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2021 年墨子量子奖的科学背景：超导量子电路简史，引领超导量子实用化
20 世纪 80 年代初，莱格特 [4] 提出实验来检验宏观集体变量是否具有量子力学行为。他对传统的哥本哈根诠释提出了质疑，根据哥本哈根诠释，世界分为遵循量子力学的微观系统和行为经典的宏观系统（包括测量仪器）。特别是，他认为，约瑟夫森隧道结两端的相位差（本质上是两端电压的积分）所表示的宏观集体变量可以足够无摩擦，从而可用于检验宏观层面量子力学的有效性。在确定两个相干宏观态存在的过程中，莱格特指出的一个重要中间步骤是宏观量子隧穿 (MQT) 的存在，其中集体宏观变量穿过势垒。
AlN 中间层对 In 0 . 17 Al 0 . 83 N/GaN HEMT 器件电子和 IV 特性的影响
图3给出了不同AlN间隔层厚度下二维电子气密度的变化。间隔层厚度越高，片状电荷密度（ns）越好，在0.5nm~2nm之间与AlN间隔层厚度几乎呈线性关系。电子密度的增加是由于压电和自发极化的影响。由于明显的极化效应，AlN间隔层可能引起偶极散射增加，结果二维电子气迁移率下降。在此临界厚度以下，间隔层增强了导带位移，有效降低了波函数对AlN势垒的穿透，从而降低了合金无序扩散的影响。电子片密度为1.81×1013cm-2，与[15]中计算的1nm AlN层电子片密度大致相同。
磁场方向和温度的影响
实际上手性分子充当了轨道角动量滤波器。[10,11] 通过改变基底，进行了多项实验来探测基底 SOC 的作用。[12] 但所得结果不足以确定 SOC 的作用，因为基底可能有其他影响，如费米能级相对于最高占据分子轨道和最低未占据分子轨道之间间隙的位置，以及极化率，这些可以决定界面处的电导率和势垒，从而影响观察到的自旋极化。在自旋电子学中，自旋从铁磁基底注入，人们进行了研究，探测自旋极化对铁磁体磁化和用于驱动电流的电场之间的角度 𝜃 的依赖关系。角度依赖性源于磁阻的各向异性。 [ 13 ] 通常，研究发现自旋极化取决于 cos2𝜃。[ 14,15 ]
复合材料市场材料和工艺——我们所在的位置...
• 美国船舶、房车和热水浴缸销售强劲，增加了对玻璃纤维枪用粗纱的需求 • 疫情和供应形势的变化造成短缺 • 大部分枪用粗纱由巨石、重庆国际复合材料、重庆三垒玻纤和江苏长海复合材料供应 • 疫情前和疫情初期，中国枪用粗纱出口商支付美国关税 (25%) 以保持市场份额 • 随着中国经济复苏，国内枪用粗纱需求增加；与此同时，美国需求也增加 • 中国出口商不再有支付关税的动力；1 月初，中国枪用粗纱在美国的价格上涨了 20%；美国制造商面临供应和定价压力 • 全球集装箱运输不平衡；港口卸货缓慢；回中国的空箱不足
控制扫描隧道显微镜中的光电流通道
摘要 我们研究了在超高真空低温扫描隧道显微镜 (STM) 中由飞秒激光激发 (亚) 纳米隧道结所驱动的光电流。尖端回缩曲线揭示了光驱动电荷转移，该曲线显示在极大的尖端-样品距离下有电流贡献，证明在较高能量下光激发电子的有效势垒高度大大降低。我们的测量表明，光诱导电子传输的幅度可以通过激光功率以及施加的偏置电压来控制。相反，光电流的衰减常数仅受这些参数的微弱影响。通过获取恒定电流地形图证明了具有光电子的稳定 STM 操作。通过使用一维势垒模型分析光电流，推导出多光子吸收导致的有效非平衡电子分布。
磁场方向和温度的影响
