2 泰国微电子中心(TMEC)、国家电子和计算机技术中心、国家科学技术发展局、Chachoengsao 24000,泰国电子邮件:a s6209091960016@email.kmutnb.ac.th,b,* ekachai.j@tggs.kmutnb.ac.th(通讯作者),c hwanjit.rattanasonti@nectec.or.th,d putapon.pengpad@nectec.or.th,e karoon.saejok@nectec.or.th,f chana.leepattarapongpan@nectec.or.th,g ekalak.chaowicharat@nectec.or.th,h wutthinan.jeamsaksiri@nectec.or.th 摘要。本文针对低压工作范围提出了一种改进的微机电系统 (MEMS) 压阻式压力传感器设计,该传感器由花瓣边缘、横梁、半岛、三个横梁和一个中心凸台组合而成,以提高传感器性能,即灵敏度和线性度。利用有限元法 (FEM) 预测 MEMS 压阻式压力传感器在 1-5 kPa 施加压力下的应力和挠度。利用幂律制定纵向应力、横向应力和挠度的函数形式,然后将其用于优化所提设计的几何形状。仿真结果表明,所提设计能够产生高达 34 mV/kPa 的高灵敏度,同时具有 0.11% 满量程 (FSS) 的低非线性。半岛、三个横梁和中心凸台的设计降低了非线性误差。通过增加花瓣边缘宽度可以提高灵敏度。还将所提设计的传感器性能与文献中先前的设计进行了比较。比较结果表明,所提设计的性能优于先前的设计。关键词:MEMS、压阻式压力传感器、有限元法、灵敏度、线性度。
摘要 — 本工作研究了影响采用转移印刷法制备的Si-GaN单片异质集成Casccode FET击穿电压的因素。这两个因素是Si器件的雪崩击穿电阻和SiN电隔离层的厚度。设计了Si MOSFET和Si横向扩散MOSFET(LDMOSFET)两种器件结构,研究了Si器件的雪崩击穿电阻对Cascode FET击穿特性的影响。分析了SiN电隔离层厚度的影响。最后,单片集成Cascode FET的击穿电压达到了770 V。索引术语 — 单片异质集成;Cascode FET;击穿电压;LDMOS;极化电荷。
摘要:本评论确定了聚合物 - 碳复合材料纳米电子学的各种即将到来的技术和重大的物理问题。有很多情况,从基于碳材料的机械柔性和便携式薄膜晶体管,柔性和可拉伸的能源存储应用,柔性传感器应用到柔性太阳能电池。在各种系统中,机械结构设计与电路结构设计一样必不可少。最新的研究基于柔性碳材料的纳米电子学表明,除了进步,多学科的方法(例如3D打印)外,还结合了传统研究的几乎每个领域,在材料科学,化学,物理学和工程领域,例如电气,电子,电子和机械。
15 毕业。2024 年 — ECC-305 微电子学 (ECE)。EEC-305 电气与电子学。测量仪器 (EE/EEE)。CIC-313 计算机网络 (ICE)。CEC-305 结构设计-II...
对于实际结构设计图像,E 的值等于 E x ∼ Pdata ( x ) log[ D ( x | R )],对于 E z ∼ Pz ( z ) log[1 −
OT Construction › uploads › 2020/08 2020 年 8 月 17 日 — 2020 年 8 月 17 日 ... 建筑物或屋顶(标准 5)– 不适用。结构设计 a.现有结构系统由结构钢组成...