180 度混合耦合器设计为在 5 至 10 GHz 频率范围内小型化,求和端口相移为 0 度,差分端口相移为 180 度。小型化可以最大限度地降低功耗,而无源元件可以解决微带线基板材料复杂的可达性问题!将在 Cadence 中选择和设计电感器的金属层,并确定金属的磁导率和介电常数。设计过程从先进设计系统 (ADS) 中的环形混合耦合器微带线开始,到集总无源元件,再到 Cadence 中的有源 65nm CMOS 实现。仿真结果显示,通过中心抽头电感的材料在 EMX 仿真后产生了寄生电感,使感兴趣的频率带宽向左移动 1GHz。无源电路的正向增益为-10dB,回波损耗约为-6dB。已进行文献研究以缩小混合耦合器的体积并分析其性能参数。最终结果表明,仅使用了四个无源元件,覆盖了感兴趣的频带5GHz。
• 替代高性能光耦合器 • 数据速率:80 M 波特,典型值 ISO150 是 2 通道、电气隔离的数据耦合器,典型数据速率为 80M 波特。 • 低功耗:每通道 25 mW,每个通道都可以单独编程为在任一方向传输数据。 • 两个通道,每个通道都是双向的,数据通过高压 0.4 pF 电容器耦合互补脉冲跨隔离栅传输。接收器电路将脉冲恢复到标准逻辑电平。差分信号传输可抑制隔离模式电压瞬变 • 每通道低成本高达 1.6 kV/µ s • 采用 SO 封装 ISO150 避免了光耦合器常见的问题。光隔离耦合器需要高电流脉冲,并且必须考虑到 LED 老化。ISO150 的 Bi-CMOS 电路以每通道 25 mW 的功率运行 • A/D、D/A 转换的数字隔离。• 隔离的 RS-485 接口 ISO150 采用 SO-28 封装,规格为 • 多路复用数据传输,工作温度范围为 –40°C 至 85°C。• 隔离的并行到串行接口 • 测试设备 • 微处理器系统接口 • 隔离的线路接收器 • 接地环路消除
量子计算利用量子比特的量子现象(叠加和纠缠)执行复杂的计算任务 [4]。在过去的几十年中,各种各样的量子比特已经被实现,包括超导量子比特 [2],[5],半导体量子点 [6],[7] 和捕获离子量子比特 [8]。在上述量子比特中,捕获离子量子比特因其在量子纠缠中的高保真度而备受关注,因为捕获离子本质上是相同的 [9]。为了将捕获离子量子比特应用于量子计算设备,霍尼韦尔将 QCCD(量子电荷耦合器件)架构实现到可编程捕获离子量子计算机中。在 QCCD 中,捕获离子量子计算机可以通过将离子阱与用于量子比特光学寻址的光电元件集成到一个紧凑的独立设备中来实现。据报道,QCCD 实现了 2 4 的量子体积测量,并且几乎不存在串扰 [10]。
螺旋桩铅轴截面和延伸部分通过螺栓盒耦合系统连接在一起。耦合器引脚由一个圆形实心钢筋组成(图3)。耦合器盒由2 7/8-Inch-Out-Out-Diameter(73毫米)圆形钢管组成(图3)。每个扩展部分由一个引脚耦合器和一个盒子耦合器组成,这些框架是在工厂中焊接到相对扩展末端的惯性摩擦式焊接的。每个铅轴部分由一个盒子耦合器组成,该盒子耦合器是在工厂中焊接到铅轴顶端的惯性摩擦。通过与3/4英寸直径(19毫米)钢螺栓通过扩展部分耦合引脚以及连接的铅或其他扩展框耦合盒的连接,将延伸部分连接到铅轴或其他延伸部分。在2 7 /8 x0.217英寸的螺旋桩中为耦合器使用三个螺栓,而两个螺栓的目的是在2 7 /8 x0.203英寸的螺旋桩中用于耦合器。图3说明了耦合引脚和框连接。
1 芝加哥大学詹姆斯弗兰克研究所,美国伊利诺伊州芝加哥 60637 2 芝加哥大学物理系,美国伊利诺伊州芝加哥 60637 3 斯坦福大学物理与应用物理系,美国加利福尼亚州斯坦福 94305 4 西北大学物理与天文系,美国伊利诺伊州埃文斯顿 60208 5 耶鲁大学耶鲁量子研究所,美国康涅狄格州纽黑文 06511 6 中国科学技术大学合肥国家微尺度物质科学研究中心和物理科学学院,中国合肥 230026 7 中国科学技术大学上海量子科学研究中心和中科院量子信息与量子物理卓越创新中心,上海 201315 8 普林斯顿大学物理系,美国新泽西州普林斯顿 08544 9 芝加哥大学普利兹克分子工程学院,美国伊利诺伊州芝加哥60637,美国
Broadcom ® ACSL-6xx0 是真正隔离、多通道和双向高速光耦合器。通过专利工艺技术将多个光耦合器集成到单片中。这些设备采用紧凑的表面贴装封装,提供全双工和双向隔离数据传输和通信功能。提供 15 Mbd 速度选项和宽电源电压范围。
摘要:氮化硅 (Si3N4) 是开发低损耗光子集成电路的理想候选材料。然而,标准光纤和 Si3N4 芯片之间的有效光耦合仍然是一项重大挑战。对于垂直光栅耦合器,较低的折射率对比度会导致较弱的光栅强度,从而导致较长的衍射结构,限制了耦合性能。随着混合光子平台的兴起,采用多层光栅排列已成为提高 Si3N4 耦合器性能的一种有前途的策略。在本文中,我们介绍了一种用于带有非晶硅 (α-Si) 覆盖层的 Si3N4 平台的高效表面光栅耦合器的设计。表面光栅完全形成在 α-Si 波导层中,利用亚波长光栅 (SWG) 设计的超材料,可通过单步图案化轻松实现。这不仅为控制光纤-芯片耦合提供了额外的自由度,而且还有助于移植到现有的代工厂制造工艺。使用严格的三维 (3D) 有限差分时域 (FDTD) 模拟,设计了一种超材料工程光栅耦合器,其耦合效率为 − 1.7 dB,工作波长为 1.31 µ m,1 dB 带宽为 31 nm。我们提出的设计为氮化硅集成平台提供了一种开发高效光纤芯片接口的新方法,可用于数据通信和量子光子学等广泛应用。
Broadcom ® ACSL-6xx0 是真正隔离、多通道和双向高速光耦合器。通过专利工艺技术将多个光耦合器集成到单片中。这些设备采用紧凑的表面贴装封装,提供全双工和双向隔离数据传输和通信功能。提供 15 Mbd 速度选项和宽电源电压范围。
Broadcom ® ACSL-6xx0 是真正隔离、多通道和双向高速光耦合器。通过专利工艺技术将多个光耦合器集成到单片中。这些设备采用紧凑的表面贴装封装,提供全双工和双向隔离数据传输和通信功能。提供 15 Mbd 速度选项和宽电源电压范围。