<3.4 kg,包括76.2厘米的飞行铅安全带台阶尺寸0.0625摄氏度调整速率1.0度/s输出扭矩 @ 1.0度/s 11英寸11英寸lb典型在77°F 1.2 nm惯性载荷> 86,452.6 lb-in 2> 25.3 kg-2> 25.3 kg-m 2> 25.3 kg-m 2 360 deg> 0.0 deg> 0.0 0.6 in lbm> 0.6 in lbm> 0.6 in lm> 0.0 nm nm nm nm> 0.0 nm nM电阻52.5Ω(标称,2相)滑动环功率转移44个转移 @ 5.0 AMPS最大滑动环信号传输26转移 @ 2.5安培最大电压28 VDC电压28 VDC电位计的电阻10kΩ合格的热环境温度,运行-31°F至160°F -355°C至71°C温度,2.112 -80°C至96°C注意:此数据仅用于信息,并且可能会更改。联系Sierra空间以获取设计数据。
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无抽象的无低温操作对于传播超电导率的应用至关重要,在某些情况下确实是不可避免的。在电量计算中,由于尚不可用的针对高温超导体制造的电压标准应用的约瑟夫森连接阵列,因此无法降低冰箱的大小和复杂性,以降低冰箱的大小和复合度。在INRIM开发的SNIS技术使用低温超导体,但允许在液体氦气温度上运行。因此,适用于紧凑的冷冻标准很有趣。我们研究了用DC和RF照射下的闭合循环冰箱冷却的SNIS设备。与设备的热设计有关的问题是分析的。RF步骤对观察到的连接数量的依赖性被详细说明,并解释为芯片内部功率消散的结果。
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串扰现象是由于两条线路之间的耦合引起的。当线路间隙减小时,耦合系数(β 12 或 β 21)会增加,尤其是在硅片中。在图 13 的示例中,负载 R L2 上的预期信号为 α 2 V G2 ,实际上此时的实际电压有一个额外的值 β 21 V G1 。V G1 信号的这一部分表示线路 1 的串扰现象对线路 2 的影响。当驱动器在干扰线路中施加快速数字数据或高频模拟信号时,必须考虑这种现象。如果受干扰线路使用低压信号或高负载阻抗(几 k Ω),则受干扰线路会受到更大的影响。以下部分给出了数字和模拟串扰的值。
hal是一个多学科的开放访问档案,用于存款和传播科学研究文件,无论它们是否已发表。这些文件可能来自法国或国外的教学和研究机构,也可能来自公共或私人研究中心。
摘要这项研究为基于有效的低功率VLSI方法设计了一种在信号和图像处理中设计的4位阵列乘数的创新技术。建议的架构使用近阈值区域的绝热方法来优化传播延迟和耗能之间的权衡。乘数是许多数字电子环境中必不可少的组成部分,导致了许多针对某些应用程序定制的乘数类型的诞生。与传统的CMOS技术相比,该技术大大降低了动态和静态功率耗散。接近阈值绝热逻辑(NTAL)是使用单个时间变化的电源实现的,这简化了时钟树的管理并提高了能源效率。使用Tanner EDA工具和幽灵模拟器在TSMC 65 nm技术节点上模拟了建议的设计,并确保验证了优化的结果。与典型的CMOS方法相比,在保持相似的设计参数的同时,可变频率,电源电压和负载电容的功率耗散大约有66.6%,14.4%和64.6%的显着提高。值得注意的是,随着频率变化,负载电容在C负载= 10 pf和vdd(max)= 1.2 V时保持恒定。随着电源电压的变化,负载电容在C负载= 10 pf时保持恒定,而频率为f = 4 GHz; and with load capacitance variation, the frequency is maintained at F = 4 GHz and the supply voltage at VDD (max) = 1.2 V. Keywords: - 4-bit array multiplier, adiabatic logic, low-power VLSI, Near Threshold Region, NTAL approach, TSMC 65 nm CMOS technology, mixer circuit, signal and image processing, energy efficiency, Tanner EDA, Spectre simulator, and功率耗散优化。
在数学中,关系用于描述集合元素之间的关系。当我们将关系的概念扩展到涉及多个集合时,我们会遇到N阵列关系。这些关系将二进制关系(涉及两组)推广到更高的维度,它们在各个领域中具有应用,例如代数,图理论,计算机科学和逻辑。