XiaoMi-AI文件搜索系统
World File Search System能隙
THz 量子隙：探索产生和检测非经典 THz 光状态的潜在方法
摘要 ：在过去的几十年里，太赫兹技术取得了长足的进步，这从当前太赫兹源和探测器的性能以及多种太赫兹应用的出现可以看出。然而，在量子技术领域，太赫兹光谱域仍处于起步阶段，不像近年来蓬勃发展的邻近光谱域。值得注意的是，在微波领域，超导量子比特目前是量子计算机的核心，而量子加密协议已经通过卫星链路在可见光和电信领域成功演示。太赫兹领域在这些令人瞩目的进步中落后了。今天，太赫兹领域的当前差距显然与量子技术有关。尽管如此，在太赫兹频率下工作的量子技术的出现可能会产生重大影响。事实上，由于太赫兹辐射对大气扰动的敏感性低，因此它对具有终极安全性的无线通信具有重大前景。此外，它还有可能提高固态量子比特的工作温度，从而有效解决现有的可扩展性问题。此外，太赫兹辐射可以操纵分子的量子态，这被认为是进行长距离相互作用的量子计算和模拟的新平台。最后，它能够穿透通常不透明的材料，或者具有抗瑞利散射的能力，这些都是量子传感非常有吸引力的特性。从这个角度来看，我们将讨论潜在的
THz 量子隙：探索产生和检测非经典 THz 光状态的潜在方法
摘要 ：在过去的几十年里，太赫兹技术取得了长足的进步，这从当前太赫兹源和探测器的性能以及多种太赫兹应用的出现可以看出。然而，在量子技术领域，太赫兹光谱域仍处于起步阶段，不像近年来蓬勃发展的邻近光谱域。值得注意的是，在微波领域，超导量子比特目前是量子计算机的核心，而量子加密协议已经通过卫星链路在可见光和电信领域成功演示。太赫兹领域在这些令人瞩目的进步中落后了。今天，太赫兹领域的当前差距显然与量子技术有关。尽管如此，在太赫兹频率下工作的量子技术的出现可能会产生重大影响。事实上，由于太赫兹辐射对大气扰动的敏感性低，因此它对具有终极安全性的无线通信具有重大前景。此外，它还有可能提高固态量子比特的工作温度，从而有效解决现有的可扩展性问题。此外，太赫兹辐射可以操纵分子的量子态，这被认为是进行长距离相互作用的量子计算和模拟的新平台。最后，它能够穿透通常不透明的材料，或者具有抗瑞利散射的能力，这些都是量子传感非常有吸引力的特性。从这个角度来看，我们将讨论潜在的
从密度泛函理论系统地调整二元 III-V 半导体的应变诱导带隙
III-V 半导体带隙性质和大小的改变对于光电应用具有重要意义。应变可用于系统地在很宽的范围内调整带隙，并引起间接到直接 (IDT)、直接到间接 (DIT) 和其他带隙性质的变化。在这里，我们建立了一种基于密度泛函理论的预测从头算方法来分析单轴、双轴和各向同性应变对带隙的影响。我们表明系统性变化是可能的。对于 GaAs，在 1.52% 各向同性压缩应变和 3.52% 拉伸应变下观察到 DIT，而对于 GaP，在 2.63 各向同性拉伸应变下发现 IDT。我们还提出了一种通过将双轴应变与单轴应变相结合来实现直接-间接转变的策略。确定了应变 GaSb、InP、InAs 和 InSb 的进一步转变点，并与元素半导体硅进行了比较。因此，我们的分析为二元 III-V 半导体中的应变诱导带隙调整提供了一种系统且可预测的方法。
硅烯插层引起外延双层石墨烯中相当大的带隙
摘要：在双层石墨烯 (BLG) 中打开带隙对于石墨烯基电子和光子器件的潜在应用具有重要意义。本文，我们报告了通过在 BLG 和 Ru 衬底之间插入硅烯在 BLG 中产生相当大的带隙。我们首先在 Ru(0001) 上生长高质量的 Bernal 堆叠 BLG，然后将硅烯插入 BLG 和 Ru 之间的界面，这通过低能电子衍射和扫描隧道显微镜得到证实。拉曼光谱显示，插入的 BLG 的 G 和 2D 峰恢复到独立 BLG 特征。角分辨光电子能谱测量表明，BLG 中打开了约 0.2 eV 的带隙。密度泛函理论计算表明，大带隙打开是 BLG 中掺杂和波纹/应变共同作用的结果。这项工作为 BLG 中带隙打开的机制提供了深刻的理解，并增强了基于石墨烯的器件开发的潜力。关键词：双层石墨烯、带隙、协同机制、插层、硅烯 ■ 介绍
预测ABN3 perovskites的带隙-RSC Publishing探索具有单端的o-donor配体
