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World File Search System脉冲激光
量化锂离子电池中膨胀的方法：审查 在线监测96深的微量滴定板中的呼吸活动中国仓鼠卵巢培养物的流线杀死曲线实验 主动脉瓣的生物启发的纤维增强：脚手架生产过程和表征 针对机器人辅助的细胞治疗产品的制造 通过脉冲激光沉积在石墨烯上的远程外氧化物远程外观上的生长动力学控制 数字病理中人工智能的未来 达到LFP电池的强大状态估计 商业车队中的电池电动汽车 人脑活动的时空复杂性结构 碳纳米功能化的大孔镍泡沫 内质网应激和过敏性接触性皮炎的炎症反应 整个生命周期的皮层卷 - RWTH出版物
摘要：在学术界和行业中都在做出重大努力，以更好地将锂离子电池电池描述为依赖于从绿色能源存储到电动迁移率增加的应用的技术。锂离子电池中短期和长期体积扩张的测量与多种原因有关。例如，它提供了有关电池和放电周期中电池电池质量和同质性的信息，以及寿命的老化。扩展测量值可用于评估新材料和在细胞生产过程中的终结质量测试的改进。这些测量值还可以通过帮助预测电池的电荷状态和健康状况来表明电池电池的安全性。的扩展测量还可以评估电极和缺陷（例如气体积累和锂电池）的不均匀性。在这篇综述中，我们首先建立了已知的机制，通过这些机制，锂离子电池电池中的短期和长期体积膨胀。然后，我们探讨了触点扩展的接触和非接触量测量的当前最新设备。本评论汇编了现有的文献，概述了旨在通过对单个组件和整个电池电池进行操作的验尸分析来进行现场量扩展测量的各种选项。最后，我们在选择适当的测量技术时讨论了不同的考虑。还考虑了测量设备的成本和所需的空间。选择用于测量电池电池膨胀的最佳方法取决于表征，持续时间，所需分辨率和结果的重复性的目标。
适用于 LiDAR 应用的高功率脉冲激光源
对于 LiDAR 系统，波长稳定、大面积和弱锥形脊型波导激光器已经开发出单个和多个有源区外延堆叠在一个公共垂直波导中，作为单发射器或多发射器设备，功率分别高达 200 W 和 2 kW。这些设备的设计工作温度范围为 -35 °C 至 85 °C。由于其良好的光束质量，它们可用于扫描应用（即与 MEMS 一起使用）；3 发射器设备的发射可通过 Beamtwisters® 进行组合。集成表面布拉格光栅可确保光谱宽度远低于 0.5 nm。波长随温度的变化低至 0.06 nm/K。10 mm 宽的激光条带有 48 个发射器，可提供高达 2 kW 的更高功率，重复率在 10 kHz 至 150 kHz 之间。这些激光条在脉冲功率为 1.3 kW（脉冲宽度为 10 ns，重复频率为 10 kHz）的情况下长期运行，在 3.6 x 10 11 个脉冲之后性能没有下降。
X O4薄膜通过脉冲激光沉积
水性Zn-Ion电池（Azibs）代表了锂后系统中一种安全可持续的技术，尽管对阴极处的物质行为的不良理解阻止了Effi Cient Azibs的全面发展。Znmn 2 O 4（ZMO）被认为是锂离子电池的良好确定的Limn 2 O 4阴极的阴极候选者之一，但是在水性环境中锌离子存在的情况下，其电化学机制尚不清楚并且仍在辩论。在这项工作中，我们通过脉冲激光沉积（PLD）合成了纳米结构的ZMO薄膜，并通过微渗透，光谱和衍射技术进行了广泛的表征，评估了膜的特性和退火条件如何影响膜的特性。自给自足的性质和对纳米级的高度控制性使薄膜成为研究水溶液中材料的电化学的理想模型系统，并强调膜性能对其电化学反应的影响。我们强调了氧气在膜孔隙率调节中的关键作用，以及沉积压力和退火温度的综合作用，以产生具有量身定制特性的膜在形态，结晶度和Zn stoichiimetry方面。报道了一种复杂的氧化还原机制，涉及多种并发反应和氢氧化锌硫酸锌水合物（ZHS）的形成，以及膜孔隙率对膜以较高扫描速率的伏安行为的影响。我们的结果证实了ZMO材料的复杂电化学机制，它不仅涉及Zn 2 +插入/提取/提取，而且还涉及Mn 2 +从电解质中的关键参与，并为工程ZMO基的纳米级设计铺平了道路。
气体辅助飞秒脉冲激光加工
横截面是一种关键的样品制备技术，被广泛用于各种应用，它能够研究埋层和地下特征或缺陷。最先进的横截面方法各有优缺点，但通常都需要在吞吐量和准确性之间进行权衡。机械方法速度快但准确性低。另一方面，基于离子的方法，如聚焦离子束 (FIB)，分辨率高但速度慢。激光器可以潜在地改善这种权衡，但它也面临多重挑战，包括产生热影响区 (HAZ)、过大的光斑尺寸以及材料再沉积。在这项工作中，我们首次利用飞秒脉冲激光器，这种激光器已被证明可产生极小甚至零的 HAZ，用于快速创建质量可与 FIB 横截面相媲美的大横截面。该激光器集成了靶向 CO 2 气体输送系统，用于再沉积控制和光束尾部削减，以及硬掩模，用于顶面保护和进一步缩小有效光斑尺寸。通过现实世界的例子展示了所提出的系统的性能，这些例子比较了激光和 FIB 横截面技术产生的吞吐量和质量。
使用脉冲激光探索TAAS Weyl半准薄膜的生长条件
