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World File Search System脱位
当前泄漏机制与在Si（001）上生长的GE富含螺纹脱位有关
目前的工作研究了螺纹位错密度（TDD）在低密度状态下在SI 0.06 GE 0.94异质结构中集成在SI上（001）的垂直传输的作用。使用无意间掺杂的Si 0.06 GE 0.94层可以研究成长的螺纹位错（TD）的影响，而不会与加工诱导的缺陷相互作用，例如来自掺杂剂的植入。研究的杂层虽然成分等于应变弛豫程度和厚度，但具有三种不同的TDD值：3×10 6、9×10 6和2×10 7 cm -2。电流 - 电压测量结果表明，泄漏电流不会与TDD线性扩展。泄漏电流的温度依赖性表明，通过TD诱导的缺陷状态进行陷阱辅助的隧道，在室温下通过TD诱导的缺陷态进行了陷阱辅助的隧道。在较低的温度和高电场下，无直接相互作用与缺陷水平直接相互作用的直接带对隧道成为主要的运输类型。在较高的温度（> 100°C）下观察到与中间隙陷阱发射有关的泄漏电流。在这里，我们看到材料中SRH的贡献减少，其中最小的TDD（3×10 6 cm -2），我们将其归因于被困在TD菌株中的点缺陷簇中的减少。
评估子宫动脉阻抗在胎龄16至20周，其与早期发作的前脱位
先兆子痫被认为是怀孕的最危险和常见并发症，其患病率是所有怀孕的2-8％（1，2）。根据发生的时间，该疾病分为两种类型：早期和晚发。早期类型的发生频率少于晚期类型，患病率为0.4至1％，但疾病的严重程度远高于晚期类型。在发展中国家，前启示邦是母亲在重症监护室住院的第一个原因，也是孕产妇死亡的第二个直接原因，孕产妇死亡是造成分娩周围死亡的6％（3，4）。据报道，伊朗先兆子痫的患病率为5％，近年来一直在增加（5）。在发展中国家患有前景前的妇女更多地遭受了不幸的结果和死亡的痛苦（6）。
由掺杂的原子薄的半导体异质结构中强的电子脱位诱导的超导性
我们研究了一种在原子薄的半导体中诱导超导性的机制，激子介导电子之间的有效吸引力。我们的模型包括超出声子介导的超导性范式的相互作用效应，并连接到玻色和费米极性的良好限制。通过考虑TRIONS的强耦合物理，我们发现有效的电子相互作用会形成强频率和动量依赖性，并伴随着经历了新兴的BCS-BEC交叉的系统，从弱绑定的S-波库珀对Bipolarons的超浮雕。即使在强耦合时，双丙酸也相对较轻，从而导致临界温度占费米温度的10％。这使二维材料的异质结构有望在通过电子掺杂和Trion结合能设置的高临界温度下实现超导性。
1个室温的散装可塑性和可调节位错...
摘要我们报告了由单晶立方ktao 3中的位错介导的室温散装可塑性，与传统的知识形成了鲜明的了解，即单晶ktao 3容易受到脆性裂解的影响。使用环状Brinell凹痕，划痕和单轴体积压缩的基于力学的组合实验方法始终显示从Mesoscale到宏观尺度的KTAO 3中的室温脱位。这种方法还提供可调的脱位密度和塑性区域尺寸。扫描传输电子显微镜分析基于激活的滑移系统为<110> {1-10}。鉴于KTAO 3作为新兴的电子氧化物的意义越来越重要，并且对调谐氧化物物理特性的脱位的兴趣越来越大，我们的发现有望引发与脱位的KTAO 3的协同研究兴趣。
通过脱位攀爬机制在2D过渡金属二分法中形成高度掺杂的纳米条
这种方法倾向于创建不良的缺陷，然后将其去除需要其他退火步骤。最近，大量的研究注意力集中在2D材料上，[1,2]，因为它们不仅具有从绝缘子到金属的电子特性，而且具有与降低尺寸相关的独特特性。虽然2D材料可以用与散装系统相同的方法掺杂，但它们的方法是独特的。由于仅表面几何形状，也可以通过以下方式获得2D材料中的掺杂； 1）物理/化学吸附； 2）离子液体门控； 3）直接原子构造。[3,4]表面吸附和离子 - 液体门基本上与环境与2D材料之间的电荷转移的实现相同，这两个材料都非常有效，这两个材料都非常有效。但是，系统集成的困难限制了这些方法的实际应用。可以通过硫化/硒化来完成2D材料中的直接原子替代。[5]或者，可以通过辐射[6,7]或退火过程中的热蒸发产生空缺，然后进行掺杂物种的沉积。直接替代也可以通过离子植入来实现，但是在技术上很难，因为它需要非常低的离子能量（低于100 eV），或者需要额外的缓冲层和通量后的涂层[9]，否则离子会通过原子上的较薄靶标。[10,11]至于2D过渡金属
