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晶圆翘曲和背面冷却条件变化对静电吸盘 (ESC) 性能的影响
在 ESC/BSG 系统中，冷却气体（氦气）的漏流被测量为夹紧性能的标准：大量的 BSG 漏流意味着晶圆未正确夹紧，因此冷却气体未到达晶圆。相反，少量的漏流代表晶圆夹紧良好且冷却效率高。在这种情况下，20 sccm 或以上的氦气流量代表夹紧彻底失败以及工具故障。图 2 显示在“A”和“B”型载体上制备的样品晶圆的冷却气体漏流。在所有施加电压下，弯曲程度较高的晶圆的 BSG 流量最高，漏流值已达到最大值 20 sccm。但是，只要背面冷却气体压力较低，较高电压条件就会消除弯曲对 BSG 流量的影响。换句话说，需要将 BSG 压力降低至约 10 Torr 以下才能夹住弯曲的晶圆，这会导致背面冷却系统的边缘性更严格，并且等离子蚀刻等高温工艺中晶圆过热的可能性更高。
月球背面地震仪 (FSS)：熬过月夜，从月球背面传回首批地震数据。MP Panning 1，S. Kedar
简介：月球背面地震仪 (FSS) 最近被选为 NASA PRISM（月球表面有效载荷和研究调查）计划的一部分，计划于 2024 年或 2025 年发射，它将向薛定谔陨石坑运送两台地震仪（均已通过 InSight 火星任务的飞行验证 [1]）。垂直甚宽带 (VBB) 地震仪是有史以来最灵敏的飞行地震仪 [2]，而短周期 (SP) 传感器是可用于太空应用的最灵敏、最成熟的紧凑型三轴传感器 [2]。FSS 是一个自给自足的有效载荷，具有独立的电源、通信和热控制，可在漫长的月夜中生存和运行，其寿命将比商业运载着陆器更长，并提供能够回答关键科学问题的长期地震实验。
创新 PVD 技术解决方案 先进基板、EMI 屏蔽和背面金属 Jeff Turner – 应用材料公司
Jeff 在半导体封装领域拥有超过 25 年的经验，在被 Applied Materials 收购后，他领导着 Tango 产品组。他最初在 Semitool 担任工艺工程师，专攻电镀和湿法清洗，从封装行业起步。Semitool 被 Applied Materials 收购后，他的职业生涯转型为产品管理，然后是业务管理，负责支持 Applied 封装部门的电镀和 PVD 系统。
在硅光子芯片背面的微晶体整体整合，用于扩展的光束耦合
1农业科学与自然资源学院，Carrera de Medico de Medico san Francisco de Quito University（USFQ），Quito 170157，Ecuador 4 Campus Cumbay A Campus Cumbay A，生物医学研究所Mgutierrererererereinoso@hotmail.com@hotmail.com（M.A.A.A.A.G.G.-R.-R.-R.--R.-R.-R.-R.-R.-R.--R.-R.-R.-R.-R.-R.-R.-R.-R.-R.-R.-R.-R.-R.-R.-R..-R.-R.-R.-R.-R.--RE.A..G.-RE.A..G.-RES; pmaponte@usfq.edu.ec（p.m.a. div>）; herrerosgm@gmail.com（m.g.-h.）;电话。 div>： +351-243-767（Ext。330）（M.G.-H。）
癌症靶基因从癌症到癌症治疗剂的细胞适应性表型 多能建筑物中混合可再生能源系统功能整合的概述 表征5356铝制铝壁，由电弧添加剂制造（WAAM） 在硅光子芯片背面的微晶体整体整合，用于扩展的光束耦合
1癌症研究计划，Rajiv Gandhi生物技术中心，Trivandrum，喀拉拉邦695014，印度； bijeshgeorge@rgcb.res.in（B.G. ）; mukundan@rgcb.res.in（p.m.p. ）; aswathym@rgcb.res.in（A.M.P. ）; amjeshr@rgcb.res.in（R.A.）2研究生学位课程，Manipal高等教育学院，Manipal 576104，印度3宾夕法尼亚州州立大学医学院，宾夕法尼亚州宾夕法尼亚州宾夕法尼亚州立大学医学院血液学 - 肿瘤学系。 kleitzel@pennstatehealth.psu.edu（K.L. ）; alipton@pennstatehealth.psu.edu（A.L。） 4美国黎巴嫩黎巴嫩退伍军人事务中心，美国宾夕法尼亚州17042； suhail.ali@med.va.gov 5医学系血液学和肿瘤科，新泽西州新泽西医学院，美国新泽西州纽瓦克，美国新泽西州07103； oas26@njms.rutgers.edu（O.S. ）; rameshwa@njms.rutgers.edu（p.r.） 6美国德克萨斯州安德森癌症中心的乳房医学肿瘤学系，美国德克萨斯州77030，美国； ghortoba@mdanderson.org 7人类和分子遗传学系，弗吉尼亚联邦大学医学中心，弗吉尼亚州里士满，弗吉尼亚州23298，美国 *通信：rakeshkumar@rgcb.res.in（R.K.）; mrpillai@rgcb.res.in（M.R.P.） †同等贡献。