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World File Search System缓冲层
一种用于在RebA2CU3O7涂层导体中创建缓冲层流动散开架构
摘要当前流动分解器（CFD）是一个已知的概念，已被证明可以有效地降低REBA 2 Cu 3 O 7（Rebco; re = Rare Earth）涂层导体（CC）的破坏性热点的可能性，通过提高正常区域的传播速度。但是，CFD概念的实现需要在制造过程中的其他步骤，该过程已经很复杂，并且一直在努力找到一种简单的卷轴到卷式制造方法。这项工作报告了使用固体蒸气银硫化技术的缓冲层CFD（BCFD）架构的制造途径的细节，以在高温超导体胶带中调整金属稳定剂的几何形状。在不同条件下处理的AG 2 S/AG/GDBCO三层型的微观结构和超导属性的分析显示了我们如何使用BCFD体系结构实现了新的定制功能CC。在DC限制实验中，由于NPZV的强大增强，这种BCFD-sulfide结构允许比常规体系结构（60 V s-1 vs. 1.2 V s-1）发电速度快得多。
scaps mose2太阳能电池的数值设计...
T. A. Chowdhury *，R.B。Arif，H。Israq，N。Sharmili，R。S. Shuvo电气与电子工程系，孟加拉国达卡Ahsanullah科学技术大学。太阳能电池电容模拟器（SCAPS-1D）已用于模拟，设计和分析Mose 2，这是一种有吸引力的过渡金属二甲藻元化物（TMDC）材料，基于基于的杂项结构太阳能电池，将其用作用于溶胶电池中常规吸收层的潜在替代方法。这项工作还着重于寻找最佳的吸收剂，缓冲层的厚度以及工作温度对太阳能电池性能的影响，并可能替代有毒的CDS缓冲层。已经获得了Mose 2吸收层的最佳厚度为1 µm，缓冲层约为0.04 µm。用基于CD的缓冲层太阳能电池获得的效率为20.21％。在不同的缓冲层中，例如在2 s 3，ZnO，Znos和Znse中，基于Mose 2的太阳能电池获得的最高效率为20.58％，ZnO缓冲层层为20.58％。基于ZnO缓冲液的太阳能电池的温度梯度为-0.355％/K，而基于CDS缓冲液的太阳能电池为-0.347％/k。这项工作的发现提供了重要的指导，以制造具有无毒ZnO作为潜在缓冲层的高效Mose 2薄膜太阳能电池。2023年11月29日收到；公认的2024年2月15日）关键字：Mose 2，Scaps-1d，太阳能电池，缓冲层，温度，效率
采用定向能量沉积铁基涂层修复刹车盘的微观结构和摩擦学评估
摘要：本文评估了通过直接能量沉积 (DED) 粉末涂层翻新磨损的制动盘。使用中碳钢粉末涂覆铸铁盘。该钢的沉积直接在盘表面进行，或者在先前沉积不锈钢缓冲层之后进行。可以看出，尽管在盘与两种不同涂层（缓冲层和外层）之间的界面处形成了铸造微结构，但使用缓冲层可确保良好的涂层附着力。将涂层盘与两种不同的无铜商用摩擦材料进行测试，以评估其摩擦学性能。两种摩擦材料在涂层盘上滑动时测量到的摩擦系数、比磨损率和总排放量非常相似。这些摩擦学数据略高于未涂层盘获得的数据，这表明需要改进顶层涂层成分和表面处理才能获得更好的性能。
EUV 掩模吸收层的优化
