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World File Search System能隙
测量非理想P-N Diodes中碳纳米管网络的电子带隙
摘要：由于多体效应和较强的电子 - 电子相互作用，准二维材料（例如碳纳米管）中电子带隙和激子结合能的测量很具有挑战性。与众所周知的电子带隙的散装半导体不同，低维半导体中的光学共振由激子主导，使其电子带隙更难测量。在这项工作中，我们使用非理想的P-N二极管测量了聚合物包裹的半导体单壁碳纳米管（S-SWCNTS）网络的电子带隙。我们表明，由于界面陷阱状态的存在，我们的S-SWCNT网络具有较短的少数载体寿命，从而使二极管非理想。我们使用来自这些非理想二极管的生成和重组泄漏电流测量具有不同直径的不同聚合物包裹的S-SWCNT的电子带隙和激子水平：ARC放电（〜1.55 nm），（7,5），（7,5）（0.83 Nm），（0.83 Nm）和（6,5），（6,5,76 nm）（0.76 nm）。我们的价值观与理论预测一致，从而深入了解S-SWCNT网络的基本属性。此处概述的技术展示了一种可靠的策略，可以应用于测量各种纳米级和量子限制的半导体的电子带隙和激子结合能，包括依赖于纳米线的最现代的纳米晶体管。
利用 GaAsSb、GaAsSbN 和 GaAlAs 进行带隙工程以用于 NIR 应用
摘要 带隙工程是开发光电器件的关键方法，特别是对于近红外 (NIR) 应用，其中精确控制材料的电子和光学特性至关重要。本研究探讨了三种 III-V 半导体合金——砷化镓锑 (GaAsSb)、砷化镓锑氮化物 (GaAsSbN) 和砷化镓铝 (GaAlAs)——在定制带隙以满足 NIR 器件特定需求方面的潜力。GaAsSb 通过调整锑含量提供可调带隙，使其成为 NIR 光电探测器和激光二极管的多功能材料。GaAsSbN 中的氮进一步降低了带隙，增强了其对长波长应用的适用性，并提供与 GaAs 基板更好的晶格匹配。GaAlAs 以其稳定性和与 GaAs 的兼容性而闻名，可用于形成异质结和量子阱，从而实现高效的载流子限制和发射控制。通过改变这些合金的成分，工程师可以实现精确的带隙调节，从而优化一系列 NIR 波长范围内的器件性能。本摘要强调了成分变化、应变工程和量子阱设计在开发先进 NIR 光电器件中的重要性。尽管存在材料质量和热管理等挑战，但这些材料的持续改进对电信、医学成像和传感技术中的下一代 NIR 应用具有重要意义。简介 带隙工程是半导体技术中的一项基本技术，可以精确操纵材料的电子和光学
像石墨烯一样的共价有机框架，其通过逐步反应在表面合成的宽带隙
摘要：开发自然具有带隙的石墨烯状二维材料引起了极大的兴趣。由于固有的宽带隙和2D平面中的高移动性，在这方面，包含三嗪环（T-COF）的共价有机框架在这方面具有很大的希望，而单层T-COF的综合仍然是高度挑战的。在此，我们介绍了在AU上定义的石墨烯状T-COF的制造（111）。而不是通常用于表面合成的单个/多步单型反应，而是逐步的逐步表面反应，包括藻类环乙酸酸酯，C o键裂解和C H键激活，并被触发，从而触发了受控的乘积进化。除了精确的表面合成中的精确控制外，这项工作还提出了一个单原子层有机半导体，其宽带隙为3.41 eV。g raphene对下一代技术有着巨大的希望； [1-3]然而，其零带隙限制了其在电子设备中的使用。综合自然具有带隙的石墨烯状二维材料已成为一种有希望的替代策略。[4-8]在这方面，包含三嗪环（T-COF）的共价有机框架具有
面向 5G 应用的光子可重构电磁带隙天线阵列性能研究
3 伦敦都市大学通信技术中心，伦敦 N7 8DB，英国；b.virdee@londonmet.ac.uk、i.garciazuazola@londonmet.ac.uk、a.krasniqi@londonmet.ac.uk，4 马德里卡洛斯三世大学信号理论与通信系，28911 Leganés，马德里，西班牙；mohammad.alibakhshikenari@uc3m.es 5 伊拉克 Al-Turath 大学医疗器械技术工程系；amna.shibib@ieee.org 6 土耳其伊斯坦布尔 34220 Esenler 伊尔迪兹技术大学电子与通信工程系；nturker@yildiz.edu.tr 7 沙特阿拉伯利雅得国王沙特大学工程学院，POBox 800，利雅得 11421， drskhan@ksu.edu.sa 8 英国爱丁堡龙比亚大学计算工程与建筑环境学院； n.ojaroudiparchin@napier.ac.uk 9 巴勒莫大学工程系，viale delle Scienze BLDG 9，巴勒莫，IT 90128，西西里岛，意大利； patrizia.livreri@unipa.it 10 上法兰西理工大学，微电子和纳米技术研究所 (IEMN) CNRS UMR 