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背衬压电微机械超声换能器（B-PMUT）二维阵列的开发
[1] MILLER DL, SMITH NB, BAILEY MR 等。治疗性超声应用和安全注意事项概述[J]。超声医学杂志，2012，31 (4): 623-634。[2] WANG J, ZHENG Z, CHAN J 等。用于血管内超声成像的电容式微机械超声换能器[J]。微系统纳米工程，2020，6 (1): 73。[3] JIANG X, TANG HY, LU Y 等。基于与 CMOS 电路键合的 PMUT 阵列的发射波束成形超声指纹传感器[J]。IEEE 超声铁电频率控制学报，2017，PP (9): 1-1。[4] CHEN X, XU J, CHEN H 等。利用多频连续波的 pMUT 阵列实现高精度超声测距仪[J]。微机电系统，2019 年。[5] CABRERA-MUNOZ NE、ELIAHOO P、WODNICKI R 等人。微型 15 MHz 侧视相控阵换能器导管的制造和特性[J]。IEEE 超声铁电和频率控制学报，2019 年：1-1。[6] LU Y、HEIDARI A、SHELTON S 等人。用于血管内超声成像的高频压电微机械超声换能器阵列[S]。IEEE 微机电系统国际会议；2014 年。[7] ZAMORA I、LEDESMA E、URANGA A 等人。用于成像应用的具有 +17 dB SNR 的单片 PMUT-on-CMOS 超声系统[J]。 IEEE Access，2020，页（99）：1-1。[8] JUNG J，LEE W，KANG W 等。压电微机械超声换能器及其应用综述[J]。微机械与微工程杂志，2017，27 (11)：113001。[9] BERG S，RONNEKLEIV A。5F-5通过引入有损顶层降低CMUT阵列中膜之间的流体耦合串扰[S]。超声波研讨会；2012年。[10] LARSON J D。相控阵换能器中的非理想辐射器[S]。IEEE；1981年。[11] NISTORICA C、LATEV D、SANO T 等。宽带宽、高灵敏度的高频压电微机械换能器[S]。 2019 IEEE 国际超声波研讨会（IUS）；2019: 1088-1091。[12] 何丽梅，徐文江，刘文江等。基于三维有限元仿真的二维阵列压电微机械超声换能器性能和串扰评估[S]。2019 IEEE 国际超声波研讨会（IUS）；2019。[13] PIROUZ A、MAGRUDER R、HARVEY G 等。基于 FEA 和云 HPC 的大型 PMUT 阵列串扰研究[S]。2019 IEEE 国际超声波研讨会（IUS）；2019。[14] DZIEWIERZ J、RAMADAS SN、GACHAGAN A 等。一种用于NDE应用的包含六边形元件和三角形切割压电复合材料子结构的2D超声波阵列设计[S]。超声波研讨会；2009年。[15]徐婷，赵玲，姜哲，等。低串扰、高阻抗的压电微机械超声换能器阵列设计
EUDIS、HEDI、DIANA：三个国防创新缩写背后有什么含义？
冷战期间，欧洲北约盟国的国防支出平均占国内生产总值的 3% 以上，且随时间变化。冷战结束后，西方国家不仅大幅削减国防开支，还将军事研发削减 25% 或更多。从 2005 年到 2017 年，欧洲研发支出占国防总支出的比例从 5% 降至 3.5%。根据欧洲防务局的数据，2022 年，欧盟 (EU) 国防总支出为 2400 亿欧元，其中研发支出增加到 3.9%，即 95 亿欧元。然而，尽管最近国防总支出和国防研发支出都有所增加，但国防研发投资并未获得应有的收益。 2022 年，欧盟成员国在国防研发上花费了 35 亿欧元，占其国防总开支的 1.5%，高于 2011 年的 1.1%，但比 2021 年下降了 0.2%。这远低于 2017 年启动的欧盟安全与防务领域永久性结构性合作 (PESCo) 框架中设定的目标，即至少将国防总开支的 2% 投资于研究和技术。目前只有两个欧盟成员国实现了 2% 的目标，该目标于 2007 年 11 月在 EDA 部长级指导委员会上首次达成。以法国为首，这两个国家占欧盟国防研发总开支的 80% 以上。
富士通 MBM2732A.pdf