极紫外光刻 (EUVL) 是最有前途的技术之一，它可将半导体器件制造的极限扩展到 50 纳米及以下的临界尺寸 [1]。EUVL 需要制造反射掩模，它不同于紫外可见光光刻技术所用的传统透射掩模。极紫外 (EUV) 掩模由一个 EUV 波长的反射镜组成，反射镜上沉积了吸收图案堆栈。干涉镜由高折射率和低折射率材料的交替堆栈制成，通常是沉积在基板顶部的 40 个 Mo/Si 双层。通过调整 Mo 和 Si 层的厚度，可以针对 13.5 纳米的波长优化反射率。对于“双层工艺” [2]，吸收图案堆栈由缓冲层顶部的导电吸收层制成，缓冲层用作蚀刻停止层以及吸收层修复步骤中的保护层。过去几年，人们评估了多种材料（Ti、TiN、Al-Cu、TaSi、Ta、TaN、Cr）[2–4] 作为 EUV 掩模的导电吸收材料的可能性。图 1 描述了这种基本的减法 EUV 掩模工艺流程，其中采用了“双层”吸收堆栈。
PZT微型转移打印用于光子MEMS
铅锆钛酸盐（PZT）是一种广泛用于微电动机电（MEMS）技术的压电材料，主要是由于其强烈的压电和机电耦合系数[1]。然而，由于PT缓冲液的损失，传统上用于生长PZT薄膜[2]，因此其在光子综合电路（图片）中的应用受到限制。通过化学溶液沉积（CSD）方法[3]，具有透明缓冲层（LA 2 O 2 CO 3）生长的PZT膜[3]，并通过Pockel的调节证明了其在光子应用中的潜力[4]。但是，在这种方法中使用的薄缓冲层的自旋涂层需要平面样品表面，从而限制了其范围。微转移打印（µ tp）可能是绕过这种瓶颈的一种方法[5]。在本文中，我们报告了悬挂的长度高达4 mm的悬挂式PZT优惠券，宽度高达120 µm。然后，我们成功传输了SI基板上的PZT优惠券。这些结果证明了一种可以使PZT膜在芯片的所需位置中稳定的，而完整芯片均匀地平面化的技术。此外，此方法可以为各种光子学应用程序设计MEMS执行器提供额外的自由。
特别购买者指南版光纤互连.pdf
光接收器的作用是检测入射到其上的接收光，并将其转换为包含传输端光上信息的电信号。然后，信息就可以输入到电子设备中，例如计算机、导航控制系统、视频监视器等。 电缆结构 光纤电缆的结构通常由五个元素组成：光芯、光包层、缓冲层、强度构件和护套。光芯是光纤中心的光承载元件。它通常由高纯度二氧化硅和氧化锗的组合制成。芯周围是纯二氧化硅制成的光包层。这些材料的组合使全内反射原理成为可能，因为材料的差异在界面点处产生了反射面。进入光纤芯的光脉冲从芯和包层之间的界面反射，沿线移动时留在芯内。包层周围是缓冲材料，充当减震器，以保护芯和包层免受损坏。缓冲层周围包裹着强度构件（通常是芳纶），增加了临界抗拉强度，以防止安装过程中因拉力而造成损坏。外护套可防止磨损和环境损害。所用护套的类型还决定了电缆的用途和可燃性等级。
通过晶格工程控制SN的结构阶段
拓扑和超导性，两种不同的现象，为量子特性及其在量子技术，旋转型和可持续能源技术中的应用提供了独特的见解。tin（sn）在这里起关键作用作为元素，因为其两个结构相，α -sn表现出拓扑特征，β -sn显示超导性。在这里，我们使用分子束外延和缓冲层的晶格参数的分子束外延对SN薄膜中的这些相进行了精确的控制。SNFMS表现出β -SN或α -Sn相，因为缓冲层的晶格常数与6相差不同。10Å至6。48Å，跨越从燃气（例如INAS）到Insb的范围。α-和β -SNFM的晶体结构以X射线衍射为特征，并由拉曼光谱和扫描透射电子显微镜确认。原子力显微镜验证了光滑，连续的表面形态。电运转运测量进一步验证了阶段：β-SN超导性和Shubnikov -de HAAS振荡接近3.7 K的电阻下降，用于α -SN拓扑特征。密度功能理论表明，在拉伸应变下α -SN在压缩应变下是稳定的，与实验发现很好地对齐。因此，这项研究介绍了一个通过晶格工程控制SN阶段的平台，从而在量子技术及其他方面实现了创新的应用。