实际上手性分子充当了轨道角动量滤波器。[10,11] 通过改变基底，进行了多项实验来探测基底 SOC 的作用。[12] 但所得结果不足以确定 SOC 的作用，因为基底可能有其他影响，如费米能级相对于最高占据分子轨道和最低未占据分子轨道之间间隙的位置，以及极化率，这些可以决定界面处的电导率和势垒，从而影响观察到的自旋极化。在自旋电子学中，自旋从铁磁基底注入，人们研究了自旋极化对铁磁体磁化和用于驱动电流的电场之间的角度 𝜃 的依赖关系。角度依赖性源于磁阻的各向异性。 [ 13 ] 通常，研究发现自旋极化取决于 cos2𝜃。[ 14,15 ]
来自细分的最佳几何局部量子和经典代码
几何局部量子码是一种位于 RD 内的纠错码，其中校验仅作用于固定空间距离内的量子位。主要问题是：几何局部代码的最佳维度和距离是多少？最近，Portnoy 在代码方面取得了重大突破，实现了高达多对数的最佳维度和距离。然而，这种构造调用了一个有点高级的数学结果，即将链复形提升到流形。本文绕过了这一步骤，并通过注意到一类良好的量子低密度奇偶校验码、平衡乘积码自然带有二维结构来简化构造。结合将在其他地方展示的新嵌入结果，这种量子码在所有维度上都实现了最佳维度和距离。此外，我们表明该代码具有最佳能量势垒。我们还讨论了经典代码的类似结果。
用于常关型 GaN HEMT 的新型纳米结构 P-GaN 栅极的设计优化
A. 具有 MBE 再生长 P-GaN 栅极的常关型 HEMT HEMT 结构的特点是具有 25 nm 厚的 AlGaN 势垒和 20 % 的铝率。首先，通过 PECVD（等离子增强气相沉积）沉积 100 nm 厚的氧化硅 SiO 2 层，作为 AlGaN 栅极蚀刻和选择性 GaN 再生长的掩模。在用 CF 4 RIE 蚀刻 SiO 2 层以确定栅极区域之后，通过 ICPECVD 对 AlGaN 层进行 Cl 2 部分蚀刻，条件如下：RF 功率为 60 W、压力为 5 mTorr 并且 Cl 2 流速为 10 sccm。蚀刻时间为 35 秒，去除了 19 nm 的 AlGaN。然后在 MBE（分子束外延）反应器中重新生长用镁（Mg）掺杂的 50 nm GaN 层，其标称受体浓度为 Na-Nd 为 4 x 10 18 cm -3。
VLSI 设计.pdf
小时量子与统计力学、波粒子对偶和薛定谔方程、自由和束缚粒子、准低维结构量子阱、线、点、低维系统的能带结构、量子限制、2D、1D 和 0D 结构中的态密度、异质结构和带隙工程、调制掺杂、应变层结构纳米级 MOSFET CMOS 技术的挑战、高 k 电介质和栅极堆栈、未来互连。MOSFET 作为数字开关、传播延迟、动态和静态功率耗散摩尔定律、晶体管缩放、恒定场缩放理论、恒定电压缩放、广义缩放、短沟道效应、反向短沟道效应、窄宽度效应、亚阈值传导泄漏、亚阈值斜率、漏极诱导势垒降低、栅极诱导漏极泄漏。
一种改善电特性的环栅场效应晶体管扇形结构
从 I on /I off 电流比、跨导、亚阈值斜率、阈值电压滚降和漏极诱导势垒降低 (DIBL) 等方面评估了一种新型栅极全场效应晶体管 (GAA-FET) 方案的可靠性和可控性。此外，借助物理模拟，全面研究了电子性能指标的缩放行为。将提出的结构的电气特性与圆形 GAA-FET 进行了比较，圆形 GAA-FET 之前已使用 3D-TCAD 模拟在 22 nm 通道长度下用 IBM 样品进行了校准。我们的模拟结果表明，与传统的圆形横截面相比，扇形横截面 GAA-FET 是一种控制短沟道效应 (SCE) 的优越结构，并且性能更好。2020 作者。由 Elsevier BV 代表艾因夏姆斯大学工程学院出版。这是一篇根据 CC BY 许可 ( http://creativecommons.org/licenses/by/4.0/ ) 开放获取的文章。