XiaoMi-AI文件搜索系统
World File Search System美国硅谷
Lopamudra Mitra，博士 - 硅谷科技学院
期刊与会议 + 期刊: + 1. Lopamudra Mitra、Ullash Kumar Rout “与太阳能光伏模块接口的新型高增益直流-直流转换器的性能分析” 原创
被称为“硅谷最接近良心的东西......
特里斯坦·哈里斯被《大西洋月刊》称为“硅谷最接近良知的人”。他曾在谷歌担任设计伦理学家三年，致力于开发一个框架，探讨技术应如何“合乎道德地”引导数十亿人远离屏幕的思想和行为。他现在是人道技术中心的联合创始人，该中心的使命是扭转“人类降级”的趋势，重新将技术与人性结合起来。此外，他还与联合创始人阿扎·拉斯金共同主持了 Your Undivided Attention 播客。《滚石》杂志将特里斯坦评为“塑造世界的 25 人”之一，并因其在技术改革方面的工作被《财富》杂志评为 2018 年 40 位 40 岁以下精英。2016 年，特里斯坦离开谷歌，致力于通过非营利性计划“Time Well Spent”改革注意力经济，该计划呼吁业界“竭尽全力”吸引注意力，并提出了设计解决方案。 2018 年 1 月，马克·扎克伯格将“时间花得值”作为 Facebook 的设计目标。2018 年 5 月，苹果和谷歌分别推出了“数字健康”计划和“时间花得值”功能，目前这些功能已在 iOS 和安卓手机上推出。特里斯坦花了十多年的时间研究劫持人类思维和行为的因素。从童年的魔术师到在斯坦福说服技术实验室研究说服技术的工作，特里斯坦开始关注道德和人道技术的必要性。他对注意力经济的研究始于 2013 年，当时他在谷歌内部制作的幻灯片广为流传，警告科技行业为吸引人类注意力而展开的军备竞赛，以及公司对其重组社会的方式所负有的道德责任。特里斯坦的作品曾在 TED、大西洋月刊、60 分钟、纽约时报、美联社、华尔街日报等多家媒体上发表。 Tristan 曾向各国元首、科技公司 CEO 和美国国会议员介绍过注意力经济。在加入 Google 之前，Tristan 是 Apture 的联合创始人兼 CEO，该公司于 2011 年被 Google 收购。Apture 让数百万用户能够通过庞大的发布商网络获得即时、动态的解释。Tristan 在 Apple、Wikia、Apture 和 Google 工作期间获得了多项专利。他毕业于斯坦福大学，获得计算机科学学位，专注于人机交互，同时在 BJ Fogg 教授的斯坦福说服技术实验室涉足行为经济学、社会心理学、行为改变和习惯养成。
2024 年硅谷经济展望
为了帮助提供这些答案，近三百名亚利桑那州商业界成员对 Udall Shumway, PLC – 信贷管理协会“2024 年山谷经济预测调查”发表了自己的见解和期望。调查受访者是亚利桑那州各行各业的领导者——建筑材料供应商和承包商、贷方和信贷经理、法律、医疗和工程专业人士、零售商、酒店经营者和其他服务提供商。他们的观点是亚利桑那州 2024 年经济表现的前沿、实地预测指标。2024 年预测调查的参与者是马里科帕县商业经验的命脉。他们的意见不仅能洞察亚利桑那州的经济——他们的期望将极大地影响它。
深圳的数字商业模式：硬件硅谷
每天，全球有超过 20 亿人创建了一个由互联设备组成的网络。到 2020 年，将有 330 亿台设备连接到网络。物联网 (IoT) 和互联消费者的兴起为吸引客户和创造经常性收入开辟了充满希望的新途径。新参与者颠覆了长期存在的行业，挑战了现有企业及其传统商业模式。例如，总部位于深圳的腾讯公司推出的微信移动支付正在让信用卡在中国变得多余。广播平台虎牙正在颠覆传统的电影和电视业务。共享单车系统摩拜正在改变中国和欧洲各城市的出行方式。消费电子公司 Sonos 正在从硬件到内容重塑音乐行业，盈创则正在用 3D 打印房屋和办公楼颠覆建筑业。
硅谷数字国防工业的崛起
[CIA 领导人] 当时非常害怕他们所说的“数字珍珠港”的前景……珍珠港事件发生时，政府的各个部门都有一份信息，但他们无法将它们拼凑起来说，“看，珍珠港袭击迫在眉睫”……[在] 1998 年，他们开始意识到信息分散在所有这些不同的情报机构中，他们永远无法将它们拼凑起来……他们试图解决大数据问题。你如何将它们拼凑起来以获取情报？ 17
Manoranjan Behera，博士 - 硅谷科技学院
通过光学吸收、发射和 t 来研究聚乙烯吡咯烷酮和富勒烯流体之间的相互作用。基础和应用技术会议”，2010 年 12 月 9-11 日，Jadavpur Universi 5，第 92 页。
Sanghamitra Das，博士 - 硅谷科技学院
使用 TCAD 的应变 Si/SiGe 通道 p-MOSFET。收录于：Nath V.（编辑）国际微电子、计算与通信系统会议论文集。电气工程讲义，第 453 卷，第 181-188 页，Springer，新加坡，2018 年。18. Sanghamitra Das、TP Dash、S. Dey 和 CK Maiti，“陷阱效应
Saroj Rout，博士 - 硅谷科技学院
他是波士顿微技术公司的联合创始人兼副总裁，该公司是一家由美国国家科学基金会 (NSF) 资助的大波士顿地区半导体初创公司，成立于 2014 年。 他是美国国家科学基金会 (NSF) 资助的小企业创新研究 (SBIR) 第一阶段的首席研究员。 1998 年至 2000 年，他在美国爱荷华州立大学担任研究助理，从事低压 CMOS 模拟电路设计工作。 2007 年至 2016 年，他在美国塔夫茨大学从事有源超材料研究。
实践学校手册 - 硅谷技术学院