taas是第一个实验发现的Weyl半分材料，由于其高载流子迁移率，高各向异性，非磁性特性以及与光的强烈相互作用，引起了很多关注。这些使其成为研究量子计算，热电设备和光电检测中Weyl Fermions和应用的理想候选者。迫切需要进行进一步的基本物理研究和潜在的应用，大尺寸和高质量的TAAS漏洞。然而，由于AS在生长过程中的挥发，生长出色的taas纤维很难。为了解决这个问题，我们尝试使用脉冲激光沉积（PLD）使用具有不同AS化学计量比的靶标在不同底物上生长TAAS漏洞。在这项工作中，我们发现在生长过程中，部分作为GAAS底物的离子可能会扩散到TAAS纤维中，这是由结构表征，表面地形和组成分析最初确认的。结果，提高了TAAS纤维中的AS含量，并实现了TAAS相。我们的工作提出了一种使用PLD制造TAAS漏洞的有效方法，从而使Weyl SemimetalFim可以用于功能设备。
通过在离子注入掺杂的 4H-SiC 上脉冲激光沉积 MoS2 制备高度均匀的 2D/3D 异质结二极管
诸如厚度相关的带隙，这对于硅以外的超大规模数字电子学、光电子学和能源应用具有吸引力。 [1] TMD 的无悬挂键结构为实现高质量范德华异质结构与块体半导体提供了独特的可能性，从而实现利用界面电流传输的先进异质结器件。 [2–5] 特别是，单层或几层 MoS 2 与宽带隙半导体（如 III 族氮化物（GaN、AlN 和 AlGaN 合金）和 4H-SiC）的集成，目前在光电子学（例如，用于实现覆盖可见光和紫外光谱范围的高响应度双波段光电探测器）[6–11] 和电子学（例如，用于实现异质结二极管，包括带间隧道二极管）中越来越受到关注。 [12–17]
高度均匀的2D/3D异质结二极管通过MOS2的脉冲激光沉积在离子植入掺杂的4H -SIC
，例如厚度依赖性带隙，对硅，光电子和能量应用以外的超缩放数字电子设备具有吸引力。[1] TMD的悬挂式无键结构提供了具有散装半导体的高质量范德华异质结构的独特可能性，用于实施高级异质结构设备，利用界面处利用当前的运输。[2-5]尤其是，单层或几层MOS 2与宽带gap半导管的整合，例如III III氮化物（GAN，ALN和ALGAN ALLOYS）和4H-SIC，目前是越来越多的兴趣的对象（例如，对于高反应性双音群的现象，都可以提高兴趣的对象紫外线），[6-11]和电子设备（例如，用于实现异缝二极管，包括带对带隧道二极管的二极管）。[12–17]
b'我们表明，与激光散斑相关的质动力可以以类似于库仑散射的方式散射激光产生的等离子体中的电子。给出了实际碰撞率的解析表达式。电子散斑碰撞在高激光强度或 \xef\xac\x81lamentation 期间变得重要，\xef\xac\x80影响长脉冲和短脉冲激光强度范围。例如，我们 \xef\xac\x81 发现国家点火装置空腔激光重叠区域中的实际碰撞率预计将超过库仑碰撞率一个数量级，从而导致电子传输特性发生根本变化。在短脉冲激光-等离子体相互作用的高强度特性下（ I \xe2\x89\xb3 10 17 Wcm \xe2\x88\x92 2 ），散射足够强，导致激光能量直接吸收，产生能量缩放为 E \xe2\x89\x88 1 . 44 I/ 10 18 Wcm \xe2\x88\x92 2 1 / 2 MeV 的热电子，接近实验观察到的结果。 PACS 数字： PACS 数字。'
b'我们表明，与激光散斑相关的质动力可以以类似于库仑散射的方式散射激光产生的等离子体中的电子。给出了实际碰撞率的解析表达式。电子散斑碰撞在高激光强度或 \xef\xac\x81lamentation 期间变得重要，\xef\xac\x80影响长脉冲和短脉冲激光强度范围。例如，我们 \xef\xac\x81 发现国家点火装置空腔激光重叠区域中的实际碰撞率预计将超过库仑碰撞率一个数量级，从而导致电子传输特性发生根本变化。在短脉冲激光-等离子体相互作用的高强度特性下（ I \xe2\x89\xb3 10 17 Wcm \xe2\x88\x92 2 ），散射足够强，导致激光能量直接吸收，产生能量缩放为 E \xe2\x89\x88 1 . 44 I/ 10 18 Wcm \xe2\x88\x92 2 1 / 2 MeV 的热电子，接近实验观察到的结果。 PACS 数字： PACS 数字。'
短脉冲激光辅助制造 Si-SiO2 微冷却装置
摘要：热管理是要求最高的探测器技术以及未来微电子技术面临的主要挑战之一。微流体冷却已被提议作为现代高功率微电子散热问题的全面解决方案。传统的硅基微流体设备制造涉及先进的基于掩模的光刻技术，用于表面图案化。此类设施的有限可用性阻碍了其广泛开发和使用。我们展示了无掩模激光写入的相关性，它可以有利地取代光刻步骤并提供更适合原型的工艺流程。我们使用脉冲持续时间为 50 ps 的 20 W 红外激光器雕刻和钻孔 525 µ m 厚的硅晶片。使用阳极键合到 SiO 2 晶片来封装图案化表面。机械夹紧的入口/出口连接器使完全可操作的微冷却装置得以完成。该装置的功能已通过热流体测量验证。我们的方法构成了一个模块化微加工解决方案，可以促进共同设计的电子和微流体新概念的原型研究。