tum.de › attfile › 2016-Jul PDF 作者:C Gehlen · 被引用次数:2 — 作者:C Gehlen · 被引用次数:2 Therefore, the reliability of structures designed in this manner covers a large range.... CO2 concentration of the ambient air [kg/m³].8 页
a 意法半导体,法国鲁塞 b 艾克斯-马赛大学,CNRS,IM2NP,13451 马赛,法国 摘要 在本文中,我们对 100 万次编程/擦除 (P/E) 操作后的 1T-NOR 闪存电气特性进行了 TCAD 模拟。由于 TCAD 模拟,提出了空间缺陷分布来解释耐久性下降的原因。工艺模拟基于意法半导体生产的 90 nm 节点嵌入式非易失性存储器技术 (eNVM)。编程和擦除期间使用热载流子注入 (HCI) 和高级隧道模型,而闪存性能下降则通过位于 Si/SiO 2 界面和 SiO 2 内部的缺陷来考虑。获得的循环前后编程窗口以及消耗电流的结果与实验结果高度一致。此外,在此框架内,可以正确重现 100 万次循环后无应力闪存侧的 IV 特性,如文献中先前报道的那样。 1. 引言电荷存储浮栅存储器Flash-EEPROM(电可擦除可编程只读存储器)或简称Flash,可以说是迄今为止市场上最成功的非易失性存储器之一,每年仍有数十亿个单元被处理,预计到2028年,复合年增长率(CGAR)将达到14.4% [1]。它的可靠性(主要包括耐用性和数据保留率)在过去几十年中得到了广泛的研究[2-4]。在本文中,我们使用技术计算机辅助设计(TCAD)来模拟100万次循环后的1T-NOR闪存编程窗口关闭。TCAD是一种基于物理的数值建模方法,用于精确模拟微电子器件的制造工艺和电气特性,该工具已成功用于器件性能优化和可靠性提高[5,6,7]。与[8]类似,Flash耐用性是通过缺陷建模的;然而,在本文中,我们采用了 Si/SiO 2 界面和 SiO 2 体氧化物中的非均匀缺陷分布以及不同类型的缺陷。这种方法与 [4] 中报道的实验结果一致。
Michael Aizenshtein,以色列 Jarir Aktaa,德国 Sandro C. Amico,巴西 K. G. Anthymidis,希腊 Santiago Aparicio,西班牙 Renal Backov,法国 Markus Bambach,德国 Amit Bandyopadhyay,美国 Massimiliano Barletta,意大利 Mikhael Bechelany,法国 Bernd-Arno Behrens,德国 Avi Bendavid、澳大利亚 Jamal Berakdar、德国 Jean-Michel Bergheau、法国 G. Bernard-Granger,法国 Giovanni Berselli,意大利 Patrice Berthod,法国 Susmita Bose,美国 H.-G. Brokmeier,德国 Steve Bull,英国 Gianlorenzo Bussetti,意大利 Marco Cannas,意大利 Peter Chang,加拿大 Daolun Chen,加拿大 Gianluca Cicala,意大利 Francesco Colangelo,意大利 Marco Consales,意大利 Gabriel Cuello,法国 Narendra B. Dahotre,美国 João P. Davim,葡萄牙 Angela De Bonis,意大利 Luca De Stefano,意大利 Francesco Delogu,意大利 Maria Laura Di Lorenzo,意大利 Marisa Di Sabatino,挪威 Ana María Díez-Pascual,西班牙 Guru P. Dinda,美国 Nadka Tzankova Dintcheva,意大利 Frederic Dumur,法国 Kaveh Edalati,日本 Philip Eisenlohr,美国 Claude Estournès,法国 Michele Fedel,意大利 Paolo Ferro,意大利 Massimo Fresta,意大利
Michael Aizenshtein,以色列 Jarir Aktaa,德国 Sandro C. Amico,巴西 K. G. Anthymidis,希腊 Santiago Aparicio,西班牙 Renal Backov,法国 Markus Bambach,德国 Amit Bandyopadhyay,美国 Massimiliano Barletta,意大利 Mikhael Bechelany,法国 Bernd-Arno Behrens,德国 Avi Bendavid、澳大利亚 Jamal Berakdar、德国 Jean-Michel Bergheau、法国 G. Bernard-Granger,法国 Giovanni Berselli,意大利 Patrice Berthod,法国 Susmita Bose,美国 H.-G. Brokmeier,德国 Steve Bull,英国 Gianlorenzo Bussetti,意大利 Marco Cannas,意大利 Peter Chang,加拿大 Daolun Chen,加拿大 Gianluca Cicala,意大利 Francesco Colangelo,意大利 Marco Consales,意大利 Gabriel Cuello,法国 Narendra B. Dahotre,美国 João P. Davim,葡萄牙 Angela De Bonis,意大利 Luca De Stefano,意大利 Francesco Delogu,意大利 Maria Laura Di Lorenzo,意大利 Marisa Di Sabatino,挪威 Ana María Díez-Pascual,西班牙 Guru P. Dinda,美国 Nadka Tzankova Dintcheva,意大利 Frederic Dumur,法国 Kaveh Edalati,日本 Philip Eisenlohr,美国 Claude Estournès,法国 Michele Fedel,意大利 Paolo Ferro,意大利 Massimo Fresta,意大利
