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一整套坚固耐用的解决方案 - MilDef
众多专业领域。一个合作伙伴。MilDef 集团将一系列坚固耐用的电子专业知识汇集到一个供应商中。从小型计算机到交换机和显示器，MilDef 在每一项关键技术方面都拥有专业经验，这些技术是实现强大通信解决方案在最恶劣条件下运行所必需的。MilDef 提供全面的产品系列，这些产品已在世界各地的国际部队的陆上、海上和空中得到验证。这些产品包括高性能模块化计算机系统、笔记本电脑、PDA、平板电脑、显示器、电源和突破性的 19”/2 ® 外形尺寸。由于 MilDef 设计和制造其所有产品，因此该公司在增强标准产品和设计满足特定需求的定制解决方案方面都具有高度灵活性。
带有苯基钥匙块的带状运输和热耐用的V形有机半导体
作者的完整列表：Chizuru Sawabe；东京大学，高级材料科学系，Shohei Frontier Sciences Kumagai研究生院；东京大学，高级材料科学系Mitani，Masato；东京大学，国内科学研究生院伊西伊（Hiroyuki）； Masakazu的Tsukuba Yamagishi大学；美国国家技术学院，福拉玛学院萨加亚马，哈吉姆；材料结构研究所科学，高能加速器研究组织Kumai，Reiji； Hiroyasu材料结构科学研究所SATO研究所高能加速器研究组织（KEK）；里格库公司（Rigaku Corporation），Takeya，Jun；东京大学，高级材料科学系，俄克冈俄克冈大学；东京大学，高级材料科学系，边境科学学院
基因组学工具在小麦育种中的应用来获得耐用的锈蚀
小麦是全球大多数人群的饮食蛋白质和卡路里的重要来源。它是世界上最大的谷物之一，占地215 m公顷。在全球范围内生产小麦的生产受到生物胁迫（例如害虫和疾病）的挑战。在经济重要性的50种小麦疾病中，三种生锈疾病是大多数小麦生产环境中最明显的产量损失的三种疾病。在严重的流行病下，它们可能导致粮食不安全威胁，因为新种族的新种族，人口动态的转变及其毒力模式，从而使小麦育种计划中的几个有效的抗药性基因易受伤害。这强调了从各种来源识别，表征和部署有效的抗锈基基因的必要性，这些基因和未来的小麦品种。遗传抗性的使用已被标记为环保，并遏制了锈病病原体的进一步演变。在小麦系中包括主要基因和小基因在内的多种生锈基因的部署可以增强抗性的耐用性，从而降低病原体的进化。下一代测序（NGS）平台和相关的生物信息学工具的进步已彻底改变了小麦基因组学。小麦基因组的序列比对是最重要的地标，它将使基因组学能够鉴定基因组选择（GS）研究中的标记相关，候选基因和增强的育种值。高吞吐量基因分型平台已经证明了它们在遗传多样性的估计，高密度遗传图的构建，解剖多基因性状以及通过GWAS（全基因组全基因组关联研究）和QTL映射以及R基因的隔离中更好地理解其相互作用。在小麦育种计划中，育种者的友好KASP分析的应用加快了精英管线中生锈等位基因/基因的识别和金字化。本评论涵盖了锈病病原体和当代小麦品种的进化趋势，以及它们如何
坚固耐用的计算机
规格： CPU：英特尔® 至强® E-2176M 处理器（6 核、12MB 智能缓存、最高 4.40 GHz） 显示屏：15.6 英寸 (1920 × 1080)，LED 背光 显示屏亮度：270 尼特（可选 800 尼特） 内存：最大。 64 GB，DDR4-2400（可选 ECC DRAM） 操作系统：Windows 10 和 Server 2016 & 2019 显卡：英特尔® UHD 显卡 P630 电池：10.8V 锂离子电池 x 2（5980mAh，热插拔） 存储：最多 4 个 SATA III SSD（可拆卸） 输入设备：电阻式触摸板（单点触摸） 音频：高清音频和立体声扬声器，嵌入式麦克风 工作温度：- 20°C 至 +60°C（-4°F 至 +140°F） 存储温度：- 40°C 至 +70°C（-40°F 至 158°F） 尺寸 (W × D × H)：392 × 302 × 42 毫米（15.43 × 11.89 × 1.65 英寸），带保险杠 重量：5.3 千克（取决于配置） 符合： CE、FCC、UKCA、RCM、WEEE、REACH、RoHS2.0 IP65（不含 I/O 盖）和 MIL-STD-810H
通过透明保护层实现高效耐用的 III-V 族半导体催化剂光电阴极
太阳能驱动水分解的持久性能和高效率是光电化学 (PEC) 电池尚未同时实现的巨大挑战。虽然由 III-V 族半导体制成的光伏电池可以实现很高的光电转换效率，但它们与电催化剂的功能集成以及工作寿命仍然是巨大的挑战。在此，超薄 TiN 层被用作埋层结 n + p-GaInP 2 光电阴极上的扩散屏障，使得随后的 Ni 5 P 4 催化剂生长为纳米岛时能够升高温度，而不会损坏 GaInP 2 结。所得 PEC 半电池的吸收损失可以忽略不计，饱和光电流密度和 H 2 释放量与用 PtRu 催化剂装饰的基准光电阴极相当。高耐腐蚀 Ni 5 P 4 /TiN 层在 120 小时内显示出不减损的光电阴极运行时间，超过了之前的基准。通过蚀刻去除电沉积铜（引入的污染物），恢复了全部性能，证明了操作耐用性。 TiN 层扩大了合成条件并防止腐蚀，使 III-V PEC 设备稳定运行，而 Ni 5 P 4 催化剂则取代了昂贵且稀缺的贵金属催化剂。
