摘要 本文通过对有源区耗尽层的分析,首次得出AlGaN/GaN HEMT中耗尽层过程不同于硅功率器件的结论。基于AlGaN/GaN HEMT这种特殊的破坏原理,提出了一种新的RESURF AlGaN/GaN HEMT结构,以降低表面电场,提高击穿电压。该结构在极化AlGaN层中引入两个不同的负电荷区,通过耗尽2DEG来降低高边缘电场;在近漏极加入正电荷,首次降低了漏极高电场峰值。应用ISE仿真软件,在器件中验证了虚拟栅极效应。
• V7X 系列提供功率、速度、 • 95X 系列提供功率、速度、 • 964i 高压切换,用于自动精度和分辨率测试系统 • 交流和直流输出电压高达 5KV • 交流/直流输出范围广,高达 • 多导体/多点 • 计算精度和速度 30 kV 交流和 15 kV 直流 • 8 通道高压切换卡(8 个超过行业标准 • 每张卡的计算精度和速度,总共 64 个测试点) • 彩色触摸屏和自动测试超过行业标准 • 可配置电压额定值 - 可用软件 - 电流 3kV、7kV、10kV 和 15kV 的分辨率为 100 pA • 彩色触摸屏和自动测试软件可用
CS5095EA是一款5V输入,最大1.2A充电电流,支持 三节锂电池串联应用的升压充电管理IC。 CS5095EA集 成功率MOS,采用异步开关架构,使其在应用时仅需 极少的外围器件,可有效减少整体方案尺寸,降低 BOM成本。 CS5095EA的升压开关充电转换器的工作 频率为500KHz,转换效率为90% 。 CS5095EA内置四个环路来控制充电过程,分别为恒 流 (CC) 环路、恒压 (CV) 环路、芯片温度调节环 路、可智能调节充电电流,防止拉垮适配器输出,并 匹配所有适配器的输入自适应环路。 CS5095EA集成30V OVP 功能,输入端口能够稳定可 靠承受 30V 以内的耐压冲击,并在输入超过 6V 时停止 充电,非常适用于 T Y P E - C 接口的应用。同时芯片 BAT 输出端口耐压 30V ,极大提高了系统的可靠性。 CS5095EA 提供了纤小的 ESOP 8 L 封装类型供客户选 择,其额定的工作温度范围为 -4 0 ℃ 至85 ℃ 。
表格索引 表 1:基本参数表......................................................................................................................- 5 - 表 2:KEY 功能定义表...............................................................................................................- 6 - 表 3:工作及存储温度表..............................................................................................................- 7 - 表 4:功耗表.............................................................................................................................- 7 - 表 5:射频特性.............................................................................................................................- 7 - 表 6:距离测量.............................................................................................................................- 8 - 表 7:模块引脚 ESD 耐压.............................................................................................................- 8 -
1 简介 隔离器是一种电子设备,它向控制器传输数字信号,同时还提供电流隔离,为用户界面和低压电路提供安全的电压水平。它们具有广泛的应用,包括工业、汽车、消费和医疗电子产品,每种产品都需要特定的最低隔离水平。隔离的基本形式是由光耦合、电容耦合和磁耦合提供的 [1]。隔离器必须通过多项监管标准才能投放市场。这些标准包括可靠性测试,如耐压和浪涌电压以及高压耐久性 (HVE)。耐压和浪涌电压是相对较快的持续时间测试,但 HVE 可能需要几个月到几年才能完成 [2]。本研究基于对磁耦合隔离器中使用的材料的隔离能力的评估。为了更好地管理隔离器的可靠性测试,最好事先优化组件材料。在这项工作中,我们讨论了加工效应对隔离器中使用的各种材料的影响,并
各种尺寸的电冷却 HPGe 探测器,配有经认证可用于水下应用(燃料储存池或河流/湖泊/海洋)的特殊耐压外壳。即使使用包括 MCA 和装有 Genie 软件的 PC 在内的完整系统,也可以处理不同的深度。
• 316L 不锈钢电抛光外壳 • 全氟聚合物元件 • 广泛的化学兼容性 • 耐高温和耐压能力 • 体积小巧,易于安装 • 100% 完整性测试 • 洁净室制造和包装 • 100% 氦气泄漏测试 • 外壳符合或超过 VIM VAR 材料规格
在 30 种经过分类的双极、BiCMOS 和 CMOS 插座式 CDM 产品中,有 27 种产品的耐压为 ≥ 500V,且未出现实际 CDM 故障。在耐压 <500V 的三种产品中,有两种在经过分析和重新设计之前,因制造原因而多次出现 CDM 故障。对这两种产品的分析表明,插座式和非插座式 CDM 测试均在实际 CDM 故障中发现的相同故障位置复制了初始电介质击穿故障机制。然而,插座式 CDM 测试始终比非插座式 CDM 测试造成更严重的损坏。在一种产品上,这导致了与插座式 CDM 和实际故障完全不同的故障模式。基于这项工作,提出了一种结合插座式和非插座式 CDM 测试的方法来分类/评估新产品并推动 CDM 稳健性的改进。