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World File Search System脉冲激光
高度均匀的2D/3D异质结二极管通过MOS2的脉冲激光沉积在离子植入掺杂的4H -SIC
，例如厚度依赖性带隙，对硅，光电子和能量应用以外的超缩放数字电子设备具有吸引力。[1] TMD的悬挂式无键结构提供了具有散装半导体的高质量范德华异质结构的独特可能性，用于实施高级异质结构设备，利用界面处利用当前的运输。[2-5]尤其是，单层或几层MOS 2与宽带gap半导管的整合，例如III III氮化物（GAN，ALN和ALGAN ALLOYS）和4H-SIC，目前是越来越多的兴趣的对象（例如，对于高反应性双音群的现象，都可以提高兴趣的对象紫外线），[6-11]和电子设备（例如，用于实现异缝二极管，包括带对带隧道二极管的二极管）。[12–17]
受邀主题演讲嘉宾 - CoSME 会议
摘要：我们证明，尽管性质不同，但许多能量束控制深度加工工艺（例如水射流、脉冲激光、聚焦离子束）都可以使用相同的数学框架建模——偏微分演化方程，只需进行简单的校准即可捕捉每个工艺的物理特性。逆问题可以通过伴随问题的数值解有效地解决，并导致产生具有最小误差的规定三维特征的光束路径。通过使用三种在非常不同的长度尺度上操作且具有不同材料去除物理原理的工艺（水射流、脉冲激光和聚焦离子束加工）生成精确的自由曲面，证明了这种建模方法的可行性。我们的方法可用于探索各种时间相关过程的逆问题，从而实现生成具有定制属性的精确表面的阶跃变化。
65nm CMOS时序逻辑电路单粒子翻转灵敏度研究
摘要 本研究利用脉冲激光研究了不同电源电压、时钟频率和电路结构下时序逻辑电路对单粒子翻转 (SEU) 的灵敏度。实验的时序逻辑电路是采用 65 nm 体 CMOS 工艺制作的 D 触发器链。结果表明，随着电压的降低，电路的 SEU 灵敏度增加，尤其在低电压范围内，灵敏度增加显著。此外，时钟频率对时序逻辑电路灵敏度的影响主要与组合逻辑电路中产生的单粒子瞬变 (SET) 的传播有关。研究还发现，Set 架构电路在数据“0”测试期间对 SEU 更敏感，而 Reset 架构电路在数据“1”测试期间对 SEU 更敏感。此外，还利用 SPICE 模拟揭示了由 Set 结构和 Reset 结构引起的 SEU 故障机制。关键词：脉冲激光、单粒子翻转 (SEU)、电压、频率、电路结构分类：电子器件、电路和模块（硅、复合半导体、有机和新型材料）
适用于空间应用的光电隔离器
作为当前项目省电探索的一部分，研究了光耦合器的替代品用于电流隔离。项目使用了大约 75 个电流隔离器，工作条件为 DC 至 1.2 Mbps。如果使用光隔离器，功耗将超过 10 瓦，还可能导致辐射引起的性能下降 [1]。为了降低功耗，对来自三家不同制造商的非光隔离器进行了评估。这种省电方式将使隔离器的总功耗从大约 10 瓦降低到不到 2 瓦。该项目的辐射要求规定，所选部件在 LET 低于 60 MeV·cm 2 /mg 时不得出现破坏性的单粒子闩锁 (SEL) 等破坏性单粒子。因此，它们最初在 NRL 的脉冲激光 SEE 测试设备上进行了破坏性 SEE 筛查。同时，还对部件进行了单粒子翻转 (SEU) 测试。经测试的三个部件中，有一个部件对 SEL 免疫，SEU 很少。该部件的重离子测试在加州大学劳伦斯伯克利分校实验室 (LBL) 88 英寸回旋加速器上进行，并证实了脉冲激光测试结果。最后，还在 NRL 的 Co 60 室中使用伽马射线对这些部件进行了总电离剂量 (TID) 测试，结果发现其可承受 50 krad(Si) 的辐射。
第3章 - 氧化物的激光沉积
图3.1示意图说明了脉冲激光消融事件的关键元素。（a）激光辐射的初始吸收（由长箭头表示），熔化和蒸发开始（阴影区域表示融化的材料，短箭头表示固体 - 液态界面的运动）。（b）融化前端传播到固体，蒸发持续，激光 - 泵相互作用开始变得很重要。（c）通过羽流和血浆形成吸收入射激光辐射。（d）融化前向后退，导致最终重新固定化。
简历 Prof.博士红外线。 Gertjan Koster 家 3247 ...
