本文提出了一种低压高性能运算跨导放大器设计。所提出的架构基于体驱动准浮栅金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET),支持低压操作并提高放大器的增益。除此之外,通过在输入对处使用翻转电压跟随器结构以及体驱动准浮栅 MOSFET,消除了运算跨导放大器 (OTA) 的尾电流源要求。与传统的体驱动架构相比,所提出的运算跨导放大器的直流 (DC) 增益增加了五倍,单位增益带宽增加了三倍。用于放大器设计的金属氧化物半导体 (MOS) 模型采用 0.18 微米互补金属氧化物半导体 (CMOS) 技术,电源为 0.5 V。
摘要。高性能子伏电流镜被广泛用于构建混合模式低功率VLSI系统。电流镜的性能取决于其关键参数,其中包括较大的操作范围,低输入合规性电压,宽秋千,大带宽以及非常低的输入和非常高的输出电阻。在本文中,显示了高性能低功率电流镜的设计。所提出的电流镜基于电压跟随器,使电流镜在低压下工作。为改善输入输出电阻,提出的电流镜由超级晶体管和超级cascode阶段使用。在微电瓦范围内的功率耗散时,直到1mA达到了最小误差的当前镜像。所达到的带宽为2.1 GHz,低输入和高输出电阻分别为0.407 ohm和50 giga ohm。在本文中还显示了过程角,温度分析和提议的电流镜的噪声分析。使用0.18 UM技术的HSPICE以0.5 V的双电源电压进行完整分析。