半导体表面上的原子单层代表了二维极限的新兴功能量子材料 - 从超导体和莫特绝缘体到铁电和量子旋转厅绝缘子的范围。indenene是iDenene的iDenene,含量约为120 MeV的im依的三角形单层是一种量子自旋霍尔绝缘子,其微米尺度的SIC上的显式外延生长(0001)使其在技术上具有相关性。然而,它对室温旋转的适合性受到空气中拓扑特征的不稳定的挑战。必须制定一种在现场加工和装置制造过程中保护indenene拓扑性质的策略。在这里,我们表明,将泛烯烯酮插入到外延石墨烯中,可以有效地保护氧化环境,同时保留完整的拓扑特征。我们的方法开放了一个现有实验机会的丰富领域,启动单层量子旋转厅绝缘子,以实现逼真的设备制造并访问拓扑保护的边缘通道。
原子薄材料的高度可调的Moir'E异质结构的出现振兴了二维材料中复杂订单的探索。虽然对二维电子气体(2DEGS)的研究是一种古老的,例如导致发现整数和分数量子厅效应,但由于层之间的晶格间距不匹配或层之间的旋转角度的不匹配引起的Moir'E超级突变性增加了新的复杂性。这是因为纯静电门可以用于调整与完全填充由超级晶格形成的Bloch带所需的电子密度相当的,该级别的波长通常在数十纳米中。(相反,由于少数埃斯特罗姆的晶格尺度周期性,门控能否访问显微镜结构的特征。)除了允许实验者能够在单个样本中访问宽掺杂范围,在这种状态下,传统的2DEG近似将电子分散剂视为有效质量近似中的抛物线,通常不再适当,并且需要考虑到其充实的丰富度,包括与乐队拓扑的现象相连的太多。这些系统的第二个特征是,在相互作用效果等于或超过带宽的相互作用效果中,Moir´e重建的频段通常是“窄”的。因此,Moir´e异质结构已成为探索二维相互作用和拓扑相互作用的重要平台。[2]。)该评论专门用于Moir´e名册的相对较新的参赛者:与六边形硼(HBN)硝酸盐底物对齐的菱形诉状石墨烯(R5G)。首先,让我简要总结实验设置,然后再转向本评论的主要重点:他们的理论分析。(对实验的更详细讨论是在Ashvin Vishwanath的最新评论中(JCCM,2023年12月)。)n -layer菱形石墨烯由石墨烯层组成,这些石墨烯层以楼梯状模式堆叠。沿着堆叠方向捕获物理的层间隧道式汉密尔顿式隧道是让人联想到su-schrieffer-heefer模型,因为低能电子状态是限制在堆栈顶部和底部附近的“零模式”。这些“零模式”的分散体表现出n倍带触摸和从单个石墨烯层∗继承的山谷变性。如果多层的一侧(几乎)与HBN对齐,那么石墨烯和HBN之间的轻微晶格不匹配会强烈修改频带结构,从而导致几乎平坦的频段对垂直位移位移场的应用非常敏感。(许多不同的作品都研究了Pentalyer的单粒子物理;在d的较大值下进行了R5G-HBN [1]的实验,其中单粒子计算名义上给出了Chern数字C =±5的传导带(valleys以相等的和相反的方式,以时间逆转对称性的方式获得了相等和相反的数字),但与其他频段相比隔离很差(这些频段非常小)(非常小)。这使得两个实验结果非常引人注目:
图2。在模拟时间时l = 500的快照𝜏(a)0,(b)9.8×10 6和(c)1.9×10 7的EO。217 Kymoknot确定的打结区域是红色的,而未打结的聚合物部分为218彩色蓝色。(d)沿着DNA链的3 1 219 Trefoil结中包含的珠子指数的开始(红线)和末端(蓝线),用于用于在面板中生成快照的轨迹(a,b,c)。220(e)结,n结中的珠子数量是根据(d)计算的模拟时间的函数。221
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连续评估:50%的最终考试:总计50%:100%阅读和参考文献主要教科书是宏观经济学原理,任何版本从8到12号,由Karl Case,Ray Fair和Ray Fair和Sharon Oster,Pearson Prentice Hall(NTU库呼叫编号:HB172.5.C337)。在下面的每周时间表中,本教科书称为CFO,章节数字来自第10版。此外,强烈建议将Gregory Mankiw撰写的宏观经济学原则用于广泛阅读。具有强烈理论偏好和数学背景的学生,建议享受安德鲁·ABEL,本·伯南克和迪恩·克鲁斯霍尔的宏观经济学教科书。,我还将不时上传有用的数据集的来源,媒体的新闻以及著名的经济学家对局部宏观经济问题的意见,这些问题与我们的课程有关,这些问题与我们的课程相关,属于Ntulearn,“对于那些感兴趣的人”。这意味着此类内容不会出现在您的期末考试或中期测验中。相反,它将您从本课程中学到的知识与现实世界的例子联系起来,使宏观经济原则相关,有趣且有用,并帮助您欣赏经济理论的力量和美丽。课程讲师
组的(保守的)分量(保守的)速度正常与磁化轴(即Chern矢量方向)具有良好的符号,并且表面状态不能沿该特定方向向后散射。在2D中,Chern矢量始终沿缩小尺寸的轴固定,即与系统平面正交的固定。因此,它可以被视为标量数量:Chern数字C,其特征是2D顺式的大量拓扑。[7-9]在这种情况下,可以定义散装对应关系(SBBC)的“标量”范围,以将批量拓扑连接到边界模式的数量。[10,11]根据2D CIS中的SBBC,两个具有Chern数字C 1,C 2的系统之间的接口具有N E = | C 1 -C 2 |受保护的手性边缘状态。这意味着只有在界面上的Chern数字的连续性的情况下,手性边缘状态才能出现,即C 1≠c 2。[12–15]