8520，ISEN，里尔中央大学，里尔大学，59313 Valenciennes，法国； iyad.dayoub@uphf.fr 11 法国上法兰西学院，F-59313 瓦朗谢讷，法国 12 恩纳科雷大学工程与建筑学院，94100 恩纳，意大利；giovanni.pau@unikore.it 13 魁北克大学国立科学研究院 (INRS)，蒙特利尔，魁北克，H5A 1K6，加拿大；sonia.aissa@inrs.ca 14 罗马“Tor Vergata”大学电子工程系，Via del Politecnico 1，00133 罗马，意大利；limiti@ing.uniroma2.it 15 阿拉伯科学、技术和海运学院电子与通信工程系，开罗 11865，埃及；mohamed.fathy@aast.edu
基于宽带隙光电导半导体的参数可调高功率光子微波产生新进展
利用宽带隙SiC光电导半导体制备的射频/微波定向能量源由于其高功率输出和多参数可调的独特优势而受到广泛关注。过去几年中，受益于激光技术的持续创新和材料技术的重大进步，利用光电导半导体器件已经在P和L微波波段实现了兆瓦级输出功率、频率灵活的电脉冲。本文主要总结和评述了近年来基于SiC光电导半导体器件在线性调制模式下产生高功率光子微波的最新进展，包括所提出的高功率光子微波源的机理、系统架构、关键技术和实验演示，并讨论了未来利用宽带隙光电导体进行更高功率光子微波多通道功率合成发展的前景与挑战。
变质 InAsSb/InSb 中的狄拉克能谱和反转带隙
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基于氯化物的添加剂工程用于高效稳定的宽带隙钙钛矿太阳能电池
基于金属卤化物钙钛矿的串联太阳能电池有望实现超越单结太阳能电池理论极限的功率转换效率。然而，克服宽带隙钙钛矿太阳能电池中存在的显著开路电压不足仍然是实现高效稳定的钙钛矿串联电池的主要障碍。本文报道了一种通过氯化物添加剂设计钙钛矿结晶途径来克服 1.8 eV 钙钛矿太阳能电池挑战的整体方法。结合使用自组装单层作为空穴传输层，实现了 1.25 V 的开路电压和 17.0% 的功率转换效率。阐明了甲基氯化铵添加的关键作用，即促进富含氯化物的中间相的生长，从而引导所需立方钙钛矿相的结晶并诱导更有效的卤化物均质化。形成的 1.8 eV 钙钛矿表现出抑制卤化物偏析和改善的光电性能。
字母 A 1.2 V 2.18 ppm/°C 曲率补偿 CMOS 带隙基准
带隙基准源是模拟、数字或混合信号电路的关键元件，例如模数转换器、数模转换器、低压差稳压器、锁相环和许多其他电子设备[1、2、3、4、5、6、7]。带隙基准源提供的电压具有明确而稳定的特性，并且对电源电压和温度变化不敏感。基准源的精度和稳定性对后续电路的性能起着重要作用[8、9]。因此，已经提出了许多高阶温度补偿技术来降低 TC。[10、11、12] 中讨论了依赖于温度的电阻比补偿技术。其曲率补偿效果主要由两个温度
基于先验知识的深度学习填补空白......
简介：推测血管来源的腔隙，也称为腔隙性梗塞，对于评估脑小血管病 1 和痴呆症等认知疾病 2 非常重要。然而，由于腔隙规模小、稀疏且模仿，从图像数据中对腔隙进行目视评级具有挑战性、耗时且依赖于评级者。虽然自动算法的最新发展已证明可以在保持灵敏度的同时更快地检测出腔隙，但它们也显示出大量的假阳性 3,4 ，这使得它们不适合用于临床实践或大规模研究。在这里，我们开发了一个新颖的框架，除了检测腔隙之外，还可以输出分类负担分数。该分数可以提供更实用的腔隙存在估计，从而简化并有效加速腔隙的成像评估。我们假设检测和分类分数的结合会使程序对噪声标签的敏感度降低。
单层 1T-TaSe2 中的莫特尼斯坍塌具有持续性......
周期性的 CDW 畸变通常会导致 CDW 能隙的打开。为了展示 CDW 能隙的形成，我们将 CDW 相的非磁性能带结构展开到原始布里渊区，并与正常相的能带结构进行了直接比较，如下图 S5(a) 和稿件中的图 2(c) 所示。可以看出，CDW 畸变使跨越费米能级的能带产生间隙，从而形成约 0.43 eV 的 CDW 能隙。我们进一步在图 S5(b)-(e) 中绘制了不同应变下 CDW 相的展开能带结构。可以清楚地看到，尽管 CDW 能隙的大小会随着施加的应变而变化，但它始终存在。如图 S5(f) 所示，当拉伸应变从 0% 增加到 4% 时，CDW 能隙从 0.43 eV 单调减小到 0.17 eV。在压应变作用下，CDW能隙首先在-1%应变时增大到0.50 eV，随后随着应变的增加而减小。CDW能隙尺寸的变化应该是CDW畸变幅度和CDW晶格常数变化共同引起的。需要注意的是，CDW能隙和Mott能隙是两个不同的物理量，前者直接来源于CDW畸变，而后者则受电子关联影响。因此，当施加的压应变大于某个临界值时，虽然CDW畸变和CDW能隙仍然存在，但是由于电子局域化的减弱，Mottness能隙会崩塌。