额定温度:105°C 额定电压:300 伏 结构要求:符合 UL 1424 FPL 型 导体要求:符合 ASTM B8 B 类 导体:退火电解铜,7 线绞合 绝缘:PVC 绞合长度:50 毫米(20 绞/米) 非屏蔽线对:聚酯带螺旋缠绕 屏蔽:铝聚酯带缠绕加镀锡铜编织层 护套:PVC(低烟无卤 - 无卤阻燃剂)阻燃、耐日光、耐油 防火要求:符合 UL 1685 碳氢化合物要求:符合 NFC 32-200 – ASTM D 1239 油要求:符合 ICEA S 73-532 户外要求:符合 UL 2556(紫外线) NEC 代码(NFPA 70):Art. 760 FPL
摘要 - 与CMOS过程技术缩放,制造纳米级晶体管,触点和互连的掩模成本变得非常昂贵,特别是对于低容量设计。此外,较高的晶体管密度导致了较高的设计复杂性和大型模具,这导致了设计周期时间的增加和过程产量下降。这些挑战迫使小批量应用特异性集成电路(ASIC)朝着高度次优的可编程栅极阵列(FPGAS)朝向高度的。In this arti- cle, we propose a new approach for designing and fabricating high-mix, low-volume heterogeneously integrated ASICs, referred to as Microscale Modular Assembled ASIC (M2A2), consisting of: 1) pick-and-place assembly of prefabricated blocks (PFBs) which utilizes the nano-precision placement capabilities developed in jet-and-flash imprint lithography (J-FIL)和2)EDA设计方法利用无监督的学习和图形匹配技术。EDA方法论利用现有的CAD工具基础架构,以便于当前的EDA生态系统中采用。所提出的制造技术利用采摘和地组装技术允许PFBS的纳米专业组装。PFB可以用高级过程节点制造,然后在晶圆基板上编织在一起。然后可以在PFB编织层的顶部创建/放置定制设计的低成本后端金属层,以实现各种高混合,低量的ASIC设计。M2A2将通过最佳的PFB选择和编织在前端设计中具有更大的功能。在本文中,基于M2A2的设计的性能与不同的设计技术(例如基线ASIC,FPGA和SASIC)相对,在16 nm,40 nm和130 nm CMOS ProudeS节点上。PNR后模拟结果超过15个IWL基准测试表明,所提出的M2A2设计实现了27。11× - 34。89×降低功率 - 否决产物(PDP),并产生1。69× - 2。与基线ASIC相比, 36倍面积。 M2A2设计达到15%–68.5%36倍面积。M2A2设计达到15%–68.5%