1癌症研究计划，Rajiv Gandhi生物技术中心，Trivandrum，喀拉拉邦695014，印度； bijeshgeorge@rgcb.res.in（B.G.）; mukundan@rgcb.res.in（p.m.p.）; aswathym@rgcb.res.in（A.M.P.）; amjeshr@rgcb.res.in（R.A.）2研究生学位课程，Manipal高等教育学院，Manipal 576104，印度3宾夕法尼亚州州立大学医学院，宾夕法尼亚州宾夕法尼亚州宾夕法尼亚州立大学医学院血液学 - 肿瘤学系。 kleitzel@pennstatehealth.psu.edu（K.L.）; alipton@pennstatehealth.psu.edu（A.L。）4美国黎巴嫩黎巴嫩退伍军人事务中心，美国宾夕法尼亚州17042； suhail.ali@med.va.gov 5医学系血液学和肿瘤科，新泽西州新泽西医学院，美国新泽西州纽瓦克，美国新泽西州07103； oas26@njms.rutgers.edu（O.S. ）; rameshwa@njms.rutgers.edu（p.r.） 6美国德克萨斯州安德森癌症中心的乳房医学肿瘤学系，美国德克萨斯州77030，美国； ghortoba@mdanderson.org 7人类和分子遗传学系，弗吉尼亚联邦大学医学中心，弗吉尼亚州里士满，弗吉尼亚州23298，美国 *通信：rakeshkumar@rgcb.res.in（R.K.）; mrpillai@rgcb.res.in（M.R.P.） †同等贡献。4美国黎巴嫩黎巴嫩退伍军人事务中心，美国宾夕法尼亚州17042； suhail.ali@med.va.gov 5医学系血液学和肿瘤科，新泽西州新泽西医学院，美国新泽西州纽瓦克，美国新泽西州07103； oas26@njms.rutgers.edu（O.S.）; rameshwa@njms.rutgers.edu（p.r.）6美国德克萨斯州安德森癌症中心的乳房医学肿瘤学系，美国德克萨斯州77030，美国； ghortoba@mdanderson.org 7人类和分子遗传学系，弗吉尼亚联邦大学医学中心，弗吉尼亚州里士满，弗吉尼亚州23298，美国 *通信：rakeshkumar@rgcb.res.in（R.K.）; mrpillai@rgcb.res.in（M.R.P.） †同等贡献。6美国德克萨斯州安德森癌症中心的乳房医学肿瘤学系，美国德克萨斯州77030，美国； ghortoba@mdanderson.org 7人类和分子遗传学系，弗吉尼亚联邦大学医学中心，弗吉尼亚州里士满，弗吉尼亚州23298，美国 *通信：rakeshkumar@rgcb.res.in（R.K.）; mrpillai@rgcb.res.in（M.R.P.）†同等贡献。
背面埋入金属层技术的发展...
摘要 本研究开发了用于三维集成电路 (3D-IC) 的背面埋入金属 (BBM) 层技术。该技术在每个芯片背面的大片空白区域引入用于全局电源布线的 BBM 层，并与芯片正面布线并联。电源 (V DD ) 和地 (V SS ) 线的电阻因此而降低。此外，由于 BBM 结构埋入 Si 衬底中并具有金属-绝缘体-硅结构，因此可充当去耦电容。因此，引入 BBM 层可以降低电源传输网络的阻抗。3D-IC 的 BBM 层制造工艺简单，并且与后通孔硅通孔 (TSV) 工艺兼容。利用该工艺可以在 CMOS 芯片（厚度：43 µm）背面埋入由电镀 Cu（厚度：约 10 µm）组成的 BBM 层，并通过直径 9 µm 的 TSV 将 BBM 与芯片正面布线相连。 关键词 三维集成电路（3D-IC），背面埋入金属（BBM）层，硅通孔（TSV），供电网络 I. 引言 采用硅通孔（TSV）的三维集成电路（3D-IC）技术[1]–[5]是生产先进、高速、紧凑和高功能电子系统的有效方法。然而，堆叠多个芯片会导致电路设计的电源完整性问题。例如，由于可用于电源和地线的 TSV 数量有限，3D-IC 中的 IR 压降会增加。此外，在 3D-IC 中同时切换堆叠芯片时，会产生很大的同时切换噪声（di/dt 噪声）。这种同步开关噪声会在电源输送网络 (PDN) 中产生不可预测的电压变化，从而导致系统故障。为了解决这一电源完整性问题，不仅必须在电路板/中介层级降低 PDN 的阻抗，还必须在芯片级降低 PDN 的阻抗，并提高电源输送的可靠性。先前的研究提出了一些降低芯片级 PDN 阻抗的方法。第一种方法是加宽电源线/地线。这种方法非常简单，但由于线路资源有限，难以应用。
使用 5 轴 CNC 磨床进行故障分析的背面样品制备分析
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