采用单晶体管堆叠栅极单元结构，通过双层多晶硅技术实现。单个单元由底部浮栅和顶部选择栅组成（见图 1）。顶栅连接到行解码器，而浮栅用于电荷存储。通过将高能电子通过氧化物注入浮栅来对单元进行编程。浮栅上电荷的存在会导致单元阈值发生变化（参见图 2）。在初始状态下，单元具有低阈值（VTH1），这将使晶体管在选择单元时（通过顶部选择栅）导通。编程将阈值移至更高水平（VTHO），从而防止单元晶体管在被选择时导通。可以通过检查感测阈值（VTHS）下的状态来确定单元的状态（即是否已编程），如图 2 中的虚线所示。
高灵敏度栅/体连接MOSFET型光电探测器的光电流特性
本文介绍了 408 nm – 941 nm 范围内高灵敏度栅/体连接 (GBT) 金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 型光电探测器的光电流特性。高灵敏度对于光电探测器非常重要，它用于多种科学和工业应用。由于其固有的放大特性，GBT MOSFET 型光电探测器表现出高灵敏度。所提出的 GBT MOSFET 型光电探测器是通过标准 0.18 µm 互补金属氧化物半导体 (CMOS) 工艺设计和制造的，并分析了其特性。分析了光电探测器的宽长比 (W/L)、偏置电压和入射光波长。实验证实，所提出的 GBT MOSFET 型光电探测器在 408 nm – 941 nm 范围内的灵敏度比相同面积的 PN 结光电二极管高 100 倍以上。
基于双层 NC-Si 浮栅的高密度多级存储 3D NAND 闪存
摘要：3D NAND闪存作为存储器计算的有力候选者，因其高计算效率而备受关注，其性能优于传统的冯·诺依曼体系结构。为确保3D NAND闪存真正融入存储器芯片的计算中，急需一种具有高密度和大开关电流比的候选者。本文，我们首次报道在双层Si量子点浮栅MOS结构中实现高密度多级存储的3D NAND闪存。最大的电容电压（CV）存储窗口为6.6 V，是单层nc-Si量子点器件的两倍。此外，在10 5 s的保持时间后可以保持5.5 V的稳定存储窗口。在充电过程中观察到明显的电导电压（GV）峰，进一步证实了双层Si量子点可以实现多级存储。此外，采用nc-Si浮栅的3D NAND闪存的开/关比可以达到10 4 ，表现出N型沟道耗尽工作模式的特征。经过10 5 次P/E循环后，存储窗口可以维持在3 V。在+7 V和-7 V偏压下，编程和擦除速度可以达到100 µs。我们将双层Si量子点引入3D NAND浮栅存储器，为实现存储器中的计算提供了一种新途径。
NASA 球栅阵列 (BGA) 和芯片尺寸 BGA (DSBGA) 选择和应用指南
目标和产品 本指南文件介绍了在高可靠性应用中使用先进塑料球栅阵列 (BGA) 和芯片尺寸 BGA (DSBGA) — 商用现货 (COTS) — 封装技术和组件的建议。最先进和高密度的 BGA 采用倒装芯片球栅阵列 (FCBGA) 配置，输入/输出 (I/O) 超过 2000 个，间距为 1 毫米。间距小于 1 毫米（低至 0.3 毫米）的 DSBGA 通常最多有几百个 I/O。由于更大芯片的产量挑战和节点缩小的高成本，业界已转向实施系统级封装 (SiP)。先进的 SiP 集成芯片技术（称为 Chiplet）是电子封装技术的下一个范式转变。本指南简要讨论了先进的 COTS 封装技术趋势，并提供了两个测试评估示例；一个针对 BGA，另一个针对 DSBGA。对于这两个类别，测试结果涵盖了关键工艺问题、质量指标和质量保证 (QA) 控制参数，随后提供了全面的测试数据以解决热循环可靠性和局限性。最后，报告摘要中包括了从这些评估中吸取的经验教训得出的关键建议。针对低风险灌注航天应用，给出了 COTS BGA/DSBGA 封装技术的具体建议，同时考虑了任务、环境、应用和寿命 (MEAL) 要求。
文章 栅纳米晶体管工艺中氮化硅内隔离层形成的研究