• 2023 年，连续第五年荣获印度政府教育部颁发的“最佳表现机构创新委员会 (IIC)”称号 • 2023 年和 2021 年，唯一一家来自奥里萨邦的 IIC 被印度政府教育部选为资助导师机构 • 2022 年奥里萨邦能源保护奖 • 2022 年被 Start-up Odisha 认可为“孵化器” • 2021 年 CV Raman 学术卓越奖 • 2021 年荣获奥里萨邦 BPUT 颁发的“初创细胞”奖 • 我们的创新与孵化中心于 2019 年被印度政府 MSME 批准为企业孵化器 (BI)。印度 • 2018 年和 2019 年被印度技术教育协会 (ISTE) 评为奥里萨邦“最佳工程学院” • 2017 年荣获奥里萨邦技术会议“最佳研发技术学院奖” • 2016 年被 ABP News 评为“东部地区杰出工程学院”
Sudhansu Kumar Pati 博士- 硅谷科技学院
栅极金属氧化物半导体异质结构场效应晶体管 (DG MOS-HFET)”，超晶格和微结构 - ELSEVIER Publishers，第 55 卷，第 8-15 页，2013 年。ISSN：0749-6036，DOI：10.1016/j.spmi.2012.12.002（SCI 影响因子 2.12）3. Sudhansu Kumar Pati、KalyanKoley、ArkaDutta、N. Mohankumar 和 Chandan Kumar Sarkar，“一种提取具有 NQS 效应的非对称 DG MOSFET 的 RF 参数的新方法”，半导体杂志- IOP Publishers，第 55 卷34，第 2 期，第 1-5 页，2013 年 11 月。ISSN：1674-4926，DOI：10.1088/1674-4926/34/11/114002（SCI - 影响因子 1.18）4. Sudhansu Kumar Pati、KalyanKoley、ArkaDutta、N. Mohankumar 和 Chandan Kumar Sarkar，“体和氧化物厚度变化对下重叠 DG- MOSFET 模拟和 RF 性能的影响研究”，Microelectronics Reliability-Elsevier Publishers，Vol. 54，第 6-7 期，第 1137-1142 页，2014 年。ISSN：0026-2714，DOI：10.1016/j.microrel.2014.02.008 5. HemantPardeshi、Sudhansu Kumar Pati、Godwin Raj、N. Mohankumar 和 Chandan Kumar Sarkar，“欠重叠和栅极长度对 AlInN/GaN 欠重叠 MOSFET 器件性能的影响”，半导体杂志，IOP Science publishers，第 54 卷。 33, No. 12, 2012 年，第 1-7 页。ISSN：1674-4926，DOI：10.1088/1674- 4926/33/12/124001（SCI-影响因子 1.18） 6. HemantPardeshi、Sudhansu Kumar Pati、Godwin Raj、N. Mohankumar 和 Chandan Kumar Sarkar，“研究 III-V 异质结构欠重叠 DG MOSFET 中栅极错位、栅极偏置和欠重叠长度导致的不对称效应”，Physica E：低维系统和纳米结构，Elsevier，Vol. 46，第 61-67 页，2012 年。ISSN：1386-9477，DOI：10.1016/j.physe.2012.09.011（SCI 影响因子 3.57） 7. HemantPardeshi、Godwin Raj、Sudhansu Kumar Pati、N. Mohankumar 和 Chandan Kumar Sarkar，“III-V 异质结构与硅底搭接双栅极 MOSFET 的比较评估”，半导体，Springer，第 46 卷。 46，第 10 期，2012 年，第 1299–1303 页。ISSN：1090-6479，DOI：10.1134/S1063782612100119（SCI - 影响因子 0.641） 8. Godwin Raj、HemantPardeshi、Sudhansu Kumar Pati、N. Mohankumar 和 Chandan Kumar Sarkar，“基于物理的 AlGaN/GaN HEMT 器件电荷和漏极电流模型”，Journal of Electron Devices，Vol. 14，第 1155-1160 页，2012 年。ISSN：1682-3427 9. Godwin Raj、HemantPardeshi、Sudhansu Kumar Pati、N. Mohankumar 和 Chandan Kumar Sarkar，“基于极化的电荷密度漏极电流和纳米级 AlInGaN/AlN/GaN HEMT 器件的小信号模型”，超晶格和微结构，Elsevier，Vol. 54，第 188-203 页，2013 年。ISSN：0749-6036，DOI：10.1016/j.spmi.2012.11.020（SCI 影响因子 2.12） 10. HemantPardeshi、Godwin Raj、Sudhansu Kumar Pati、N. Mohankumar 和 Chandan Kumar Sarkar，“势垒厚度对 AlInN/GaN 下重叠 DG MOSFET 器件性能的影响”，超晶格与微结构，Elsevier，第 60 卷，第 47-59 页，2013 年。ISSN：0749-6036，DOI：10.1016/j.spmi.2013.04.015（SCI 影响因子 2.12）