具有氧配体的锰配合物主要由较高氧化态的氧化物种（包括氧化物配体）支配，而碱性或羧酸盐是下氧化态的首选配体。14,23,24，以防止聚集并能够形成单核复合物，笨重的烷氧化物配体以及uorated的配体，构成了合适的配体Sca效应。25,26在这方面，pentauorothotoltotellate群（teAte，otef 5）也具有独特的可能性，因为它提供了一个O-Donor配体系统，其易于桥接金属中心的趋势。27,28与uoride相似的电子吸引力的特性使我们设想了使用这种单次配体的可能性，用于合成含有MN - O键的前所未有的均匀的单核锰化合物的合成，这将是良好的低迷低位的类似物。18
半导体纳米材料尺寸验证：对
由于半导体纳米粒子具有独特的机械、光学、光子和电学特性，科学界对其研究突飞猛进。[1-4] 借助 Wein2K 代码，他们最近报道了 Zn1–xMnxS (0 ≤ x ≤ 1) 的机械、结构、电学、磁性和光学行为。纳米材料的质量很大程度上取决于它们的表面积与体积的比，这会影响其中的几个属性。[5-8] 半导体的带隙是其最重要和最基本的特性之一。半导体材料的电学和光学特性从根本上受带隙的影响。[9-14] 因此，为了更好地了解它们的特性，研究 SCN 的带隙增长至关重要。半导体的大带隙使其在各种应用中都很有用。尽管硅光子纳米器件已经被广泛制造和利用，但体硅的间接和微小带隙限制了它的利用。许多理论和实验研究人员采取了与尺寸相关的带隙立场。[15-17] 利用光致发光光谱，
利用三角碳化硅结构中的光子带隙实现高效的量子纳米光子硬件
碳化硅因其色心缺陷的长自旋相干性和单光子发射特性而成为领先的量子信息材料平台之一。碳化硅在量子网络、计算和传感中的应用依赖于将色心发射有效收集到单一光学模式中。该平台的最新硬件开发专注于角度蚀刻工艺，以保留发射器特性并产生三角形设备。然而，人们对这种几何结构中的光传播知之甚少。我们探索了三角形横截面结构中光子带隙的形成，这可以作为开发碳化硅中高效量子纳米光子硬件的指导原则。此外，我们提出了三个领域的应用：TE 通滤波器、TM 通滤波器和高反射光子晶体镜，可用于高效收集和传播光发射模式选择。
xps的椭圆法和能量损失光谱的杂交用于带隙和光学常数测定sion薄膜中的
Joao Resende，David Fuard，Delphine Le Cunff，Jean-Herve Tortai，Bernard Pelissier。Hy-hy-hy-Bridations和XPS的能量损失光谱用于带隙和光学常数测定sion薄膜中。材料化学与物理学，2020，259，pp.124000。10.1016/j.matchemphys.2020.124000。hal-03017737
“调查与评估人工智能（AI）引入海洋海事领域的可能性……”
西班牙的圣地亚哥·拉蒙·卡哈尔（Santiago Ramón y Cajal）认为，在突触处，轴突末端和树突之间没有直接联系，而是存在一条狭窄的间隙。高尔基认为他继承了它。由于无法用光学显微镜直接证实，因此意见不一，但最终卡哈尔是正确的。
碳掺杂二维材料中的人工智能能隙预测：利用 Behler-Parrinello 描述符实现高密度系统
摘要 在本研究中，我们使用机器学习 (ML) 技术探索了碳掺杂六方氮化硼 (h-BN) 薄片的电子特性。六方氮化硼是一种被广泛研究的二维材料，具有出色的机械、热学和电子特性，使其适用于纳米电子学和光电子学应用。通过用碳原子掺杂 h-BN 晶格，我们旨在研究掺杂如何影响其电子结构，特别关注基态能量和 HOMO-LUMO 间隙。我们生成了一个包含 2076 个 h-BN 薄片的数据集，这些薄片被氢饱和并掺杂了随机变化浓度的碳原子。选择了三种典型的掺杂场景——一个、十个和二十个碳原子——进行深入分析。使用密度泛函理论 (DFT) 计算，我们确定了这些配置的基态能量和 HOMO-LUMO 间隙。使用 Behler-Parrinello 原子对称函数从优化结构生成描述符，这些描述符捕获了 ML 模型的关键特征。我们采用了随机森林和梯度提升模型来预测能量和 HOMO-LUMO 间隙，实现了较高的预测准确率，R 平方值分别为 0.84 和 0.87。这项研究证明了 ML 技术在预测掺杂 2D 材料特性方面的潜力，为传统方法提供了一种更快、更经济的替代方案，对纳米电子、储能和传感器领域的材料设计具有广泛的意义。