缺陷的链。p3HT自种由最初存在的微晶的热稳定性主导，而不是仅取决于m w的扩散效应。总体而言，结果强调了控制和报告剖面和分子量的关键需求。
通过非晶态粒子附着进行结晶
晶体学是理解晶体如何成核、生长并组装成更大结构的领域。[1,2] 从1611年开普勒对雪花对称性的兴趣，到1669年斯特诺对岩石晶体的迷恋，至今，结晶已被认为是最重要的物理化学过程之一，而晶体结构已被证明可以定义凝聚态物质的物理性质。[3] 传统上，人们对晶体习性和性质的起源的理解是基于这样一个假设：它们通过单个晶格实体逐个单体地添加而生长。[2–5] 虽然这一假设是我们解释晶体生长过程中的原子过程和众多技术应用的核心，但在过去二十年里，它的整体性受到了重大挑战。 [6] 也就是说，来自合成、地质和生物系统的大量证据表明，结晶可以通过多种高级实体——粒子的附着而进行。 [7] 这些包括聚集的离子或分子物质、液滴以及晶体和无定形粒子。粒子附着结晶（CPA）是一种所谓的非经典结晶机制，已知其形成的形态和纹理模式无法在经典成核和生长模型的范围内解释。 [8] 这并不奇怪，因为 CPA 是一个多步骤过程，其中每一步都有其自身的热力学和动力学约束之间的错综复杂的相互作用，从而定义了一条非常独特的晶体生长途径。例如，通过无定形粒子附着结晶涉及无定形粒子的形成和稳定、它们的积聚以及最终转变为结晶相。 [9–11] 每个步骤都可能受到多种物理化学因素的影响。最近，人们投入了大量精力研究和模拟不同的 CPA 途径。[12–14] 对每个步骤的机制理解有可能产生一个全面的工具包，用于设计和合成摆脱传统结晶模型限制的新型材料系统。然而，仍然存在许多知识空白。据推测，在整个动物界的记载历史中，生物矿化组织都是通过无定形前体的结晶形成的。[15] 这些生物材料表现出各种层次结构的矿物-有机结构，为生物体提供各种功能。[16] 选择通过无定形粒子附着结晶
爆炸结晶和声子传输校正
摘要 — 当前的半导体器件制造通常需要集成热预算较低的退火工艺步骤；其中，脉冲激光退火 (LA) 是一种可靠的选择。因此，使用 LA 专用技术计算机辅助设计 (TCAD) 模型正在成为开发这种特殊加热方法的支持。无论如何，已经在学术或商业软件包中实现的模型通常会考虑一些近似值，如果将它们应用于相当常见的纳米器件配置，可能会导致不准确的预测：即具有纳米宽元素的结构，其中也存在非晶态口袋。特别是，在这些情况下，可能会发生非扩散热传输和爆炸性结晶。在这里，我们介绍了 LA TCAD 模型的升级，允许模拟这些现象。我们将证明这些模型可以可靠地集成到当前的 TCAD 软件包中，并讨论某些特定情况下数值解特征的主要特征。
解决方案处理，高度结晶和定向的Mapbi3 ...
图2。MAPBI 3谷物生长。 （a）MAPBI 3成核过程来自半径A的基板表面上的前体，大于临界半径。 晶粒在底物表面生长，生长在损伤后终止。 （b），（c）和（d）MAPBI 3膜在100 O C，130 O C和165 O C退火时的光学显微镜图像（B，C，C，D = 90 µm）。 The dendritic morphology turns spherulitic upon increasing the annealing temperatures, (e) Optical microscope image of MAPbI 3 (scale = 40 μm) crystals spin- coated from 3 M DMSO-based precursors and annealed at 165 o C, (f) SEM Images highlighting the surface morphology of MAPbI 3 crystal film spin-coated over glass from 2M precursor (scale = 100 μm), （g）通过SEM（比例=2μm），（H）Mapbi 3膜的横截面SEM在膜中的三重连接晶界中的变焦，该膜胶片在玻璃上旋转（比例= 1 µm）。MAPBI 3谷物生长。（a）MAPBI 3成核过程来自半径A的基板表面上的前体，大于临界半径。晶粒在底物表面生长，生长在损伤后终止。（b），（c）和（d）MAPBI 3膜在100 O C，130 O C和165 O C退火时的光学显微镜图像（B，C，C，D = 90 µm）。The dendritic morphology turns spherulitic upon increasing the annealing temperatures, (e) Optical microscope image of MAPbI 3 (scale = 40 μm) crystals spin- coated from 3 M DMSO-based precursors and annealed at 165 o C, (f) SEM Images highlighting the surface morphology of MAPbI 3 crystal film spin-coated over glass from 2M precursor (scale = 100 μm), （g）通过SEM（比例=2μm），（H）Mapbi 3膜的横截面SEM在膜中的三重连接晶界中的变焦，该膜胶片在玻璃上旋转（比例= 1 µm）。
简介共结晶（靶蛋白）浸泡...
apo脱靶蛋白晶体，该化合物的结晶被发现以适合浸泡的形式有助于结晶，但在晶体结构中不显示。还开发了和优化了浸泡溶液 - 从结晶沉淀物溶液开始。硫酸铵浓度降低，以避免相位分离并增加了PEG浓度。冷冻溶胶（分子尺寸）也用于识别溶解溶液，该溶液支持沉淀物溶液中的化合物溶解度。使用浸泡已经解决了30多个含有感兴趣化合物的晶体结构，其中大多数的分辨率大于2Å。
无定形二氧化物氧化锌膜的水辅助结晶
2在能源材料中表征运输现象的方法部，helmholtz-Zentrum柏林材料和Energie GmbH，Hahn-Meitner-Platz 1，14109柏林，德国柏林3席3席部薄膜设备的椅子技术，高效率和半教导机构技术研究所10587柏林，德国4部门能源材料的部门结构和动力学，赫尔姆霍尔茨 - 泽特鲁姆柏林材料和能源GMBH，Hahn-Meitner-Platz 1，14109柏林，德国5号，柏林5柏林5物理与天文学研究所柏林技术大学物理学，Hardenbergstraße，36，10623柏林，德国7 PVCOMB，Helmholtz-Zentrum柏林柏林材料和能量GmbH，Schwarzschildstraße3，12489 Berlin，
可伸缩2D纳米电子的结晶绝缘子-IUE
在半个多世纪的时间里，微电子学是由摩尔定律驱动的，摩尔的定律预测每18个月的整合密度将增加一倍，从而指数增长，这对于经济和绩效原因非常有益。根据IRDS [1]的规模，尽管摩尔法律已经结束，但在未来十年中，尽管摩尔的法律已经结束。然而，必须克服许多挑战，其中许多与材料缩放达到原子维度的事实有关，尤其是在垂直区域中。例如，硅的迁移率开始恶化在5 nm以下[2]，这对于其他3D材料可以预期。因此，IRDS将分层的2D半导体列为2028年以后超级FET和内存设备的有前途的选择。符合这些要求，有几个组报告了石墨烯[3]，硅[4]，黑磷[5]和过渡金属二北卡尔科氏菌[6,7]表现出极好的晶体管特征。研究工作主要集中在寻找具有最高迁移率和体面的带镜头的最佳渠道材料上。此外，已经进行了MOS 2 FET的电路集成尝试[8]。然而，2D FET还需要合适的绝缘体来将控制门与通道分开，该通道应该是可扩展的，并且理想地与2D半导体一起搭配，就像SIO 2一样，与Sio 2一起使用。缺乏这些绝缘子使得完全利用2D电子设备的预先定价性能潜力是复杂的，尽管