在半个多世纪的时间里,微电子学是由摩尔定律驱动的,摩尔的定律预测每18个月的整合密度将增加一倍,从而指数增长,这对于经济和绩效原因非常有益。根据IRDS [1]的规模,尽管摩尔法律已经结束,但在未来十年中,尽管摩尔的法律已经结束。然而,必须克服许多挑战,其中许多与材料缩放达到原子维度的事实有关,尤其是在垂直区域中。例如,硅的迁移率开始恶化在5 nm以下[2],这对于其他3D材料可以预期。因此,IRDS将分层的2D半导体列为2028年以后超级FET和内存设备的有前途的选择。符合这些要求,有几个组报告了石墨烯[3],硅[4],黑磷[5]和过渡金属二北卡尔科氏菌[6,7]表现出极好的晶体管特征。研究工作主要集中在寻找具有最高迁移率和体面的带镜头的最佳渠道材料上。此外,已经进行了MOS 2 FET的电路集成尝试[8]。然而,2D FET还需要合适的绝缘体来将控制门与通道分开,该通道应该是可扩展的,并且理想地与2D半导体一起搭配,就像SIO 2一样,与Sio 2一起使用。缺乏这些绝缘子使得完全利用2D电子设备的预先定价性能潜力是复杂的,尽管
Josephson与拓扑绝缘子作为其弱连接(S-TI-S结)的连接被预计将托管Majorana Fermions,这是为拓扑保护受拓扑保护的量子计算创建量子的关键。但是S-Ti-S电流相关的细节及其与磁场的相互作用尚不清楚。我们用NBTI导线制造了一个BI 2 SE 3连接,并使用施加的平面内字段来测量连接处的Fraunhofer图案。我们观察到,不对称的fraunhofer图案出现在B z,b x,y的电阻图中,并带有基因区的节点间距。这些不对称模式即使在零平行场中也出现,对于高达1 K的温度,它们也会与异常特征与预期有限的库珀配对动量移动和几何效应的不对称Fraunhofer模式进行比较。我们表明几何效应可以主导,而与平面场地幅度无关。这些结果对于将几何相移与库珀对动量转移,Majorana模式特征或其他非常规的超导行为而导致的几何相移很重要。
[1] Arute, F.、Arya, K.、Babbush, R. 等人。使用可编程超导处理器实现量子霸权。《自然》574,505–510(2019 年)。https://doi.org/10.1038/s41586-019-1666-5A。[2] Harrow, A. Hassidim 和 S. Lloyd,“线性方程组的量子算法”,《物理评论快报》103,150502(2009 年)。[3] Yudong Cao 等人,“用于求解线性方程组的量子电路设计”,《分子物理学》110.15-16(2012 年),第 1675–1680 页。arXiv:arXiv:1110.2232v2。[4] Solenov, Dmitry 等人。 “量子计算和机器学习在推进临床研究和改变医学实践方面的潜力。”密苏里医学第 115,5 卷 (2018):463-467。[5] C. Outeiral、M. Strahm、J. Shi、GM Morris、SC Benjamin 和 CM Deane,“量子计算在计算分子生物学中的前景,”WIREs Comput. Mol. Sci.,2020 年 5 月。[6] 王胜斌、王志敏、李文东、范立新、魏志强和顾永健,“量子快速泊松求解器:算法和完整模块化电路设计,”量子信息处理第 19 卷,文章编号:170 (2020)。 [7] H. Abraham 等人,“Qiskit:量子计算的开源框架”,2019 年。 [8] https://quantum-computing.ibm.com/ [9] Sentaurus TM 设备用户指南,Synopsys Inc.,美国加利福尼亚州山景城,2020 年。 [10] https://qiskit.org/textbook/ch-applications/hhl_tutorial.html [11] https://qiskit.org/documentation/stubs/qiskit.quantum_info.state_fidelity
摘要:高压直流(HVDC)输电被称为绿色能源传输技术,由于其高功率传输能力和较低的功率损耗,近年来已成为高压交流(HVAC)的一种有吸引力的替代方案。近年来,复合绝缘子在直流(DC)输电线路上的使用迅速增长,因为它们具有高疏水性并且比传统陶瓷绝缘子在污染环境中表现更好。在直流线路上运行期间,由于单向电场的作用,绝缘子容易积聚更多的污染物。潮湿条件下的污染物会使漏电流在绝缘子表面流动。聚合物绝缘子本质上是有机物,在电和环境应力的共同作用下容易老化。为了充分了解直流复合绝缘子的长期老化性能,有必要进行详细调查。为此,本文批判性地总结了世界各地在现场和实验室条件下复合绝缘子老化性能的经验。