1 中国科学院微电子研究所微电子器件与集成技术重点实验室，北京 100029；liyongliang@ime.ac.cn（YL）；zhouna@ime.ac.cn（NZ）；xiongwenjuan@ime.ac.cn（WX）；zhangqingzhu@ime.ac.cn（QZ）；duanyan@ime.ac.cn（AD）；gaojianfeng@ime.ac.cn（JG）；kongzhenzhen@ime.ac.cn（ZK）；linhongxiao@ime.ac.cn（HL）；xiangjinjuan@ime.ac.cn（JX）；lichen2017@ime.ac.cn（CL）；yinxiaogen@ime.ac.cn（XY）；wangxiaolei@ime.ac.cn（XW）；yanghong@ime.ac.cn（HY）；maxueli@ime.ac.cn（XM）； hanjianghao@ime.ac.cn (JH); tyang@ime.ac.cn (TY); lijunfeng@ime.ac.cn (JL); yinhuaxiang@ime.ac.cn (HY); zhuhuilong@ime.ac.cn (HZ); luojun@ime.ac.cn (JL); rad@ime.ac.cn (HHR) 2 中国科学院大学微电子研究所，北京 100049 3 北京有色金属研究总院智能传感新材料国家重点实验室，北京 100088 4 北方工业大学电子信息工程学院，北京 100144；zhangj@ncut.edu.cn (JZ); tairanhu1@gmail.com (TH); chrisaigakki@gmail.com (ZC) 5 中瑞典大学电子设计系，Holmgatan 10, 85170 Sundsvall，瑞典 * 通讯地址：lijunjie@ime.ac.cn (JL)；wangguilei@ime.ac.cn (GW)；wangwenwu@ime.ac.cn (WW)；电话：+ 86-010-8299-5508 (WW)
低压低功耗高增益运算放大器的设计...
摘要 本文介绍了一种高增益运算跨导放大器结构。为了实现具有改进的频率响应的低压操作，在输入端使用体驱动准浮栅 MOSFET。此外，为了实现高增益，在输出端使用改进的自共源共栅结构。与传统的自共源共栅相比，所用的改进的自共源共栅结构提供了更高的跨导，这有助于显著提高放大器的增益。改进是通过使用准浮栅晶体管实现的，这有助于缩放阈值，从而增加线性模式晶体管的漏极-源极电压，从而使其变为饱和状态。这种模式变化提高了自共源共栅 MOSFET 的有效跨导。与传统放大器相比，所提出的运算跨导放大器的直流增益提高了 30dB，单位增益带宽也增加了 6 倍。用于放大器设计的 MOS 模型采用 0.18µm CMOS 技术，电源为 0.5V。
钙钛矿太阳能电池透明背电极的可扩展脉冲激光沉积
脉冲激光沉积 (PLD) 是一种成熟的复杂化学计量薄膜沉积技术，在成功制造薄膜形式的高温超导体 (HTS) 后引起了广泛的研究关注。[1] 从那时起，PLD 主要用于在晶格匹配基板上外延生长多种复合氧化物的应用，但在光伏 (PV) 领域尚未得到探索。尽管在 21 世纪初，高导电性的 In 基 TCO 已通过 PLD 制造并成功用作 OLED 的前触点 [2,3]，但关于 PLD 生长触点在 PV 设备中的应用的报道仍然很少。文献报道包括用于 CIGS [4] 和有机 [5] 太阳能电池的掺杂 ZnO 薄膜以及用于卤化物钙钛矿太阳能电池的金属氧化物传输层。 [6] 此外，PLD 已被提议用于硫族化物吸收层的制造 [7,8]，最近又用于卤化物钙钛矿吸收层。[9,10]
关于循环和互补折叠共源共栅放大器增强不同参数的调查 Vidyasagar Talwar、Tripti Sharma 和 Saumya Srivas
摘要：如今，放大器是一种功率增益更大的器件。它是现代电子器件的基础，广泛应用于几乎所有电子设备。共源共栅放大器是各种有用电路的关键元件。它具有带宽增加、转换速率高、增益高、输入阻抗适中和输出阻抗较高的优点。循环折叠共源共栅放大器 (RFCA) 的参数比传统折叠放大器 [1] 有所改进。这是通过使用信号路径中空闲设备的先前电路来实现的，从而提高了跨导、增益和转换速率 [1]。共源共栅级由共栅极和共源极端子组成。互补折叠共源共栅放大器 (CFCA) 是镜像配置电路，可节省功率并具有更高的稳定点。转换速率允许最大频率高于范围，从而消除任何潜在错误和不需要的信号。转换速率高于 6.3V/µs 的电路似乎最常用。单位增益带宽可用来放大信号，更宽的带宽可以消除较小的信号。关键词：循环折叠共源共栅 (RFC)、互补折叠共源共栅 (CFC)、折叠共源共栅放大器 (FCA)。