传记 1999 年，Ir. G. (Gertjan) Koster 教授获得博士学位，论文题目为“脉冲激光沉积人工层状复合氧化物”。同年，他移居美国，加入斯坦福大学 Geballe 先进材料实验室的 Kapitulnik-Geballe-Beasley (KGB) 小组。2007 年，他加入了特温特大学 MESA+ 纳米技术研究所的无机材料科学小组，自 2019 年 12 月起担任该研究所的正教授。2014 年，他成为温哥华 QMI-UBC 的客座教授，自 2018 年起，他担任斯洛文尼亚 Joseph Stephan 研究所先进材料系 K9 的客座教授。他的研究重点是原子工程复合（纳米）材料的结构-性能关系，特别是薄膜陶瓷氧化物。对于薄膜合成，他开发了第一个时间分辨的 RHEED 系统，在脉冲激光沉积期间以高达 100 Pa 的高压运行。这项工作促成了一家初创公司的成立，他是该公司的顾问和讲师。目前的研究包括人造材料的生长和研究、缩小尺寸（纳米级）材料的物理学、金属-绝缘体转变和原位光谱表征。应用领域包括绿色 ICT 的功能材料、神经形态计算、氧化物与 CMOS 的集成、使用 X 射线光谱或 STEM-EELS（例如电池、催化）进行氧化物界面操作研究的模型系统。其他经验：
MRB分子影像服务中心及癌症功能影像核心
• 多种常规和水浸物镜，用于体内和体外成像。 • 20X 微探针，插入动物体内即可进行高分辨率荧光成像。 • 可调脉冲激光，波长范围为 690 nm 至 1040 nm，配有 3 个标准 PMT 光检测器。 • 能够检测大多数染料和荧光蛋白、DAPI、罗丹明、钙黄绿素、Fluo-3、Fluo-4。 • 产生二次谐波信号和自发荧光分子，如胶原蛋白 I 和 NADH。 • 对大脑中的神经网络、视网膜中的光感受器、癌细胞和胶原纤维进行成像。
第1页印度种植协会...
通过同行评审的出版物在实验性凝结物理物理学领域中获得了证明的专业知识。候选人应使用溅射或脉冲激光沉积技术的磁性，铁电或多效材料的薄膜和异质结构具有专业知识。他/她应该在结构，形态和广泛的性质表征技术方面具有动手经验，用于电气，磁性，介电，铁电，压电和相关的替代能源应用。知道如何制造纳米级设备并需要高精度电气设备和高真空室。在Labview中具有基本的计算技能是加上该位置应用的可选的。
真空沉积：-CT Physics
实际上，情况并非如此简单，大量变量影响了膜的性质，例如激光流利度，背景气体基板温度，底物表面的粗糙度，消融材料的电离密度等。这些变量在一定程度上操纵膜特性。但是，优化可能需要大量的时间和精力。的确，对PLD的早期研究的大部分研究都集中在单个材料和应用的沉积条件的经验优化上，而无需试图了解材料从目标转移到底物时发生的过程。通常使用femto第二激光激光器来沉积薄膜的薄膜，较小的纳米米厚度。脉冲激光沉积机的示意图如图所示。