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World File Search System缺陷率
通过先进的过滤技术调节 EUV 光刻胶中的缺陷率
EUV 光刻技术是解决先进技术节点关键尺寸的主流技术，目前处于 18nm 及以下的范围内 [1]。EUVL 首次应用于制造领域，利用的是化学放大光刻胶 (CAR) [2]。在 ArF 和 ArF 浸没式光刻中，CAR 的过滤（无论是在本体还是在使用点 (POU)）已证明对减少微桥起着重要作用，主要是通过去除硬颗粒和凝胶 [3-6]。对于 ArFi，EUV 带来了新的挑战，不仅要达到所需的线条粗糙度、灵敏度和分辨率，还需要大幅减少线条塌陷、微桥和断线等缺陷。在这项研究中，它展示了利用新型 POU 过滤来调节微桥和实现卓越启动行为的能力，这两者对于实现大批量制造的 EUVL 都至关重要。在由 TEL CleanTrack LITHIUS Pro-Z 和 ASML NXE:3400B 组成的 imec EUV 集群上测试了不同的 POU 过滤器。通过测量冲洗溶剂体积与 19nm 大小的缺陷之间的函数关系来评估启动性能，结果表明可以快速达到稳定的基线。使用市售光刻胶进行的光刻实验旨在降低晶圆缺陷率，实验结果一致表明，在 16nm L/S 测试载体上，光刻胶显影后 (ADI) 和光刻胶蚀刻后 (AEI) 微桥显著减少。讨论了膜物理固有设计和新型清洁对 POU 设备的影响。关键词：EUV 光刻、微桥、POU 过滤
六西格玛报告：波音787 Dreamliner电池问题分析和
*改进后缺陷率：降低至小于0.1％。*操作稳定性：未报告新事件。*成本节省：估计节省2亿美元。在改善阶段，进行了显着的增强，以解决波音787 Dreamliner电池中发生故障的根本原因。该电池高度重新设计了高级绝缘材料，可靠的遏制机制以及改进的冷却系统，该系统应在发生火灾或过度加热的情况下可以防止热失控。此外，通过引入增强的质量控制措施和严格的供应商评论，以确保仅确保最佳组成部分，从而改善了其他制造过程。此外，还对生产过程进行了优化，以减少可变性和缺陷。进行了广泛的原型测试和性能验证，以验证重新设计的电池是否满足安全性和可靠性要求。严格的改进实现了缺陷率的指数降低，并提高了电池系统的整体安全性和有效性。
回流焊接工艺和故障排除：SMT、BGA...
回流焊接是表面贴装技术 (SMT) 应用互连的主要方法。该工艺的成功实施取决于能否实现低缺陷率。一般而言，缺陷通常可归因于材料、工艺和设计这三个方面的原因。回流焊接故障排除需要识别和消除根本原因。如果纠正这些原因可能超出制造商的能力范围，则进一步优化其他相关因素成为将缺陷率降至最低的次佳选择。第 1 章介绍电子封装和表面贴装技术的一般设计背景和趋势。第 2 章和第 3 章提供焊接和焊料的基础知识。第 4 章介绍回流工艺的基础知识。这四章是分析焊接缺陷所需的基础知识。第 5 章至第 7 章讨论了缺陷类型、
光罩
使用 EUV 光刻技术不断缩小尺寸的需求为图案化材料和工艺带来了挑战和机遇。缩小 BEOL 互连结构是提高功能设备性能的关键要素。在本文中，我们研究了各种因素对 EUV 单次曝光通孔图案化的影响，以找到缩小临界尺寸 (CD) 的有效策略，从而提高临界尺寸均匀性 (CDU) 和局部临界尺寸均匀性 (LCDU) 并降低缺陷率。这项工作基于在最小水平互连线间距为 28nm 时图案化片上系统 (SoC) 随机逻辑通孔层，这是使用 0.33 NA EUV 工具进行单次曝光互连的极限。该设计使用激进的 3/2 CPP/Mx 齿轮比，相当于 38nm 到 34nm 间距的正交通孔阵列，从而检查主要图案化参数和照明源与矩形通孔的 OPC 处理共同优化的影响。将通孔图案转移到底部电介质，以研究 LCDU 的演变和蚀刻过程中的缺陷率。
采用交错小分子抑制剂和集成背蚀刻校正进行 SiO2 高通量区域选择性空间原子层沉积，实现低缺陷率