在第二部分中,我们描述了 EEPROM 模拟结构并提供了校准方法,从而得出与实验结果高度一致的预测编程窗口。第三部分重点介绍耐久性,即在两种编程状态不再可区分之前可以承受的写入/擦除循环次数。通过在隧道体氧化物中插入负捕获电荷,可以重现实验编程窗口关闭。为了支持这种方法,我们表明总捕获电荷密度遵循常用的幂律 [6]。作为实际应用,我们建议使用此预测 TCAD 模型大幅缩短实验循环测试时间。最后,在第四部分中,我们展示了如何扩展此模型以包括高温对编程窗口关闭的影响。
4. 混凝土耐久性指标的测试方法 46 D. Bjegović, M. Serdar, I. S. Oslaković, F. Jacobs, H. Beushausen, C. Andrade, A. V. Monteiro, P. Paulini, S. Nanukuttan 46 4.1 简介 46 4.2 气体渗透性 47 4.2.1 原理和机理 47 4.2.2 测试方法 48 4.2.3 混凝土质量评估概述和标准 58 4.3 水性渗透性 59 4.3.1 原理和机理 59 4.3.2 测试方法 59 4.3.3 混凝土质量评估概述和标准 63 4.4 毛细吸收 64 4.4.1 原理和机理 64 4.4.2 测试方法 65 4.4.3 混凝土质量评估概述和标准质量 69 4.5 氯离子渗透 70 4.5.1 原理与机理 70 4.5.2 测试方法 73 4.5.3 混凝土质量评价概述和标准 86 4.6 混凝土电阻率和电导率 87 4.6.1 原理与机理 87 4.6.2 测试方法 87 4.6.3 混凝土质量评价概述和标准 90 4.7 结束语 91 参考文献 92
Michael Aizenshtein,以色列 Jarir Aktaa,德国 K. G. Anthymidis,希腊 Santiago Aparicio,西班牙 Renal Backov,法国 Markus Bambach,德国 Amit Bandyopadhyay,美国 Massimiliano Barletta,意大利 Mikhael Bechelany,法国 Bernd-Arno Behrens,德国 Avi Bendavid,澳大利亚 Jamal Berakdar,德国 Jean-Michel Bergheau,法国 G. Bernard-Granger,法国 Giovanni Berselli,意大利 Patrice Berthod,法国 Federica Bondioli,意大利 Susmita Bose,美国 H.-G. Brokmeier,德国 Steve Bull,英国 Gianlorenzo Bussetti,意大利 Marco Cannas,意大利 Peter Chang,加拿大 Daolun Chen,加拿大 Gianluca Cicala,意大利 Francesco Colangelo,意大利 Marco Consales,意大利 María Criado,英国 Gabriel Cuello,法国 Narendra B. Dahotre,美国 João P. Davim,葡萄牙 Angela De Bonis,意大利 Luca De Stefano,意大利 Francesco Delogu,意大利 Maria Laura Di Lorenzo,意大利 Marisa Di Sabatino,挪威 Ana María Díez-Pascual,西班牙 Guru P. Dinda,美国 Nadka Tzankova Dintcheva,意大利 Frederic Dumur,法国 Kaveh Edalati,日本 Philip Eisenlohr,美国 Claude Estournès,法国 Michele Fedel,意大利 Paolo Ferro,意大利
第二次试验:使用这种方法,菌丝体是从蘑菇种子和吸管中生长的。混合物填充后,将菌丝体与碳水化合物源(MAIDA)结合在一起,并将其放入模具中七天以创建砖。与第一个步道相比,将砖涂有腻子,结合的强度和耐用性略有提高。
振动试验(Masterbox) 连接器连接强度试验(冷却装置) 电气插件插入、拔出次数测试 温度冲击试验(UPS/冷却系统) 高温老化试验(UPS/冷却系统) 高温浮充电试验(UPS) 等
VAMAS 技术报告第 18 号 加速耐久性试验回顾 RP Brown(RAPRA 技术有限公司)† 与材料计量国家物理实验室分部签订合同,地址:Queens Road, Teddington, Middlesex TW11 0LW 摘要 本次回顾是 VAMAS 技术工作领域 12(TWA12)工作计划的一部分,随后进行了一项详细调查,该调查研究了 VAMAS 国家加速耐久性试验的可用性、状态和使用情况,旨在协助制定 ISO 标准。它包括有关降解剂和机制、已发布的标准、设计加速耐久性测试程序、预测模型、变异性和不确定性、热老化、风化、液体和气体暴露、电离辐射、缺陷和产品模拟设计寿命暴露的信息。