金属材料中错位密度的实验测量：测量技术之间的定量比较（XRD，R-ECCI，HR-EBSD，TEM）
脱位密度。那些不同的方法不观察到相同类型的位错，即统计存储的位错（SSD）和/或几何必需的脱位（GND）。有些是直接测量技术，例如ECCI和TEM成像，而其他是非方向方法，即HR-EBSD和XRD测量。因此，提出了使用这四种技术在未变形和变形的双链钢上获得的测量值的定量比较。对于低变形，位错密度很小（成像方法相当性能，而XRD 1- 5×10 13 m - 2），测量值的不确定性水平高。HR-EBSD测量结果表明，结果与这些变形水平的其他方法非常吻合。对于较高的变形水平（上面的脱位密度），成像方法不再相关，因此1 - 3×10 14 m - 2
当您有patella不稳定性时会期待什么
tell骨不稳定性是年轻运动员的常见问题。可能是由于某些年轻人（尤其是青少年女性）的创伤事件或广义关节松弛的一部分而发生的。是最常见的关节，使我们体内较大的关节脱位。脱位可能是创伤性的，也可能在韧带松动的个体中漫画发生。急性或创伤位错同样发生在男性和女性中，可以突然扭曲或直接打击膝盖的侧面。在松散的关节个体中，要脱离the骨需要少得多的力，因此即使是最简单的设置也可以发生。在两种情况下的位置最常发生在10至30岁之间。出现时，the骨通常会自发地重新定位或减少股四头肌拧紧并且膝盖延伸。位错很痛苦，通常会在膝盖内部肿胀（称为积液）。实际上，青少年膝盖肿胀的最常见原因是pat骨脱位。疼痛和肿胀使行走很难使膝盖感觉不稳定。发生脱位时，可能会对骨和骨的软骨和骨骼损害。有趣的是，当the骨被简化为车辆凹槽中时，通常会造成损害。
使用 EndoVac 冲洗进行手动、旋转和往复式器械根尖脱位的比较评估：一项体外研究
根管治疗包括对根管进行生物力学准备，以消除所有细菌和坏死的牙髓碎片，然后用惰性材料填充以密封暴露的小管。该程序旨在消除与牙髓和牙周组织刺激相关的疼痛和不适。然而，这种治疗并非没有并发症。在根管治疗期间或之后，冲洗剂或碎片从根尖挤出是操作者的主要担忧，因为它会导致根尖器官剧烈疼痛、肿胀和发炎。微生物、其内毒素以及偶尔的冲洗液经常通过含有残留牙髓组织的牙本质碎片的尖端输送到根尖组织中。在清洁和塑造根管系统的过程中，任何类型的对根尖组织的物理或化学损伤都可能导致肥大细胞脱粒，从而将组胺释放到根尖组织中 [1] 。在某些情况下，它可能会出现爆发和免疫反应。
LEC 8本地传递的，受控释放的抗微生物
在不太可能发生芯片脱位的情况下，建议采取几种操作，具体取决于芯片损失的当天。•如果放置后7天或更长时间发生脱位，则牙医应认为该受试者接受了完整的治疗方法。•如果放置后48小时内发生脱位，则应插入新的芯片。•如果放置后48小时以上发生脱位，则牙医不应更换芯片，而应在3个月后重新评估患者，如果口袋深度降低到<5mm，则插入新的芯片。作用机理•CHIP以双相的方式在体外释放洗涤脱甲胺，最初在最初24小时内释放大约40％的洗涤胺，然后以几乎线性的方式释放剩余的氯己定为7-10天。洗涤酰胺对广泛的微生物具有活性。它破坏了细胞膜并导致细胞质沉淀，导致细胞死亡。•尚未观察到口腔微生物菌群的不良改变或机会性微生物的过度生长。适应症和用法•芯片被指示为牙周炎患者口袋深度降低的缩放和根策划程序的辅助手段。•芯片可以用作牙周维护程序的一部分，其中包括良好的口腔卫生，缩放和根策划。禁忌症•任何对氯己定具有已知敏感性的患者不应使用芯片。