AlN/GaN/AlN 高电子器件中 94 GHz 时为 2.2 W/mm
通过AlGaN/GaN/InGaN结构实现8 W mm 1，通过N极性GaN HEMT实现94 GHz时8 W mm 1 [3]。这些结果对于商业（5G及以上、汽车雷达）和国防（SATCOM、雷达）应用越来越重要，所有这些应用都在向毫米波频率范围（30 – 300 GHz）推进。为了进一步提高GaN HEMT的优势，我们的研究小组在氮化铝（AlN）缓冲层上引入了HEMT。[4 – 6]通过用AlN替换AlGaN顶部势垒并用AlN替换典型的GaN缓冲层，AlN/GaN/AlN异质结构具有更高的热导率、改善了薄GaN通道（<30nm）的载流子限制，并且与其他传统顶部势垒材料（如AlGaN或InAlN）相比，顶部势垒具有出色的垂直可扩展性。其他研究小组也展示了基于AlN 的器件的有希望的结果，包括基于AlN 衬底的HEMT，在X 波段实现15 W mm 1 [7] ，AlN 缓冲区击穿功率为 5 MV cm 1 [8] 。已经展示了使用AlN 顶部势垒的HEMT，包括GaN HEMT 记录f T = f max 为454/444 GHz，[9 – 11] PAE 为27% ，相关输出功率为1.3 W的W 波段功率放大器，[12] 噪声系数小于2的K a 波段低噪声放大器，[13] 以及40 GHz 时为4.5 W mm 1 [14] 。所有这些器件都基于AlN/GaN/AlGaN 异质结构。 AlN/GaN HEMT 已显示出 Ga 极性 HEMT 在 W 波段的创纪录输出功率，在 94 GHz 时 P out ¼ 4 W mm 1。[15] 除了射频 (RF) HEMT 之外，氮化铝还具有单片集成大电流 GaN/AlN p 型场效应晶体管 (pFET) [16 – 18] 和晶体 AlN 体声波滤波器 [19] 的潜力，这两者都是通过 AlN 缓冲层实现的。SiC 衬底以衬底集成波导 (SIW) 和天线的形式实现了进一步的集成。[20] 这种集成生态系统被称为 AlN 平台，使高功率氮化物互补金属氧化物半导体 (CMOS)、RF 滤波器、单片微波集成电路 (MMIC) 以及 RF 波导和天线共存于一个单片芯片上。[21]
电泵浦 GeSn/SiGeSn 多量子阱激光器在连续波中运行
Si 基光子集成电路 (PIC) 将光学活性元件单片集成在芯片上，正在改变下一代信息和通信技术基础设施 1。在寻找基本的直接带隙的过程中，人们对 IV 族半导体合金进行了深入研究，以获得电泵浦连续波 Si 基激光器。沿着这条路径，已经证明可以通过化学计量和应变工程将新开发的 GeSn/SiGeSn 异质结构的电子带结构调整为直接带隙量子结构，从而为激光提供光增益 2。在本文中，我们介绍了一种多功能电泵浦激光器，它在低温下发射近红外波长为 2.35 µm 的低阈值电流为 4 mA（5 kA/cm 2）。它基于 6 周期 SiGeSn/GeSn 多量子阱结构，沉积在具有弛豫 Ge 缓冲层的 Si 衬底上。通过定义一个圆形台面结构来制作小尺寸微盘腔激光器，该结构蚀刻穿过层堆栈直至 Si 衬底。随后，通过去除此区域的 Ge 缓冲层，将盘的边缘蚀刻 900 nm。剩余的 Ge 基座用作 p 接触区以及激光器的散热器（图 1 a、b）。在这个简单的结构中，由于 SiGeSn 的导热性较差，有源区的实际晶格温度比热浴 T b 高约 60K。但是，激光器在 T b =40K 以下以连续波 (CW) 模式工作，但也可以在 T b =77K 时以直接调制模式高效工作至 ns 脉冲。