开发了一种首创的 SiO 2 区域选择性沉积工艺，包括在同一空间原子层沉积 (ALD) 工具中交替曝光小分子抑制剂 (SMI) 和背蚀刻校正步骤的薄膜沉积。这些方面的协同作用导致选择性 SiO 2 沉积高达 ˜23 nm，具有高选择性和高吞吐量，具有 SiO 2 生长区域和 ZnO 非生长区域。X 射线光电子能谱 (XPS) 和低能离子散射光谱 (LEIS) 均证实了选择性。已经通过实验和理论比较了两种不同的 SMI（乙基丁酸和新戊酸）赋予的选择性。密度泛函理论 (DFT) 计算表明，使用两种 SMI 进行选择性表面功能化主要受热力学控制，而使用三甲基乙酸时实现的更好选择性可以通过其比乙基丁酸更高的堆积密度来解释。通过在其他起始表面（Ta 2 O 5、ZrO 2 等）上使用三甲基乙酸作为 SMI 并探测选择性，证明了羧酸抑制剂在不同基底上的更广泛用途。人们认为，当前的结果突出了 SMI 属性的微妙之处，例如尺寸、几何形状和堆积，以及交错的回蚀步骤，这些对于开发更有效的高选择性沉积工艺策略至关重要。
阿尔法松香助焊剂 800 (RF-800)
SM-465-5 ALPHA 松香助焊剂 800 (RF-800) 免清洗助焊剂 ALPHA RF-800 为免清洗助焊剂提供了最宽的工艺窗口，固体含量低于 5%。ALPHA RF-800 旨在提供出色的焊接效果（低缺陷率），即使要焊接的表面（元件引线和焊盘）可焊性不高也是如此。RF800 特别适用于用有机或松香/树脂涂层保护的裸铜板以及涂有锡铅的 PCB。ALPHA RF-800 可成功用于锡铅和无铅应用。一般说明 ALPHA RF-800 是一种高活性、低固体、免清洗助焊剂。它采用专有活化剂系统配制而成。添加少量松香以增强热稳定性。活化剂旨在为低固体、免清洗助焊剂提供最宽的操作窗口，同时保持高水平的长期电气可靠性。波峰焊后，ALPHA RF-800 留下少量非粘性残留物，在引脚测试中很容易穿透。特性和优点 • 高活性，焊接效果极佳，缺陷率低。 • 非粘性残留物含量低，可减少对引脚测试的干扰。 • 无需清洁，可降低运营成本。 • 降低阻焊层和焊料之间的表面张力，从而显着降低焊球频率。 • 符合 Bellcore 对长期电气可靠性的要求。应用指南准备 - 为了保持一致的销售
covid-19疫苗产品摘要
•正在接受血液肿瘤或血液癌的主动癌症治疗•接受了器官移植，并正在服用药物来抑制免疫系统•在过去两年内接受了干细胞移植，或者正在服用医学来抑制免疫系统•中度或重度的原发性免疫缺陷率（例如，digeorge cyndrome cyndrome consitory compaction•高级综合症）•hevivic•hevient•hevient•hevient•hevive•hevive•hevive•hevivection•hevient•hevive•或其他可能抑制其免疫反应的药物，人们应与他们的医疗保健提供者谈论Covid-19，鉴于他们的医疗状况。
原发性免疫缺陷（PI）的编码信息
D80 Immunodeficiency with predominantly antibody defects D80.0* Hereditary hypogammaglobulinemia Autosomal recessive agammaglobulinemia (Swiss type) X-linked agammaglobulinemia [Bruton] (with growth hormone deficiency) D80.1 Nonfamilial hypogammaglobulinemia Agammaglobulinemia含有免疫球蛋白的B-淋巴细胞常见可变的agammagaglobulinemia [cvagamma] hardogammagagamaglobulinemia nos d80.2*免疫球蛋白A [IgA] D80.3*的选择性缺陷d80.3*选择性缺陷型免疫缺陷效率。免疫球蛋白M [IgM] D80.5*免疫缺陷率提高免疫球蛋白M [IgM] D80.6*抗体缺乏效率近期免疫球蛋白或与临时抗肿瘤的临时抗肿瘤d880.8其他免疫原性D880.8缺陷Kappa轻链缺乏D80.9免疫缺陷，主要是抗体缺陷，未指定的
电池测试解决方案-S.L。Instrumentos de Medida
用于铅酸电池保温材料测试Chroma 19311 19311测试铅酸电池电池的正板和负板之间的绝缘质量，通过在电解质注射前施加高压激增。它具有电涌输出电压，可以达到6kV，四个端子测量，200MHz采样率，并且可以使用谐振波形分析绝缘质量。它在绝缘距离和质量，分离器的存在以及可能的短路上测试正板和负板。此激增测试可以降低铅酸电池的缺陷率并增加电池电池绝缘。19311-10多细胞扫描测试非常有效；节省测试时间（<1.5s的6个单元），降低人工成本，并增加生产线吞吐量。