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修订后的主/背面考试时间表
28-01-2025星期二B.Tech IST化学工程23021工程数学-I BHM＆CT VIITH HM＆CT 21038商业通信计算机科学与工程28-01-2025星期二
背面埋入金属层技术的发展...
摘要 本研究开发了用于三维集成电路 (3D-IC) 的背面埋入金属 (BBM) 层技术。该技术在每个芯片背面的大片空白区域引入用于全局电源布线的 BBM 层，并与芯片正面布线并联。电源 (V DD ) 和地 (V SS ) 线的电阻因此而降低。此外，由于 BBM 结构埋入 Si 衬底中并具有金属-绝缘体-硅结构，因此可充当去耦电容。因此，引入 BBM 层可以降低电源传输网络的阻抗。3D-IC 的 BBM 层制造工艺简单，并且与后通孔硅通孔 (TSV) 工艺兼容。利用该工艺可以在 CMOS 芯片（厚度：43 µm）背面埋入由电镀 Cu（厚度：约 10 µm）组成的 BBM 层，并通过直径 9 µm 的 TSV 将 BBM 与芯片正面布线相连。 关键词 三维集成电路（3D-IC），背面埋入金属（BBM）层，硅通孔（TSV），供电网络 I. 引言 采用硅通孔（TSV）的三维集成电路（3D-IC）技术[1]–[5]是生产先进、高速、紧凑和高功能电子系统的有效方法。然而，堆叠多个芯片会导致电路设计的电源完整性问题。例如，由于可用于电源和地线的 TSV 数量有限，3D-IC 中的 IR 压降会增加。此外，在 3D-IC 中同时切换堆叠芯片时，会产生很大的同时切换噪声（di/dt 噪声）。这种同步开关噪声会在电源输送网络 (PDN) 中产生不可预测的电压变化，从而导致系统故障。为了解决这一电源完整性问题，不仅必须在电路板/中介层级降低 PDN 的阻抗，还必须在芯片级降低 PDN 的阻抗，并提高电源输送的可靠性。先前的研究提出了一些降低芯片级 PDN 阻抗的方法。第一种方法是加宽电源线/地线。这种方法非常简单，但由于线路资源有限，难以应用。
背面功率和时钟布线协同优化的设计方法
背面电源传输网络 我们的 BS-PDN 结构如图 1 所示，其中 PDN 利用了几乎 100% 的 BSM 资源，将电源布线资源与正面的信号分离。A. 背面 DC-DC 转换器：片上 DC-DC 单元转换器 (UC) 提供高效转换和块级电压调节 [3]。封装寄生效应会导致不必要的 IR 压降/反弹，影响正面 (FS) 和 BS-PDN。相反，片上 UC 可以减轻封装和键合带来的压降；然而，它们的大尺寸使它们不适合 FS 集成。相比之下，背面提供了足够的空间，可以实现密集的 UC 集成而不会造成布线拥塞。B. BS-UC 的集成：我们的 4:1 背面 UC（BS-UC）将 3.3V 降至 0.7V 的片上电源电压。为了分离两个电压域，添加了两个额外的背面金属层 MB3 和 MB4（见表 I）。MB3 专用于 BS-UC 布线；MB4 用于为 BS-UC 提供 3.3V VDD 和 0V VSS 输入。图 2 显示了我们的 BS-UC 堆叠。我们的电压域去耦确保 MB4 和 MB2 层之间没有连接，从而保留了 BS-PDN 配置。对于 BS-UC 放置，我们应用了交错策略以实现紧凑性。BS-UC PDN 金属层击穿和 BS-UC 放置如图 3 所示。C. BS-UC 的好处：BS-UC 降低了最坏情况下的动态 IR 降和逐层最小电压降（见图 4）。最后，去耦策略可以实现更高的 C4/微凸块密度，而不会产生显著的电源焊盘面积开销。
背面和特别背纸的考试计划（1月
101 P.G.广告和公共关系环境教育与灾难管理0020 101 01/02/2024 02.00 p.m.下午04.30 102 p.g. -diploma Bio Technology（组织培养）温室技术0655 102 102 23/01/2024 09.00 A.M. 12.00中午环境教育与灾难管理0020 102 01/02/2024 02.00 p.m.下午04.30 104 p.g. -diploma在纺织品设计面料建筑与布分析1074 104 104 16/01/2024 02.00 p.m.下午04.30 纺织材料1632 104 18/01/2024上午09.00上午11.30 人格发展0646 109 21/01/2024 02.00 p.m.下午04.30101 P.G.广告和公共关系环境教育与灾难管理0020 101 01/02/2024 02.00 p.m.下午04.30 102 p.g. -diploma Bio Technology（组织培养）温室技术0655 102 102 23/01/2024 09.00 A.M. 12.00中午环境教育与灾难管理0020 102 01/02/2024 02.00 p.m.下午04.30 104 p.g. -diploma在纺织品设计面料建筑与布分析1074 104 104 16/01/2024 02.00 p.m.下午04.30纺织材料1632 104 18/01/2024上午09.00上午11.30人格发展0646 109 21/01/2024 02.00 p.m.下午04.30纺织设计-II 0082 104 20/01/2024 02.00 p.m.下午04.30 CAD 0086简介104 23/01/2024 02.00 p.m.