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World File Search System聚结
利用纳米级暗场 X 射线显微镜研究 GaN 聚结
这项研究展示了暗场 X 射线显微镜 (DFXM)（一种纳米结构的 3D 成像技术）在表征 GaN/AlN/Si/SiO 2 纳米柱顶部的新型氮化镓 (GaN) 外延结构以用于光电应用方面的潜力。纳米柱旨在使独立的 GaN 纳米结构聚结成高度取向的薄膜，因为 SiO 2 层在 GaN 生长温度下变软。在纳米级的不同类型的样品上展示了 DFXM，结果表明，通过这种生长方法可以实现取向极好的 GaN 线（标准偏差为 0.04）以及面积高达 10 10 平方毫米的区域的高度取向材料。在宏观尺度上，高强度 X 射线衍射表明 GaN 金字塔的聚结会导致纳米柱中硅的方向错误，这意味着生长按预期进行（即柱在聚结过程中旋转）。这两种衍射方法证明了这种生长方法对于微型显示器和微型 LED 的巨大前景，这些显示器和 LED 需要小岛状的高质量 GaN 材料，并提供了一种新方法来丰富对最高空间分辨率下光电相关材料的基本理解。
无热吸附式干燥机 - OMI 意大利
拦截式过滤器适用于固体和油性颗粒。这些过滤器通过冲击、拦截和聚结原理，迫使从内部过滤通过滤芯的亚微米液体颗粒发生碰撞，从而变成更大的微滴，滴落到过滤器外壳的底部。
联合攻击战斗机 PHM 愿景
性能监控/趋势：PTMS（IPP、过滤器、储液器、聚结器等）液压系统（泵、过滤器、储液器、蓄能器）燃油系统（泵、阀门、热交换器）武器舱门驱动（泵速和斜盘角度）旋转执行器、EHA 武器架 OBIGGS 过滤器
Milton-Catalog.pdf - TCH 工业
52-53 1000-1100 系列：工具油和压缩机油 52-54 1000-1100 系列：迷你：F-R-Ls 55 1000-1100 系列：F-R-Ls 标准和重型过滤器 56 1000-1100 系列：聚结过滤器 56 1000-1100 系列：F-R-Ls 标准和重型调节器 57 1000-1100 系列：F-R-Ls 标准和重型润滑器 57-58 1000-1100 系列：F-R-Ls 金属碗式过滤器/调节器组合 (F/R) F-R-Ls 金属碗式 F-R 和 F-R-L 组合 Milton 自动隔夜排水 59 1000-1100 系列：紧凑型干燥剂精加工系统60-63 1000-1100 系列：SCFM 和 F-R-L 尺寸和订购图表
融合细丝制造过程中的合并
热塑性融合细丝制造过程（FFF）的主要缺点之一是所产生的零件的可怜的chanical特性。这主要与细丝之间有限的合并有限的大孔相关。合并是由聚合物的粘度和表面张力统治的。因此，需要对这两种特性进行准确的表征，以建模和优化灯丝沉积和冷却过程中的合并。在这项工作中，呈现在大温度范围（25 - 380℃）上的表面张力表征程序，并将其应用于Polyetherketoneketone（PEKK）材料。此外，牛顿粘度的特征是风化的。然后，通过将现有的半分析模型与先前呈现的2D传热有限元仿真模型耦合来模拟聚结。结果显示了表面张力的温度依赖性实施的重要性。此外，PARA指标研究还对FFF过程有了工业理解。
真空对 PEM 中金/铝线键合高温降解的影响
金属间化合物的生长和转变伴随着金/金属间化合物界面处键合内部以及键合外围的铝接触垫中空隙的形成。空隙是由于 Al 和 Au 原子扩散速率差异（Kirkendall 效应）形成的空位聚结而产生的。金属间化合物的形成使键合更坚固，但由于金属间化合物的体积变化，与 Au 和 Al 相比，键合更脆，机械应力更大 [1, 3]。由于金属间化合物的形成，引线键合的电阻仅增加几十毫欧姆 [1, 4]。在退化的初始阶段，空隙不会显著影响键合的机械强度和接触电阻。然而，长时间暴露在高温下会增加空洞，直至键合变得机械脆弱和/或电阻增加到可接受水平以上，从而导致设备故障。
真空对 PEM 中金/铝线键合高温降解的影响
金属间化合物的生长和转变伴随着金/金属间化合物界面处键合内部以及键合外围的铝接触垫中空隙的形成。空隙是由于 Al 和 Au 原子扩散速率差异（Kirkendall 效应）形成的空位聚结而产生的。金属间化合物的形成使键合更坚固，但由于金属间化合物的体积变化，与 Au 和 Al 相比，键合更脆，机械应力更大 [1, 3]。由于金属间化合物的形成，引线键合的电阻仅增加几十毫欧姆 [1, 4]。在退化的初始阶段，空隙不会显著影响键合的机械强度和接触电阻。然而，长时间暴露在高温下会增加空洞，直至键合变得机械脆弱和/或电阻增加到可接受水平以上，从而导致设备故障。