尺寸 E16 - 2 输出:5 和 12v - 反激变压器 初级/次级绝缘 ≥ 4000V 初级/辅助绝缘 ≥ 1500V 初级/次级爬电距离 ≥ 6mm 环境温度 < 70°C 结构符合 IEC950、IEC335、IEC61558 加强绝缘标准 仅使用 UL94-V0 列出的材料
尺寸 ETD39 - 4 输出:5+12 / 5+12v - 反激变压器 初级/次级绝缘 ≥ 4000V 初级/辅助绝缘 ≥ 1500V 初级/次级爬电距离 ≥ 8mm 环境温度 < 50°C 结构符合 IEC950、IEC335、IEC61558 加强绝缘标准 仅使用 UL94-V0 列出的材料
摘要:高κ电介质是介电常数高于二氧化硅的绝缘材料。这些材料已经在微电子领域得到应用,主要用作硅 (Si) 技术的栅极绝缘体或钝化层。然而,自过去十年以来,随着宽带隙 (WBG) 半导体的广泛引入,如碳化硅 (SiC) 和氮化镓 (GaN),后硅时代开始了,这为高κ材料在这些新兴技术中的应用开辟了新的前景。在此背景下,铝和铪的氧化物(即 Al 2 O 3 、HfO 2 )和一些稀土氧化物(例如 CeO 2 、Gd 2 O 3 、Sc 2 O 3 )是有前途的高κ二元氧化物,可用作基于 SiC 和 GaN 的下一代大功率和高频晶体管的栅极介电层。本综述论文概述了用于后硅电子器件的高介电常数二元氧化物薄膜。特别地,重点关注通过原子层沉积在 WBG 半导体(碳化硅和氮化镓)上生长的高 κ 二元氧化物,无论是非晶态还是晶体膜。讨论了沉积模式和沉积前或沉积后处理的影响。此外,还介绍了这些薄膜的介电行为,并报告了一些应用于 SiC 和 GaN 晶体管的高 κ 二元氧化物的示例。强调了这些技术的潜在优势和当前的局限性。
从介电常数和绝缘破坏电场强度的观点出发选择Al 2 O 3 、HfO 2 、SiO 2 。使用这些绝缘膜制作MOS结构样品,并评估绝缘膜的介电击穿场强和介电常数。为了进行评估,我们使用了新推出的浸入式手动探测器。在该评价中,HfO 2 膜表现出最高的介电常数和击穿电场强度。通过简单的器件模拟,发现如果该膜具有这种水平的特性,则它可以用作氧化镓MOSFET的栅极绝缘膜。因此,在本研究中,我们决定使用该HfO 2 薄膜进行MOSFET的开发。由于不仅需要从初始特性而且还需要从长期可靠性的角度来选择绝缘膜,因此我们还考虑了具有第二好的特性的Al 2 O 3 膜作为候选材料I。取得了进展。 2020财年,我们改进了栅极绝缘膜的材料选择和成膜条件。具体地,对于作为栅极绝缘膜的候选的Al 2 O 3 ,为了减少作为沟道电阻增大的因素的栅极绝缘膜/氧化镓界面处的电荷,将Al 2 O 3 /镓我们考虑在成膜后通过热处理去除氧化物界面。图3示出了(a)评价中使用的MOS结构的截面图和(b)界面态密度分布。确认了通过在N 2 气氛中在450℃下热处理10分钟,可以形成界面能级为1×10 12 eV -1 cm -2 以下的良好界面。可知当温度进一步上升至550℃、650℃、800℃时,产生10 12 eV -1 cm -2 量级的界面态并劣化。通过本研究,我们获得了构建晶体管基本工艺过程中的热处理温度的基本数据。
2025 年 1 月—修订版 0 至修订版 A 更改“特性”部分................................................................................................................................... 1 更改表 4...................................................................................................................................................5 更改“监管信息”部分和表 5...................................................................................................................6 将“DIN V VDE V 0884-10 (VDE V 0884-10) 绝缘特性”部分更改为“DIN EN IEC 60747-17 (VDE 0884-17) 绝缘特性”部分.............................................................................................6 更改“DIN EN IEC 60747-17 (VDE 0884-17) 绝缘特性”部分、表 6 和图 2 标题.............................................................................................................................6 删除表 9;重新排序................................................................................................................................8 更改“绝缘寿命”部分....................................................................................................................14 删除图 21 至图 23;重新排序........................................................................................................14 增加通道数、输出峰值电流(A)和最小输出电压(V)选项.............................................................15
用于铅酸电池保温材料测试Chroma 19311 19311测试铅酸电池电池的正板和负板之间的绝缘质量,通过在电解质注射前施加高压激增。它具有电涌输出电压,可以达到6kV,四个端子测量,200MHz采样率,并且可以使用谐振波形分析绝缘质量。它在绝缘距离和质量,分离器的存在以及可能的短路上测试正板和负板。此激增测试可以降低铅酸电池的缺陷率并增加电池电池绝缘。19311-10多细胞扫描测试非常有效;节省测试时间(<1.5s的6个单元),降低人工成本,并增加生产线吞吐量。
将WDS绝缘钢包与过去3个月的未绝缘情况进行了比较。在感应炉的熔化过程中,平均15-20°C(59-68°F)减少了,这相当于节省150-160 kW hr/heat。一天,至少从感应炉中挖出12次热量。此外,随着WDS绝缘弹性的固定时间的增加,每分钟的温度下降为1°C(34°F),而原始的钢包使用的原始弹性则与> 2°C(> 36°F)相比。
注意:单个鼓数量可能相差 +5%。总体订单数量不会有正公差。但是,总体订单数量允许 (-) 2%。可以从以下地址获取包含详细条款和条件的规格表,只需提交不可退还的汇票,金额为 1180 卢比(含 GST),以 BSES Rajdhani Power Ltd 为收款人,付款地为德里。招标文件和详细条款和条件也可以从网站“www.bsesdelhi.com --> 招标 --> BSES Rajdhani Power Ltd --> 公开招标”下载。如果从上述网站下载招标文件,则投标人必须附上涵盖投标文件费用的汇票。投标应寄送至:部门主管 合同与材料部。BSES Rajdhani Power Ltd. C&M 部。1 楼,C 座 BSES Bhawan,Nehru Place New Delhi 110019
包括端子盖,端子盖包裹所有金属部件,但小部件除外,例如铭牌螺钉、悬挂件和铆钉。如果这些小部件可以通过标准试验手指(见 IS 1401)从外壳外部接触,则应通过附加绝缘将它们与带电部件额外隔离,以防止基本绝缘失效或带电部件松动。漆、搪瓷、普通纸、棉花、金属部件上的氧化膜、粘合膜和密封化合物或类似不确定材料的绝缘性能不应被视为足够的附加绝缘。
兹证明 Morgan Thermal Ceramics(Morgan Advanced Materials Plc 的子公司,地址:York House, Sheet Street, Windsor, Berkshire, SL4 1DD, 英国)的质量管理体系符合 ISO 9001:2015 的要求。注册范围:设计、开发、项目管理、高温绝缘纤维和毯子、工业耐火产品、内衬系统、建筑产品、绝缘微孔产品、隔热板、绝缘耐火砖、致密砖、整体式材料、水泥和砂浆的制造和供应。其他地点列于后续页面。