下午04.30纱线制造过程1633 104 24/01/2024上午09.00上午11.30环境研究2362 104 02/02/2024 09.00上午上午11.30 105工业安全管理管理0621 105 21/01/2024 09.00上午上午11.30安全工程-I 0622 105 23/01/2024 02.00 p.m.下午04.30工程行业的安全0628 105 27/01/2024 02.00 p.mm下午04.30建筑行业的安全0629 105 28/01/2024 02.00 p.m.下午04.30 106 P.G. Diploma客户服务管理环境教育与灾难管理0020 106 01/02/2024 02.00 p.m.下午04.30 107 P.G.营销和销售管理沟通技巧2103 107 21/01/2024上午09.00上午11.30国际营销[选修] 0606 107 23/01/2024 02.00 p.m.下午04.30专业通信1505 107 01/02/2024 09.00上午上午11.30环境教育与灾难管理0020 107 01/02/2024 02.00 p.m.下午04.30环境研究2362 107 02/02/2024上午09.00上午11.30沟通技巧-I 2040_B 107 11/02/2024 09.00上午上午11.30 109 p.g.-Diploma在美容与卫生保健沟通技巧-II 2103 109 21/01/2024上午09.00上午11.30
使用 5 轴 CNC 磨床进行故障分析的背面样品制备分析
表格列表................................................................................................................................ix
岩石支撑的背面分析和隧道岩石C1的最终建议
摘要 - 本文使用从岩土技术研究和阶段2软件获得的数值分析和验证的实际现场数据提供了沿孟买 - Nagpur Expressway隧道的最终衬里的建议。是对正在进行的项目的实时研究，这可能对在隧道支持系统领域工作的各种研究人员和顾问有帮助。启动数据已用于背部分析，以确定在数值背部分析中要考虑的质量质量参数。分类已根据C1的定义，相对于该站点遇到的RMR值。基于经过验证的岩体质量参数，使用Phase2软件对不同的岩石盖进行了C1的数值分析。对于C1级，分别针对12m和25m min和Max的岩石盖进行了分析。可以观察到在所有情况下的变形都小，并且比隧道中允许的收敛小得多，隧道中的变形为隧道跨度的0.5％，即。89.05mm。 25m盖的岩石螺栓中的最大轴向力约为7％，对于12m的盖子，约为岩石螺栓容量的30％。 另外，在每种情况下，岩石螺栓都在塑料区域之外。 因此，所提供的岩石螺栓是安全的，适合这种情况。 提议的最终岩石支撑为25mm 4000mm长 @ 2500mm c/c岩石螺栓（交错）在隧道的北端和南端的50 mm PFR。89.05mm。25m盖的岩石螺栓中的最大轴向力约为7％，对于12m的盖子，约为岩石螺栓容量的30％。另外，在每种情况下，岩石螺栓都在塑料区域之外。因此，所提供的岩石螺栓是安全的，适合这种情况。提议的最终岩石支撑为25mm 4000mm长 @ 2500mm c/c岩石螺栓（交错）在隧道的北端和南端的50 mm PFR。
背面地图：学生报告清单：定量研究。基于秋季的解释。
•目标和研究问题适合理由上下文（探测，相关性，研究差距）（“红色线程”）。•目标和研究问题是精确提出的：（例如B.使用辅助方案，例如人口，干预，比较，结果（PICO）或人口，概念，上下文（PCC））。•目标指定在单身论文的背景下针对和实现的结果（例如B.新知识/理解，研究干预措施，评估措施）。满足了必要的划定。•研究问题被提出为W问题。•在单独的子章中（或明确强调）中解释了目标和研究问题。•如有必要：提到并证明可验证的假设。在实施/干预/质量改进的定量评估的情况下，必须明确区分实施目标，干预目标或改进质量/项目的目标。必须明确区分实施目标，干预目标或改进质量/项目的目标。
晶圆翘曲和背面冷却条件变化对静电吸盘 (ESC) 性能的影响
在 ESC/BSG 系统中，冷却气体（氦气）的漏流被测量为夹紧性能的标准：大量的 BSG 漏流意味着晶圆未正确夹紧，因此冷却气体未到达晶圆。相反，少量的漏流代表晶圆夹紧良好且冷却效率高。在这种情况下，20 sccm 或以上的氦气流量代表夹紧彻底失败以及工具故障。图 2 显示在“A”和“B”型载体上制备的样品晶圆的冷却气体漏流。在所有施加电压下，弯曲程度较高的晶圆的 BSG 流量最高，漏流值已达到最大值 20 sccm。但是，只要背面冷却气体压力较低，较高电压条件就会消除弯曲对 BSG 流量的影响。换句话说，需要将 BSG 压力降低至约 10 Torr 以下才能夹住弯曲的晶圆，这会导致背面冷却系统的边缘性更严格，并且等离子蚀刻等高温工艺中晶圆过热的可能性更高。
通函编号 314-01-1255c，日期为 2019 年 8 月 21 日
C — 双面焊缝，带刨槽；D — 双面焊缝，不带刨槽；TW — 全熔透 T 型焊缝；FW — 角焊缝；ss — 单面焊（单面焊接）；bs — 双面焊接；nb — 无衬垫焊接；mb — 有衬垫焊接；gb — 气体衬垫焊接；gg — 焊接时背面刨槽或焊缝背面打磨；ng — 焊接时不（无）背面刨槽或不（无）焊缝背面打磨。".